以較高的開(kāi)關(guān)頻率在負載點(diǎn) (POL) 應用中工作
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摘要： Power Clip 33 封裝十分新穎，旨在增加同步整流 (SR) 降壓應用中的功率密度，同時(shí)使用與傳統分立式 Power 56 封裝相比明顯較小的 PCB 面積。 本文詳細分析飛兆 Power Clip 3.3x3.3 Dual 是如何實(shí)現這一性能的。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/170366.htm概述
本文：
a. 總結了通過(guò) Power Clip 封裝實(shí)現的電源系統尺寸和電流密度的改進(jìn)
b. 詳細介紹了實(shí)現性能提升的 Power Clip 的特性
c. 提供了一對設計示例，展示通過(guò)該小占位面積和高頻設計實(shí)現的總體元件占位面積減少
d. 展示了將 Power Clip 與傳統設計在效率、功率損耗、波形、溫度和熱阻方面進(jìn)行比較的測量數據。
簡(jiǎn)介
對電源工程師來(lái)說(shuō)，功率密度 (A/mm2) 是器件選型中的一個(gè)重要指標。Power Clip Dual MOSFET 的設計是經(jīng)過(guò)針對性的優(yōu)化，可為同步降壓調節器應用提供異常高的功率密度。
全新的 Power Clip 3.3x3.3 是對優(yōu)化品質(zhì)因數 (FOM)的硅技術(shù)和增強的散熱設計的高效結合。
圖1和圖2展示這一新產(chǎn)品相較于兩個(gè)競爭產(chǎn)品的性能。 新 Power Clip 較這兩者性能都好。
圖1顯示，與較大尺寸的 5x6 競爭產(chǎn)品相比，Power Clip 的效率更高。 圖1中的散熱圖片是在測試結束時(shí)拍攝的。 較小的 Power Clip 能夠以同等的 TJ處理額外的 3 A 負載。
圖2顯示，與同等尺寸的 3.3x3.3 競爭產(chǎn)品相比，Power Clip 具有更好的效率和溫度。 圖2中的散熱圖片是在測試結束時(shí)拍攝的。 Power Clip 以低6 °C 的 TJ 溫度處理了額外 8 A 的負載。
注意，這一圖2評測使用與圖1不同的控制器完成，因此 Power Clip 結果略有不同。
圖3展示了過(guò)去 6 年中測試的一系列飛兆評測板的功率密度的演化。 Power Clip 產(chǎn)品實(shí)現的密度是上一代產(chǎn)品的近兩倍。
這得益于 PowerTrench®工藝和封裝技術(shù)的改進(jìn)。圖4展示了 Power Clip 33 MOSFET Asymmetrical Dual MOSFET 設計在負載點(diǎn) (POL) 或同步整流 (SR) 降壓轉換器應用中的演化。 Power Clip 33 MOSFET 將一對分立式 MOSFET 的最佳的特性結合到 3.3x3.3 mm 的封裝上。
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