IC設計公司熱衷28nm工藝

　　臺灣代工巨頭臺積電首席執行官表示，芯片設計廠(chǎng)商對28nm工藝產(chǎn)品的熱情度極高，比40nm工藝準備期同階段產(chǎn)品數量多三倍以上。

　　“智能手機和平板電腦是新的殺手級應用，”臺積電歐洲區總裁MariaMarced說(shuō)，“我們預見(jiàn)到28nm設計的爆發(fā)。我們流水線(xiàn)上已經(jīng)擁有89種產(chǎn)品定案(tape-out，準備流片的方案)。”Marced補充說(shuō)。她表示臺積電目前擁有世界上90%的28nm產(chǎn)品預案。

　　同時(shí)該公司28nm硅已經(jīng)對部分客戶(hù)出貨，Marced說(shuō)。“移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)要求在同等性能情況下功耗要低得多。”臺積電將同時(shí)提供高K金屬柵級(HKMG)和傳統多晶硅工藝，而20nm產(chǎn)品預計在2012年下半年投產(chǎn)。

　　然而，臺積電不準備部署據說(shuō)是移動(dòng)設備的福音的FinFET技術(shù)，至少14nm節點(diǎn)之前不會(huì )。這一策略與英特爾不同，英特爾最近發(fā)布了名為三柵極技術(shù)的FinFET器件的應用，使用該公司的1270工藝制程(即22nm工藝)。目前1270工藝準備下半年于英特爾亞利桑那州的F32工廠(chǎng)量產(chǎn)(參閱電子工程專(zhuān)輯報道：英特爾提前量產(chǎn)3D晶體管，進(jìn)入22nm時(shí)代)。

　　這使得英特爾在工藝尺寸方面比臺積電領(lǐng)先了一年左右，并在FinFET器件的應用方面領(lǐng)先更多。據報道FinFET器件在這些精微尺寸上與平面晶體管相比功耗表現更好。

　　Marced表示，由于英特爾是一家垂直集成化的企業(yè)，控制了從設計到制造到測試的各個(gè)環(huán)節，需要引入到FinFET器件的制造和測試技術(shù)都能比臺積電更快實(shí)現。“而臺積電是一家代工企業(yè)，由客戶(hù)提供產(chǎn)品設計，因此需要為FinFET器件準備好生態(tài)系統，這意味著(zhù)包括設計工具，IP，設計套件等。對于我們，20nm仍將是平面技術(shù)。”

　　Marced認為臺積電2011年代工部門(mén)增長(cháng)速度將超過(guò)整體代工產(chǎn)業(yè)的原因之一，是殺手級應用智能手機和平板電腦的爆發(fā)性增長(cháng)。臺積電的目標是2011年營(yíng)收增長(cháng)20%，而預計整體產(chǎn)業(yè)增長(cháng)為15%。同時(shí)該公司估計整體半導體市場(chǎng)將僅僅增長(cháng)2%。