聯(lián)華和Kilopass攜手 進(jìn)行先進(jìn)制程28奈米硅智財合作

　　聯(lián)華電子與半導體邏輯非揮發(fā)性?xún)却?NVM)硅智財領(lǐng)導廠(chǎng)商Kilopass日前共同宣布，雙方已簽署技術(shù)開(kāi)發(fā)協(xié)議，Kilopass非揮發(fā)性?xún)却?a class="contentlabel" href="http://dyxdggzs.com/news/listbylabel/label/硅智財">硅智財將于聯(lián)華電子兩個(gè)28奈米先進(jìn)制程平臺上使用，分別為：適用于生產(chǎn)可攜式裝置產(chǎn)品系統單芯片的高介電質(zhì)金屬閘(High-k/Metal Gate) 28HPM;以及受消費性電子產(chǎn)品系統單芯片設計公司青睞的多晶硅(Poly /SiON) 28HLP制程。

　　聯(lián)華電子28奈米制程的芯片閘極密度為40奈米制程的兩倍。具成本效益的28HLP多晶硅(Poly/ SiON) 制程，與業(yè)界其它28奈米多晶硅(Poly /SiON) 制程相比，具備了更優(yōu)異的效能及功耗上的提升。為配合系統單芯片設計公司不同的電源需求，此制程提供了多個(gè)電壓選項：1.8V，2.5V和2.5 /3.3V。而28HPM高介電質(zhì)金屬閘(High-k/Metal Gate)制程，則提供了臨界電壓選項、內存儲存單元和降頻/超頻功能，有助于系統單芯片設計公司大幅提高產(chǎn)品整體效能和電池續航力。

　　聯(lián)華電子客戶(hù)工程暨硅智財研發(fā)設計支持副總簡(jiǎn)山杰表示：「聯(lián)華電子不斷致力于先進(jìn)技術(shù)開(kāi)發(fā)和及時(shí)的產(chǎn)能導入，以充分滿(mǎn)足客戶(hù)的需求。為了確保我們客戶(hù)在28奈米制程上，不僅可以采用聯(lián)華電子eFlash、eE2PROM、eMTP、eOTP和eFuse的硅智財，也能獲取最佳第三方廠(chǎng)商之非揮發(fā)性?xún)却婀柚秦?，?lián)華電子十分樂(lè )意與Kilopass公司持續合作，以確保其多元化的反熔絲非揮發(fā)性?xún)却?anti-fuse NVM)硅智財產(chǎn)品，能夠在我們28奈米制程平臺上提供給客戶(hù)采用?！?/p>

　　Kilopass公司董事長(cháng)暨執行長(cháng)Charlie Cheng表示：「對于Kilopass與聯(lián)華電子進(jìn)行中的策略合作，我們感到非常高興。在聯(lián)華電子28奈米先進(jìn)制程平臺上使用我們非揮發(fā)性?xún)却?NVM) 硅智財產(chǎn)品，為兩家公司創(chuàng )造了雙贏(yíng)。對于聯(lián)華電子來(lái)說(shuō)，將可在其先進(jìn)制程平臺上，為客戶(hù)提供更廣泛的硅智財產(chǎn)品組合;對于Kilopass而言，則可將業(yè)務(wù)范圍拓展到聯(lián)華電子28奈米制程市占率日益提升的行動(dòng)設備與消費性電子系統單芯片之產(chǎn)品市場(chǎng)?！?/p>