20nm最強制程 三星造出8Gb相變內存顆粒

　　來(lái)自SemiAccurate網(wǎng)站的消息稱(chēng)，三星已經(jīng)研發(fā)并制造出容量達到8Gb的相變內存顆粒，采用移動(dòng)設備中常用的LPDDR2界面，此前制造的1Gb相變內存顆粒樣品容量一般只有1Gb，是它的1/8。

　　新的內存顆粒最大的亮點(diǎn)是采用目前存儲芯片最先進(jìn)的20nm制程工藝打造，幾乎達到了包括相變內存在內的所有DDR內存以及NAND閃存的極限。

　　相變內存結合了DDR與NAND閃存的特點(diǎn)，具有斷電不掉數據，耐久性好，速度快等優(yōu)點(diǎn);根據內存制造材料的每個(gè)晶胞在晶態(tài)/非晶態(tài)之間來(lái)回轉換來(lái)存儲數據。

　　預計三星將在明年2月在美國舊金山召開(kāi)的ISSCC會(huì )議上公布這種新內存的具體細節。