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一種系統芯片的功能測試方法

作者: 時(shí)間:2008-08-06 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò ) 收藏
1 引言

一個(gè)正確的電路設計拿到工廠(chǎng)去制造,并不可能百分之百的正確地制造出來(lái)??倳?huì )受到種種不確定性的影響,比如制造機器的偏差、環(huán)境干擾、硅片的質(zhì)量不一致甚至是一些人為的失誤等等方面的影響,生產(chǎn)出的產(chǎn)品并不全都是完好的。如果存在有故障,這樣的是絕對不允許流入市場(chǎng)中的。那么如何檢驗出有制造缺陷的,這就屬于測試的范疇。在深亞微米階段,線(xiàn)寬非常精細,工序數量又多,更加容易受到干擾的影響,制造故障變得尤其明顯。所以必須加大測試的力度,盡可能地減少次品流人市場(chǎng)的幾率。

下面將通過(guò)設計一個(gè)芯片――“成電之芯”的平臺來(lái)具體介紹實(shí)現芯片。

2 評估測試需求

在進(jìn)行和選用必要的工具之前,應該審定芯片測試的基本要求,并明確解決如下4個(gè)問(wèn)題閉:1)哪些是必須的基本測試能力;2)怎樣觀(guān)察對測試序列的響應;3)測試平臺需要多高的靈活性;4)需要多少經(jīng)費和時(shí)間。

對基本測試平臺能力[3]的評估應該包括:1)所需的激勵時(shí)鐘速度;2)所需的激勵通道數;3)輸入的電壓標準;4)測試序列的長(cháng)度。

“成電之芯”是一款0.18μm工藝、內嵌DSP核的730萬(wàn)門(mén)SoC,面積31mm31mm,PBGA609封裝,它的硬件部分主要實(shí)現脈沖壓縮、動(dòng)目標顯示(MTI)、動(dòng)目標檢測(MTD)、求模取對數等算法,其中脈沖壓縮比最大可做到1024,MTD濾波通道數最大為256,每個(gè)通道的濾波器階數最大為256,每個(gè)相參處理間隔的數據量最大為2M深度,MTI濾波最多可做16脈沖對消,根據雷達整機系統需求,上述參數可靈活調節,通過(guò)DSP核,可用軟件實(shí)現其它各類(lèi)數字信號處理算法(如CFAR等)。芯片的內部處理速度最快160MHz,外部I/O速率范圍為1~80MHz。芯片I/O電平為L(cháng)VTTI電平。該芯片的數據流框圖如圖1所示。

圖1中,實(shí)線(xiàn)區域為芯片內部各模塊,虛線(xiàn)部分為片外存儲器。從圖中可以看出,雷達信號處理專(zhuān)用芯片的數據傳輸主要由DPC數據總線(xiàn)和ED數據總線(xiàn)完成。

通過(guò)上述對“成電之芯”的簡(jiǎn)單介紹,該芯片的系統功能和測試平臺的能力需求已經(jīng)一目了然。

3 功能測試平臺的建立

3.1 功能測試平臺建立

測試平臺是為了向被測芯片施加輸入激勵而建立起來(lái)的。如圖2所示,測試平臺向被測芯片輸入激勵,對輸出采樣,并將結果與期望值比較,得出比較分析結果。

建立測試平臺的過(guò)程是建立在對被測芯片功能屬性透徹理解的基礎上的。目前,常用的測試平臺建立有:采用可編程器件建立測試平臺、基于波形建立測試平臺、基于可編程測試儀建立測試平臺和基于事物建立平臺。

3.2 功能測試平臺的構建

本設計的功能測試主要采用基于可編程器件建立測試平臺。

從圖1可以看出,“成電之芯”主要有以下幾類(lèi)接口:36位的輸入信號總線(xiàn)Input,用來(lái)為芯片提供初始輸入激勵;32位的初始化數據總線(xiàn)Initial_bus,用來(lái)為芯片提供DSP核程序、控制寄存器參數、脈壓系數和濾波系數;48位的片外緩存數據總線(xiàn)IQ1和IQ2,用于將脈沖壓縮的結果傳送到片外緩存;28位的求?;蛉递敵隹偩€(xiàn)Log_out,用于輸出脈沖壓縮或濾波運算后的求?;蛉到Y果;56位的濾波結果輸出FIR_I_OUT(28位)、FIR_Q_OUT(28位),用于輸出MTI或MTD處理后的結果;16位的HD數據總線(xiàn),用于輸出DSP核處理后的結果。

根據基于可編程器件建立測試平臺的設計思想,功能測試平臺的構建方法如下:采用可編程邏輯器件進(jìn)行輸入激勵的產(chǎn)生和輸出響應的處理;采用ROM來(lái)實(shí)現DSP核程序、控制寄存器參數、脈壓系數和濾波系數的存儲;采用SRAM作為片外緩存?;緶y試框圖如圖3所示。

根據“成電之芯”的要求,芯片需要外部提供136 k 32bit的存儲空間為其提供脈壓系數和濾波系數,同時(shí)需要其它的一些存儲空間為芯片存儲片外的DSP核程序和控制寄存器。

由于做MTD濾波時(shí),每個(gè)相參處理間隔的數據量最大為2M深度,所以片外必須準備兩片深度為2M,數據寬度為48位的SRAM作為芯片的片外緩存。

除此之外,芯片需要外界輸入數據和控制信號,并且需要接收芯片的輸出數據。這部分的功能可通過(guò)可編程邏輯器件來(lái)完成。

通過(guò)以上分析,CCOMP芯片功能測試平臺選用了兩片SST39VF3201來(lái)做它的片外初始化存儲器、6片GS832018來(lái)做它的片外緩存、一片XC3S5000來(lái)產(chǎn)生它的時(shí)序控制信號以及和外部接口的控制邏輯、兩片MT48LC4M32用做它的輸出緩存、兩片SST39VF3201來(lái)做它的輸入數據存儲器,另外還選用了一個(gè)AD和一個(gè)DA芯片來(lái)實(shí)現與外界的數據通信。實(shí)現框圖如圖4所示。

4 測試平臺的實(shí)現

4.1軟件的實(shí)現

根據“成電之芯”輸入激勵和輸出響應的數據對比要求,編寫(xiě)了可綜合的verilog代碼。代碼的設計完全按照“成電之芯”的時(shí)序要求實(shí)現。

4.2 硬件的實(shí)現

根據功能測試平臺的實(shí)現框圖進(jìn)行了原理圖和PCB的設計,最后設計完成了一個(gè)可對“成電之芯”進(jìn)行功能測試的系統平臺。實(shí)物圖如圖5所示。

5 結論

本文通過(guò)對“成電之芯”功能測試平臺的設計與實(shí)現,闡述了一種基于可編程邏輯器件的系統芯片功能測試平臺的建立。本文從系統芯片的測試評估出發(fā),一步步深入系統芯片測試方法分析,最終實(shí)現一個(gè)完整的測試平臺。

該系統除了闡述功能測試平臺的實(shí)現方法外,同時(shí)也對待測芯片――“成電之芯”進(jìn)行了充分的測試,為每一塊芯片的功能是否完好提供了重要依據。



關(guān)鍵詞: 方法 功能測試 芯片 系統

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