以較高的開(kāi)關(guān)頻率在負載點(diǎn) (POL) 應用中工作
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技術(shù)方案與實(shí)用技巧
如表2所示，使用最新一代的 FOM 硅，FDPC8011S 能夠近似匹配大尺寸備用設計的 RDS(ON)值。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/170366.htm
效率：
圖12和圖13展示三個(gè)選項之間的效率和功率損耗比較： Power Clip 33 Dual、Power Stage 56 Dual 和分立式 Power 33 / Power 56。測試點(diǎn)是一個(gè)典型的 POL 操作點(diǎn);12 Vin 和 1.6 Vout。 在 300 kHz 和 600 kHz 的頻率下對性能進(jìn)行了比較。
這些 MOSFET 組合經(jīng)過(guò)測試，因為所有組合擁有類(lèi)似的電氣特性。 這就能夠將小占位面積和低寄生參數的 Power Clip 33 設計與傳統尺寸封裝進(jìn)行比較。 FDPC8011S 同時(shí)在 300 kHz 和 600 kHz 的頻率下在幾乎整個(gè)負載范圍內展示出更高的效率和更低的損耗。
注意，分立式組合和 Power Clip 之間的性能交叉點(diǎn)在更高的操作頻率下顯著(zhù)移出。 這反映了 Power Clip 33 更低的封裝和開(kāi)關(guān)環(huán)路寄生參數。
開(kāi)關(guān)性能
表3展示了每個(gè)封裝的 PSPICE 模型參數。 四個(gè)電感： HS 漏極、HS 源極、LS 漏極和 LS 源極，對于提升效率至關(guān)重要，因為它們都在 AC 開(kāi)關(guān)路徑中，且都能限制最大 di/dt 開(kāi)關(guān)速度。 Power Clip 33 的一個(gè)獨特功能是，LS MOSFET 源極朝下。 因此，LS 源極電感比之前的封裝低一個(gè)數量級。
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