無(wú)源RFID標簽芯片靈敏度測試方法研究

從圖4可以看出，利用標簽測試儀測得的芯片靈敏度輕微的依賴(lài)于頻率，在800～1 000 MHz頻段內，變化范圍為1 dBm。從圖5和圖6可以看出，通過(guò)式(1)校準之后的靈敏度改變范圍稍大，在2個(gè)dBm之間。對于NXP_G2XM芯片來(lái)說(shuō)，800～1 000 MHz頻段內，在頻率為860 MHz是芯片的靈敏度最高為-15．9 dBm；而對于Impinj_Monza3芯片為800～1 000 MHz頻段內，在頻率為950 MHz時(shí)芯片的靈敏度最高為-15．9 dBm。因此，如果對于測試結果準確性要求不是很?chē)栏?，利用矢量網(wǎng)絡(luò )分析儀測試反射系數Γ時(shí)，可以使用同一個(gè)能量，測試結果仍然可以保持一定的準確性。

3 誤差分析
NXP芯片和Impinj芯片廠(chǎng)商所給的datasheet僅僅給出芯片在特定溫度下，特定的解調方式和調制度情況下的靈敏度參考值。NXP_G2XM芯片的靈敏度為-15 dBm，Impinj_Monza3芯片的靈敏度為-15 dBm。從圖5和圖6可以看出，校準值與datasheet所給的芯片靈敏度比較相近，存在誤差原因：其一，單個(gè)芯片測試存在的偏差，NXP和Impinj芯片廠(chǎng)商靈敏度是通過(guò)大量的測試取均值所得，本文僅是對于其個(gè)別樣片進(jìn)行了測試；其二，采用矢量網(wǎng)絡(luò )分析儀測試芯片反射系數時(shí)，安裝芯片的SMA頭與芯片阻抗不匹配，測得的反射系數比較大，基本上均超過(guò)0．9，對于各個(gè)頻點(diǎn)的反射系數值相差不是很明顯，因此，準確測試反射系數值對測試結果準確性有重要作用；第三，標簽測試儀上讀取的功耗值，沒(méi)有考慮SMA頭的損耗；第四，實(shí)際測試與datasheet所給的參考條件并不一致，所以測試結果存在誤差。因此，利用標簽測試儀和矢量網(wǎng)絡(luò )分析儀測試芯片靈敏度的方法有效。

4 結語(yǔ)
本文所述靈敏度測試方法，不需要特殊的匹配電路，測試過(guò)程簡(jiǎn)單方便，可以對一個(gè)頻段內的靈敏度變化情況進(jìn)行測試，測試結果具有一定的準確性。芯片靈敏度隨頻率的變化情況測試對于芯片開(kāi)發(fā)具有十分重要的意義。