宏力與力旺擴大合作開(kāi)發(fā)多元解決方案與先進(jìn)工藝

　　晶圓制造服務(wù)公司宏力半導體與嵌入式非揮發(fā)性存儲器(embedded non-volatile memory, eNVM)廠(chǎng)商力旺電子共同宣布，雙方透過(guò)共享資源設計平臺，進(jìn)一步擴大合作范圍，開(kāi)發(fā)多元嵌入式非揮發(fā)性存儲器解決方案。力旺電子獨特開(kāi)發(fā)的單次可編程O(píng)TP (NeoBit)，與多次可編程MTP (NeoFlash/NeoEE) 等eNVM技術(shù)，將全面導入宏力半導體的工藝平臺，宏力半導體并將投入OTP與MTP知識產(chǎn)權(Intellectual Patent, IP)的設計服務(wù)，以提供客戶(hù)全方位的嵌入式非揮發(fā)性存儲器解決方案，將可藉由低成本、高效能的優(yōu)勢，服務(wù)微控制器(MCU)與消費性電子客戶(hù)，共同開(kāi)發(fā)全球市場(chǎng)。

　　宏力半導體與力旺電子自2005年起即于OTP工藝平臺展開(kāi)合作，近期雙方成功推出的0.18微米3.3V/5V低成本、高效能OTP工藝平臺已有數十項產(chǎn)品相繼投入量產(chǎn)。此次擴展合作范圍，除包括原有的OTP工藝平臺，更擴大倒入至MTP領(lǐng)域，預計將能以更完整的嵌入式非揮發(fā)性存儲器工藝平臺，強化技術(shù)服務(wù)支援廣度，滿(mǎn)足更多不同客戶(hù)需求。

　　宏力半導體企業(yè)發(fā)展與戰略暨法務(wù)單位副總裁傅城博士表示：“結合力旺電子卓越的技術(shù)與服務(wù)支援能力，宏力半導體將能提供客戶(hù)極具競爭優(yōu)勢的低成本嵌入式非揮發(fā)性存儲器工藝平臺，包括OTP與MTP技術(shù)，相信能為客戶(hù)進(jìn)一步降低制造與研發(fā)成本，加速產(chǎn)品上市時(shí)間。展望未來(lái)，宏力半導體將持續發(fā)展高附加價(jià)值的差異化工藝，協(xié)助客戶(hù)在微控制器與消費性電子市場(chǎng)中掌握制勝先機。”

　　力旺電子總經(jīng)理沈士杰博士表示：“力旺電子非常榮幸能與宏力半導體展開(kāi)更深入的合作，使力旺電子的單次可編程O(píng)TP (NeoBit)，與多次可編程MTP (NeoFlash/NeoEE) 等eNVM技術(shù)，能夠全方位導入宏力半導體的各項工藝平臺，再加上宏力半導體在NVM IP設計服務(wù)工作的投入，為客戶(hù)帶來(lái)更具競爭性的嵌入式非揮發(fā)性存儲器解決方案，未來(lái)雙方也將持續緊密合作，以提供市場(chǎng)更具成本效益且性能卓越的嵌入式非揮發(fā)性存儲器平臺。”

　　目前宏力半導體與力旺電子合作的0.18微米邏輯與高壓OTP工藝平臺已完成建置，并已進(jìn)入量產(chǎn)階段多年;0.13微米OTP工藝平臺預計于2011年底通過(guò)可靠性驗證;0.18微米的MTP工藝平臺則預計于2012年Q1通過(guò)可靠性驗證，屆時(shí)可提供更加豐富的嵌入式非揮發(fā)性存儲器IP組合，進(jìn)而使應用產(chǎn)品端客戶(hù)進(jìn)一步受惠。