臺積電計劃2012年Q3開(kāi)始試產(chǎn)22nm HP制程芯片

　　據臺積電公司負責開(kāi)發(fā)的高級副總裁蔣尚義透露，他們計劃于2012年第三季度開(kāi)始試產(chǎn)22nm HP(高性能)制程的芯片產(chǎn)品，并將于2013年第一季度開(kāi)始試產(chǎn)22nm LP(低功耗)制程的芯片產(chǎn)品。蔣尚義是在日前于日本橫濱召開(kāi)的一次半導體產(chǎn)業(yè)論壇會(huì )議上透露這些信息的。

　　會(huì )上蔣尚義還透露了臺積電28nm制程推進(jìn)計劃的細節，據他表示，臺積電將于今年6月底前開(kāi)始試產(chǎn)28nm低功耗制程(LP)產(chǎn)品，基于這種制程產(chǎn)品將采用SiON+多晶硅材料制作管子的柵極絕緣層和柵極;隨后的9月份臺積電計劃啟動(dòng)首款基于HKMG柵極結構的28nm制程--28HP的試產(chǎn);最后，今年12月份晚些時(shí)候他們會(huì )開(kāi)始第二款基于HKMG柵極結構的28nm制程(28HPL)的試產(chǎn)。

　　另外，蔣尚義還表示目前臺積電已經(jīng)從Altera，富士通，高通以及信力公司那里接到了28nm芯片的代工訂單。

　　至于40nm制程部分，臺積電表示其生產(chǎn)的40nm制程產(chǎn)品在市場(chǎng)上的份額已經(jīng)達到80%強。盡管去年中期曾出現過(guò)良率不佳的問(wèn)題，但經(jīng)過(guò)兩個(gè)季度的改進(jìn)和完善之后，其40nm制程工藝的缺陷密度(Defect Density：一種質(zhì)量特征，用每層和每平方厘米晶片上的缺陷數表示。)已經(jīng)由原來(lái)的0.3-0.4降至0.1-.0.3左右。

　　臺積電的銷(xiāo)售所得分布方面，蔣尚義表示，到今年年底，臺積電的40nm制程業(yè)務(wù)方面所得的營(yíng)收額將占到公司總營(yíng)收額的20%左右，而去年年底這個(gè)比例則只有4%左右。

　　目前臺積電40nm制程芯片的季度產(chǎn)能約為8萬(wàn)片12英寸晶圓，蔣尚義并表示到今年年底，有關(guān)的產(chǎn)能將實(shí)現倍增。目前臺積電只有Fab12一間工廠(chǎng)能夠制作40nm制程芯片，不過(guò)臺積電計劃讓Fab14工廠(chǎng)也具備40nm制程芯片的制造能力，以滿(mǎn)足增加40nm芯片產(chǎn)能的需要。