Alchimer與IMEC在22nm以下先進(jìn)制程進(jìn)行合作

　　雙鑲嵌、矽通孔(TSV)、微機電(MEMS)與太陽(yáng)能等領(lǐng)域濕沉積技術(shù)的領(lǐng)先供應商Alchimer，宣布與歐洲研究機構IMEC攜手進(jìn)行一項合作研發(fā)計劃，為先進(jìn)的奈米互連技術(shù)評估和實(shí)施銅(Cu) 填充解決方案。該計劃的重點(diǎn)將是 Alchimer 的 Electrografting (eG) 產(chǎn)品系列，其已證明可在 7nm 節點(diǎn)裝置上實(shí)現無(wú)空隙填充，并允許在阻擋層上直接進(jìn)行銅填充，且鑲嵌制程無(wú)需晶種層。由于 CMOS規模增加，使制程更加精細，因此市場(chǎng)要求銅鑲嵌要有更小的尺寸 (<16/14 nm)，采用薄阻擋層，以及薄銅晶種層，或無(wú)銅晶種層。填充制程必須沒(méi)有任何缺陷/空隙，以滿(mǎn)足可靠性規范，并實(shí)現高良率。傳統的物理氣相沉積(PVD)和化學(xué)氣相沉積(CVD)制程不能達到這些要求。Alchimer的濕沉積技術(shù)建立在分子構建制程的基礎之上，突破了干沉積制程的局限性。

　　Alchimer 的執行長(cháng) Bruno Morel 表示：「我們相信，隨著(zhù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展到更小的技術(shù)節點(diǎn)，效能和成本將推動(dòng)技術(shù)的采用。eG 在先進(jìn)鑲嵌應用領(lǐng)域的效能，包括 20nm 以下的單、雙鑲嵌，已經(jīng)在效能及持有成本兩方面均展現出廣闊前景。與 IMEC合作讓我們能夠獲得巨大資源，藉此驗證我們在12寸晶圓制程的技術(shù)適宜性，并瞭解如何為 18寸晶圓制程做好準備?！?/p>

　　該合作研發(fā)計劃(JDP) 的目標是要獲得在 22nm 以下技術(shù)的12寸晶圓制程環(huán)境中，eG 濕沉積制程的可靠性資料及電氣效能。作為此項 JDP 的一部分，兩間公司將對電鍍化學(xué)法實(shí)施評估，并努力確定 12寸晶圓級先進(jìn)鑲嵌電鍍應用的最佳制程條件。

　　eG 填充允許在阻擋層上進(jìn)行直接銅填充，而不再需要晶種層。此外，該技術(shù)還被證明能夠在 7nm 節點(diǎn)裝置上實(shí)現無(wú)空隙填充，以改善良率及效能?？傊?，它對終端影響很小，且均勻性?xún)?yōu)異。Alchimer 高度可擴展的濕沉積技術(shù)是滿(mǎn)足先進(jìn)鑲嵌結構市場(chǎng)需求的唯一解決方案，不僅如此，與傳統的干沉積制程相比，該技術(shù)還能降低 25% 至 35% 的持有成本。

　　這是透過(guò)盡量減少使用昂貴的 PVD 與 CVD 制程實(shí)現的，因為該制程可以在僅需最少改裝的傳統設備上實(shí)施。造成較低覆層及穩定化學(xué)作用的超保形層可在使用前即期混合。