基于復位芯片MAX6383的可調滯后的微處理器

　　可調滯后的微處理器復位芯片

　　摘要：簡(jiǎn)單的電路可調整，否則固定滯后(上升和下降之間的閾值電壓VCC上的差異)是管理著(zhù)一個(gè)3針微處理器復位IC的工作。

　　基于微處理器的系統往往包括許多可用的3針微處理器復位芯片之一。這些設備監控單電源軌，并提供了響應系統復位信號，欠壓條件。通常表現出這種芯片的固定滯后(上升和下降之間的閾值電壓VCC上的差異)，但一個(gè)簡(jiǎn)單的電路(圖1)可讓您調整的電壓差。

　　圖1。在這個(gè)電路中，相對濕度和RP值讓你決定調整滯后復位時(shí)序。

　　如上所述1.0V的VIN的上升，低電平有效復位輸出低電平表明，輸入電壓低于閾值的監測。電流從VIN通過(guò)反相內部MOSFET驅動(dòng)器，并通過(guò)RH至地面，制定一項全面濕度偏移電壓。由于內部參考電壓是指接地，偏移電壓VCC的上升增加了門(mén)檻。在新崛起的閾值可以計算如下

　　當VIN上升越過(guò)這個(gè)門(mén)檻，仍然是它上面的復位超時(shí)，低有效復位去斷言和電流通過(guò)相對濕度下降，使VCC的門(mén)檻，轉回到正常水平。

　　考慮與3.08V閾值和10kΩ的上拉電阻器(RP)的一個(gè)微處理器復位IC(MAX6383XR31D1)。如果你想上升閾值的3.18V(100mV的滯后)，解決對RH(忽略電源電流和有限上MOSFET的輸出驅動(dòng)電阻)，并獲得324.68Ω上述方程。在標準的1%的電阻值是324Ω最接近。

　　示波器照片(圖2)顯示電路的操作。測量的閾值3.1984V上升和下降的門(mén)檻是3.0891V，生產(chǎn)滯后109.3mV。該9.3mV差異(相對于在100mV的計算值)主要是由于MOSFET的導通電阻，電源進(jìn)入設備電流，電阻公差。

　　圖2。從圖1電路顯示100mV的滯后，這些波形。也就是說(shuō)，在這VCC的電壓之差(CH1)的相交的低電平復位(CH2)的上升沿和下降沿是100mV的。

　　請注意，相對濕度增加了有源低有效復位輸出音量(邏輯，低輸出電壓)的滯后電壓。在這種情況下，第一個(gè)措施的127mV最大。因此，你應該檢查，以確保連接到低電平復位可以容忍較高的音量的電路。