歐司朗紅外線(xiàn)薄膜芯片效率大幅躍進(jìn)至72％

　　歐司朗光電半導的紅外線(xiàn)芯片原型產(chǎn)品創(chuàng )新紀錄，效率最高可達72%。在實(shí)驗室條件下，1 A 操作電流下的輸出約為930 mW，這芯片的光輸出比市面上目前可得的芯片高約25%，這表示，未來(lái)的紅外線(xiàn)LED省電效率將會(huì )更高。

　　這項由雷根斯堡研發(fā)實(shí)驗室得出的成果，創(chuàng )造了新的里程碑。芯片的波長(cháng)為850 nm，以紅外線(xiàn)薄膜芯片技術(shù)制成的1 mm2 芯片，在100 mA 的操作電流下的效率可達72%。這種效率稱(chēng)為功率轉換效率(wall plug efficiency，簡(jiǎn)稱(chēng)WPE)，指的是輻射功率轉換成電輸出功率的效率。

　　外部量子效率(external quantum efficiency，簡(jiǎn)稱(chēng)EQE)，也就是從每個(gè)電子中創(chuàng )造出光子以及從LED芯片發(fā)射出來(lái)的機率，最高可高達67%，在最高1A 操作電流下也高于64%。

　　這個(gè)芯片原型產(chǎn)品的波長(cháng)為850 nm，比較適合紅外線(xiàn)照明，尤其是用于監視以及閉路電視攝影機之用。這也可以用在某些極具潛力的汽車(chē)安全裝置上，例如防碰撞感應器以及夜視系統的照明光源。

　　歐司朗光電半導體雷根斯堡總部的 IRED 開(kāi)發(fā)專(zhuān)案經(jīng)理 Markus Br?ll 指出:“提高效率與亮度的作法，可以從850 nm 轉移到其他的波長(cháng)上去。這代表紅外線(xiàn)照明未來(lái)很可能創(chuàng )造出省電效率更高的解決方案。”不僅如此，在多芯片應用所需要的元件將會(huì )更少，這可以省錢(qián)及節能。預計新的芯片會(huì )在明年初與明年中之間加入系列化產(chǎn)品。