好事多磨 臺積電28nm技術(shù)再次推遲

　　臺積電作為全球最大的集成電路制造公司，其工藝進(jìn)展情況關(guān)系到無(wú)數半導體企業(yè)的產(chǎn)品發(fā)布時(shí)間和計劃。但前段時(shí)間，臺積電兩位高管發(fā)表的聲明，備受關(guān)注的28nm工藝再次推遲。

　　臺積電CEO兼董事會(huì )主席張忠謀近日表示：“我們已經(jīng)使用28nm工藝完成了89件不同產(chǎn)品的流片，每一個(gè)都按期實(shí)現。每次流片的首批硅片都擁有完整的功能，良品率也令人滿(mǎn)意……不過(guò)因為2011年的經(jīng)濟形勢和市場(chǎng)需求前景軟化，28nm的投產(chǎn)所需時(shí)間比預期得更長(cháng)。”

　　臺積電CFO、高級副總裁何麗梅的說(shuō)法也很相似：“28nm的推遲并非是因為質(zhì)量問(wèn)題，流片情況良好。推遲主要是因為我們的客戶(hù)經(jīng)濟軟化，并非在計劃之中。28nm工藝今年第四季度在晶圓總收入中貢獻的比例大約為1%。”

　　據了解，臺積電一共開(kāi)發(fā)了四種不同用途的28nm工藝，CLN28HPHKMG面向高性能產(chǎn)品、CLN28HPMHKMG面向移動(dòng)計算產(chǎn)品、CLN28HPLHKMG面向低漏電率低功耗產(chǎn)品、CLN28LPSION面向低成本產(chǎn)品。其中前三項技術(shù)將采用High-k金屬柵極技術(shù)，這項技術(shù)將有利于減少晶體管的漏電現象，降低芯片產(chǎn)品的功耗和發(fā)熱并有助于提升頻率。而代號為CLN28LPSION的低端產(chǎn)品則仍將采用傳統的氮氧化硅(SiON)電介質(zhì)+多晶硅柵極進(jìn)行制造，使之制造成本更加低廉。

　　雖然兩位高管均表示28nm技術(shù)良率令人滿(mǎn)意，但這一技術(shù)的一再推遲還是另眾多廠(chǎng)商如坐針氈。去年，由于40nm工藝的良率一直不能令人滿(mǎn)意，很多芯片廠(chǎng)商的毛利率和產(chǎn)品發(fā)布都受到了不同程度的影響，但愿這一情況不會(huì )在28nm工藝上重演，這對于參與流片的89個(gè)芯片產(chǎn)品以及持觀(guān)望態(tài)度的其他廠(chǎng)家來(lái)說(shuō)非常重要。