富士通導入0.18微米FRAM生產(chǎn)技術(shù)

　　富士通半導體發(fā)展新一代內存技術(shù)鐵電隨機內存(Ferroelectric Random Access Memory;FRAM)技術(shù)已久，日前正式以0.18微米制程生產(chǎn)SPI FRAM產(chǎn)品，包括MB85RS256A、MB85RS128A和MB85RS64A系列，容量分別為256Kb、128Kb和64Kb等，目前已開(kāi)始提供客戶(hù)樣品。

　　鐵電隨機內存的材料，是鈣鈦礦類(lèi)型結構(ABO3)的PZT，在施加和排除外電場(chǎng)后，PZT的電極化仍然存在，有非易失性的特質(zhì)，在數據存儲上所消耗的電量非常小，富士通半導體在1998年就將鐵電隨機內存結合到微電腦中，是發(fā)展鐵電隨機內存的先驅之一。

　　鐵電隨機內存屬于非易失性，但在其他各方面則類(lèi)似于隨機內存，如閃存和電可擦除只讀存儲器(EEPROM)等，鐵電隨機內存的特點(diǎn)是寫(xiě)入速度更快，擦寫(xiě)次數更快，且同時(shí)具有低耗電特性；以讀寫(xiě)速度來(lái)看，鐵電隨機內存比EEPROM讀寫(xiě)速度快3萬(wàn)倍、擦寫(xiě)次數高出10萬(wàn)倍、耗電少200倍。

　　富士通半導體指出，鐵電隨機內存技術(shù)將SRAM的快速讀寫(xiě)和非揮發(fā)性閃存等特性，都整合至1顆芯片，日前已開(kāi)始用0.18微米制程生產(chǎn)SPI FRAM產(chǎn)品家族，包括MB85RS256A、 MB85RS128A和MB85RS64A等3款系列，提供的內存容量分別為256Kb、128Kb和64Kb等，目前開(kāi)始提供客戶(hù)樣品。

　　富士通進(jìn)一步指出，這3款芯片的工作電壓范圍介于3.0~3.6V之間，可承受的讀寫(xiě)次數達100億次，并能將資料保存在55°環(huán)境下長(cháng)達10年，其工作頻率已提高至最大25MHz。

　　再者，因為鐵電隨機內存產(chǎn)品在寫(xiě)入的處理過(guò)程中，不需要電壓增壓器，很適合低功率應用，且因為具有標準內存針腳配置的8針腳塑料SOP封裝，因此和EEPROM芯片兼容。

　　富士通表示，這款鐵電隨機內存獨立芯片可用于測量、工廠(chǎng)自動(dòng)化應用和眾多需要數據擷取、高速寫(xiě)入和高耐用性等功能的相關(guān)產(chǎn)業(yè)，未來(lái)富士通會(huì )進(jìn)一步擴充鐵電隨機內存的產(chǎn)品線(xiàn)陣容，并以開(kāi)發(fā)制造經(jīng)驗用于整合芯片設計和生產(chǎn)上，緊密互相配合。