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單運放完成雙滯后轉換特性
- 運放結合戰略上被放置的齊納二極管產(chǎn)生一個(gè)過(guò)程控制電路，電路有正、負向磁滯帶。 在需要間斷控制器的過(guò)程控制應用中，大多數初步選擇是兩個(gè)位置模型或開(kāi)/關(guān)控制器。這種控制器的典型例子是空間加熱器。如果溫度低到設置點(diǎn)以下，加熱器打開(kāi)，而如果溫度高過(guò)設置點(diǎn)，加熱器關(guān)閉。在模擬域，雙位置控制器的主要部分是模擬比較器或開(kāi)環(huán)運算放大器。然而，為避免開(kāi)關(guān)誤觸發(fā)，典型應用是使用熟知的Schmitt觸發(fā)器。 雙位置控制器模型的合理擴展是能夠提供若干個(gè)(多于兩個(gè))控制器輸出的中間設定。使用這種間斷控制器模型減少雙
- 關(guān)鍵字： 嵌入式系統 單片機 滯后 轉換特性 MCU和嵌入式微處理器
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