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聯(lián)華
聯(lián)華 文章 進(jìn)入聯(lián)華技術(shù)社區
東芝與聯(lián)華制造的Xilinx 65納米Virtex-5 FPGA元件
- Chipworks?公司宣布,已分析Xilinx公司采用65納米制程的XC5VLX50Virtex-5?FPGA兩個(gè)元件樣本。其中一款元件由數位消費市場(chǎng)65納米技術(shù)的領(lǐng)導廠(chǎng)商日本東芝公司制造;而另一款元件則由另一業(yè)界先鋒臺灣聯(lián)華電子制造,亦是Xilinx過(guò)去10多年來(lái)的主要晶圓代工伙伴。Chipworks現已開(kāi)始接受客戶(hù)訂購有關(guān)結構分析報告,?Xilinx/UMC?(SAR-0612-801)?及?Xilinx/Toshiba?(S
- 關(guān)鍵字: Xilinx 單片機 東芝 聯(lián)華 嵌入式系統
聯(lián)華電子與SuVolta 宣布聯(lián)合開(kāi)發(fā)28納米低功耗工藝技術(shù)
- 聯(lián)華電子公司(NYSE: UMC; TWSE: 2303) ("UMC") 與SuVolta公司,日前宣布聯(lián)合開(kāi)發(fā)28納米工藝。該項工藝將SuVolta的Deeply Depleted Channel? (DDC)晶體管技術(shù)集成到聯(lián)華電子的28納米High-K/Metal Gate(HKMG)高效能移動(dòng)(HPM)工藝。SuVolta與聯(lián)華電子正密切合作利用DDC晶體管技術(shù)的優(yōu)勢來(lái)降低泄漏功耗,并提高SRAM的低電壓效能。
- 關(guān)鍵字: 聯(lián)華 28納米 DDC 晶體管
聯(lián)華和Kilopass攜手 進(jìn)行先進(jìn)制程28奈米硅智財合作
- 聯(lián)華電子與半導體邏輯非揮發(fā)性?xún)却?NVM)硅智財領(lǐng)導廠(chǎng)商Kilopass日前共同宣布,雙方已簽署技術(shù)開(kāi)發(fā)協(xié)議,Kilopass非揮發(fā)性?xún)却婀柚秦攲⒂诼?lián)華電子兩個(gè)28奈米先進(jìn)制程平臺上使用,分別為:適用于生產(chǎn)可攜式裝置產(chǎn)品系統單芯片的高介電質(zhì)金屬閘(High-k/Metal Gate) 28HPM;以及受消費性電子產(chǎn)品系統單芯片設計公司青睞的多晶硅(Poly /SiON) 28HLP制程。
- 關(guān)鍵字: 聯(lián)華 Kilopass 28奈米 硅智財
聯(lián)電與星國微電子開(kāi)發(fā)TSV技術(shù)
- 聯(lián)華電子與新加坡科技研究局旗下的微電子研究院今天宣布,將合作進(jìn)行應用在背面照度式CMOS影像感測器的TSV技術(shù)開(kāi)發(fā),透過(guò)這項技術(shù),包括智慧手機、數位相機與個(gè)人平板電腦等行動(dòng)電子產(chǎn)品,里面所采用的數百萬(wàn)像素影像感測器,都可大幅提升產(chǎn)品效能、降低成本、體積減少。 聯(lián)電指出,市場(chǎng)上對于持續縮小像素,又能兼顧效能的需求,日益增強,帶動(dòng)CMOS影像感測技術(shù)興起,而背面照度式技術(shù)則普遍被視為能夠讓微縮到微米級大小的像素,仍保有優(yōu)異效能的解決方案。 聯(lián)電指出,這次專(zhuān)案目標,希望提影像感測器靈敏度,支援更
- 關(guān)鍵字: 聯(lián)華 CMOS 微電子
聯(lián)華電子計劃收購大陸和艦科技
- 據華爾街日報報道,聯(lián)華電子將在4月初召開(kāi)的董事會(huì )上修改該公司將其在中國大陸和艦科技持股比例由15%提高至100%計劃的條款。 該報稱(chēng),依據修改后的計劃條款,聯(lián)華電子將以現金加庫存股的方式收購和艦科技的上述股權;而依據去年通過(guò)的方案,聯(lián)華電子原計劃發(fā)行不超過(guò)11億股新股來(lái)實(shí)施該股權收購計劃。 據悉,和艦科技坐落于蘇州工業(yè)園區,占地1.3平方公里,是一家具有外資參股,制造尖端集成電路的一流晶圓專(zhuān)工企業(yè)。公司擁有尖端的集成電路工藝技術(shù)和杰出的經(jīng)營(yíng)團隊,為客戶(hù)提供全面性及具有競爭力的服務(wù)。
- 關(guān)鍵字: 聯(lián)華 晶圓
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