無(wú)源RFID標簽芯片靈敏度測試方法研究
從以上分析可以知道,任何時(shí)候,安裝有芯片的SMA連接器只有2種接法,或者連接到標簽測試儀,或者連接到矢量網(wǎng)絡(luò )分析儀,如圖2所示。RFID測試儀和矢量網(wǎng)絡(luò )分析儀的輸出阻抗均為Z0=50Ω。本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/155121.htm
測試過(guò)程中,矢量網(wǎng)絡(luò )分析儀能量設置為某一頻率下的最小功耗Pmin(由標簽測試儀獲取的標簽芯片最小可工作功率)。芯片工作在最小功耗下,由于安裝芯片的SMA頭和同軸線(xiàn)的損耗可以忽略不計,因此,所有輸入的能量或者被芯片吸收,或者全部被反射回來(lái)。由于傳輸線(xiàn)與標簽芯片失配,標簽芯片所接收的能量可以通過(guò)式(1)計算,即可以得到芯片的能量靈敏度。
Pth=PminTtag=Pmin(1-|Γtag|2) (1)
式中:Ttag是能量傳輸系數;|Γtag|2是能量反射系數,1-|Γtag|2即為能量傳輸系數Ttag;Pmin為利用標簽測試儀測得的某一個(gè)頻率下芯片的最低功耗;Pth為芯片的能量靈敏度。實(shí)際測試中,利用標簽測試儀測得芯片的最低功耗Pmin,將矢量網(wǎng)絡(luò )分析儀的能量設置為Pmin,測試芯片的反射系數Γ的值,代入式(1)即可得到芯片的靈敏度。
2 芯片靈敏度測試結果
圖3將安裝有NXP_G2XM芯片的SMA頭通過(guò)同軸線(xiàn)連接到標簽測試儀衰減器的輸出端口,掃描芯片工作所需的最低功耗Pmin隨頻率變化的情況。從圖中可以看出,在標簽芯片和傳輸線(xiàn)不匹配的情況下,直接得到芯片功耗隨頻率變化掃描出的曲線(xiàn)。在800~1 000 MHz頻段內,每隔10 MHz采集一個(gè)功耗值,由于測試時(shí)在標簽測試儀的輸出口串接20 dB衰減器,因此實(shí)際功耗值如圖4所示。
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