探索TLC閃存壽命：區區1000次擦寫(xiě)循環(huán)

　　三星840系列固態(tài)硬盤(pán)開(kāi)啟了一個(gè)新時(shí)代，TLC NAND閃存首次用于消費級產(chǎn)品。關(guān)于這種閃存的原理、架構技術(shù)，以及三星840的性能、可靠性，我們都已經(jīng)做了比較深入的介紹，今天再來(lái)看看TLC閃存本身的壽命問(wèn)題。

　　遺憾的是，沒(méi)有任何廠(chǎng)商公開(kāi)談?wù)撨^(guò)TLC閃存的可靠程度，只能猜測編程/擦寫(xiě)循環(huán)(P/E)次數大概是1000-1500次(20/25nm MLC大約是3000次)，而且三星不像Intel那樣會(huì )告訴你具體的閃存寫(xiě)入量，再加上寫(xiě)入放大的緣故，根本無(wú)從得知寫(xiě)入了多少數據。

　　不過(guò)還是有個(gè)變通方法：寫(xiě)入隊列深度1的不可壓縮128KB持續數據，分別計算每次測試的損耗均衡計數(WLC，類(lèi)似Intel MWC媒體損耗指示器)。如果知道了平均寫(xiě)入速度和持續時(shí)間，就可以大致算出寫(xiě)入了多少數據。另一方面，大尺寸數據是連續寫(xiě)入的，不存在碎片，所以寫(xiě)入放大系數非常接近1x。

　　使用一塊三星840 250GB進(jìn)行測試，結果如下：

　　- 數據寫(xiě)入總量：92623GB

　　- WLC消耗量：34

　　- 估算P/E總數：1064次

　　- 估算可寫(xiě)入總量：272420GB

　　也就是說(shuō)，TLC NAND閃存的確只有大約1000次編程/擦寫(xiě)循環(huán)，250GB的終生數據寫(xiě)入量也就在270TB左右。

　　當然了，WLC走到零之后，三星840依然有機會(huì )繼續服役，最多再堅持個(gè)20-30%的時(shí)間，不過(guò)前提是它得和Intel MWI差不多。

　　1000次的編程/擦寫(xiě)循環(huán)確實(shí)很可憐，但對于普通用戶(hù)來(lái)說(shuō)也沒(méi)有那么可怕。一般人平均每天的寫(xiě)入量很少能超過(guò)10GB，那么我們就假設是10GB，寫(xiě)入放大系數則假定為3，那么對于128GB、256GB MLC固態(tài)硬盤(pán)來(lái)說(shuō)，總的壽命大約為35.0年、70.1年，同樣容量的TLC硬盤(pán)則是11.7年、23.4年。

　　即便是每天30GB，256GB TLC硬盤(pán)也能支撐7.8年，夠用不?

　　另外，所有的S.M.A.R.T.屬性都是趨于保守的，因此即便WMI、WLC都走到了零，你的硬盤(pán)也不會(huì )立刻死去，比如著(zhù)名玩家論壇XtremeSystem里有一塊三星830 256GB，已經(jīng)累計寫(xiě)入了接近6000TB，而WLC早在828TB的時(shí)候就變成零了，實(shí)際壽命達到了理論值的七倍多!