聯(lián)華電子與ARM擴展28納米硅智財合作
聯(lián)華電子與ARM日前共同宣布,協(xié)議將在聯(lián)華電子28納米高效能低功耗(HLP)制程上,提供ARM Artisan物理IP平臺與POP IP。
本文引用地址:http://dyxdggzs.com/article/215559.htm為了支持各種不同的消費電子產(chǎn)品客戶(hù),諸如智能手機、平板電腦、無(wú)線(xiàn)通信與數字家庭等,聯(lián)華電子與ARM簽署了此份協(xié)議,將提供先進(jìn)制程以及完整的物理IP平臺。
聯(lián)華電子負責硅智財與設計支持的簡(jiǎn)山杰副總表示:「聯(lián)華電子秉持著(zhù)“United for Excellence”追求卓越的精神,與硅智財供貨商密切合作,提供優(yōu)質(zhì)設計支持解決方案給我們的晶圓專(zhuān)工客戶(hù)。聯(lián)華電子28納米的雙制程技術(shù)藍圖,同時(shí)包含了Poly SiON與HKMG技術(shù),就功耗、效能與面積而言,28HLP是業(yè)界最具競爭力的28納米Poly SiON制程技術(shù),完善的設計平臺可協(xié)助我們移動(dòng)與通訊產(chǎn)品客戶(hù),加速其產(chǎn)品上市時(shí)程。此次欣見(jiàn)聯(lián)華電子與ARM擴大了合作范疇,納入高度普及的ARM POP IP核心硬化加速技術(shù),藉此將可進(jìn)一步地強化本公司28HLP平臺?!?/p>
高效節能的ARM Cortex-A7處理器現已廣獲智能手機、平板電腦、數字電視與其他消費電子產(chǎn)品所采用。結合POP IP 所優(yōu)化的Cortex-A7處理器, 在聯(lián)華電子28HLP制程平臺的目標效能可達1.2GHz,已于2013年12月推出。
聯(lián)華電子28HLP制程系優(yōu)化的28納米Poly-SiON技術(shù),可提供面積,速度與漏電流之間最佳的平衡。因而此制程成為各種需兼顧低功耗與高效能應用產(chǎn)品的理想選擇,例如可攜式、無(wú)線(xiàn)局域網(wǎng)絡(luò )及消費性手持產(chǎn)品等。此28HLP制程目前已在客戶(hù)產(chǎn)品試產(chǎn)階段,預計于2014年初開(kāi)始量產(chǎn)。
「透過(guò)與聯(lián)華電子的緊密合作,ARM物理IP與POP IP將可促進(jìn)優(yōu)化的系統單芯片實(shí)作,并簡(jiǎn)化設計流程,使得雙方客戶(hù)能夠快速地實(shí)現芯片產(chǎn)品?!笰RM執行副總兼物理IP部門(mén)總經(jīng)理Dipesh Patel表示,「ARM的標準cell、次世代內存編譯器及POP IP,可完全滿(mǎn)足聯(lián)華電子客戶(hù)對于功能、質(zhì)量與硅驗證上的嚴格要求,同時(shí)也將延續本公司在提供晶圓專(zhuān)工領(lǐng)導者最佳物理IP平臺上的承諾?!?/p>
雙工器相關(guān)文章:雙工器原理
評論