美光3D內存封裝標準“3DS” 或成DDR4基石

　　美光科技今天表示，正在與標準化組織JEDEC合作，爭取制定3D內存堆疊封裝技術(shù)的標準化，并且有可能成為下一代DDR4內存的基本制造技術(shù)。美光將此標準提案稱(chēng)為“3DS”，也即“三維堆疊”(three-dimensional stacking)。

　　美光計劃使用特殊設計的主從DRAM芯片(die)，其中只有主die才與外界內存控制器發(fā)生聯(lián)系，從die只是輔助芯片，同時(shí)還會(huì )用上優(yōu)化的DRAM die、每堆棧單個(gè)DLL、減少主動(dòng)邏輯電路、共享的單個(gè)外部I/O、改進(jìn)時(shí)序、降低外部負載等等，最終目的是一方面改善內存的時(shí)序、總線(xiàn)速度、信號完整性，另一方面降低內存子系統的功耗和系統壓力。

　　美光還特意展示了當前內存技術(shù)在不同rank之間讀取時(shí)候的時(shí)序局限。由于系統限制，會(huì )在數據總線(xiàn)上出現一個(gè)周期的滯后，進(jìn)而影響整體系統帶寬。美光宣稱(chēng)3DS技術(shù)可以消除這些局限，特別是可以從不同rank那里接受讀取指令，從而“改進(jìn)數據總線(xiàn)利用率和帶寬”。

　　在此之前，美光已經(jīng)利用IBM 32nm HKMG工藝量產(chǎn)3D TSV硅穿孔內存芯片。