Finfet+平面型架構混合體：傳Intel近期將公布22nm節點(diǎn)制程工藝細節

　　據消息來(lái)源透露，Intel公司近期可能會(huì )公開(kāi)其22nm制程工藝的部分技術(shù)細節，據稱(chēng)Intel的22nm制程工藝的SRAM部分將采用FinFET垂 直型晶體管結構，而邏輯電路部分則仍采用傳統的平面型晶體管結構。消息來(lái)源還稱(chēng)Intel“很快就會(huì )”對外公開(kāi)展示一款基于這種22nm制程的處理器實(shí) 物。不過(guò)記者詢(xún)問(wèn)Intel發(fā)言人后得到的答復則是:"我們不會(huì )對流言或猜測進(jìn)行評論。"

　　盡管早在2009年Intel高管Mark Bohr便曾公開(kāi)過(guò)其22nm制程SRAM的部分細節和實(shí)物，不過(guò)按Intel發(fā)言人的話(huà)說(shuō)：“我們目前為止一直對22nm制程技術(shù)的技術(shù)細節守口如瓶。”過(guò)去幾個(gè)月以來(lái)，外界普遍猜測Intel近期會(huì )公布其22nm制程的有關(guān)技術(shù)細節和產(chǎn)品實(shí)物，而且Intel的發(fā)言人也沒(méi)有否認這種說(shuō)法。

　　據消息來(lái)源稱(chēng)，Intel這種Finfet/平面型晶體管結構混合的方法可令SRAM部分的晶體管密度更高，且更易于對Vmin值進(jìn)行控制，與此同時(shí)，相對較復雜的邏輯電路部分采用平面型晶體管結構則可降低工藝的復雜性。多年來(lái)，出于商業(yè)宣傳的目的，Intel一直將自己所使用的垂直型晶體管技術(shù)稱(chēng)為“三柵( TriGate)架構”，不過(guò)三柵晶體管與Finfet并不存在本質(zhì)的區別，均是通過(guò)采用溝道被多個(gè)柵極圍繞的設計來(lái)增強對溝道的控制。

　　假如這則消息屬實(shí)的話(huà)，那么5年之后Intel在制程技術(shù)方面無(wú)疑又站到了業(yè)界的最前列。5年前的2007年1月份，Intel宣布在45nm制程產(chǎn)品中集成HKMG工藝，并同時(shí)推出了基于這種技術(shù)的多款處理器樣品。

　　去年舉辦的IEDM大會(huì )上，Intel沒(méi)有發(fā)表任何有關(guān)的重要文件，此舉引發(fā)外界的廣泛猜疑，許多人均認為此舉表明Intel很快就會(huì )推出自己的三柵技術(shù)。

　　假如消息為真，那么Intel在應用Finfet垂直型晶體管技術(shù)方面顯然又一次領(lǐng)先了對手，此舉無(wú)疑將對其它芯片制造公司制造一定的壓力，有可能會(huì )促成這些公司對自己的20nm/14nm技術(shù)發(fā)展路線(xiàn)圖進(jìn)行一些修改。預計一些公司未來(lái)將使用Finfet技術(shù)，比如臺積電便是Finfet工藝的倡導者之一。而另外一些公司如意法半導體等則明確表示將在14nm制程節點(diǎn)啟用平面型的全耗盡型SOI技術(shù)(FDSOI)

　　去年6月份，臺積電高級副總裁蔣尚義宣布公司將于14nm制程節點(diǎn)轉向使用Finfet技術(shù)，并對有關(guān)的設計工具，技術(shù)體系等進(jìn)行重新設計。有消息來(lái)源表示臺積電若想如期在14nm制程轉向Finfet技術(shù)，需要作為其客戶(hù)的芯片設計廠(chǎng)商從現在起就開(kāi)始變更芯片設計方法，這樣屆時(shí)其產(chǎn)品才能用上14nm制程的Finfet技術(shù)來(lái)制作。因此這位消息來(lái)源認為臺積電在14nm制程應用的初期會(huì )首先推出一款基于平面型體硅制程的工藝，然后才推出基于Finfet技術(shù)的高性能制程。

　　IBM方面則表現得有點(diǎn)“腳踩兩只船”，他們在往屆大會(huì )上發(fā)布的文章既有涉及Finfet，也有涉及FDSOI工藝。而GlobalFoundries則在其舉辦的2010年的一項會(huì )展儀式上明確表示22/20nm制程節點(diǎn)會(huì )繼續使用平面型晶體管技術(shù)，不過(guò)HKMG制造工藝方面則會(huì )從現用的Gate-first改為Gate-last，他們還將繼續同時(shí)提供基于體硅和SOI兩種制程的產(chǎn)品。不過(guò)GlobalFoundries目前為止并未透露其14nm制程節點(diǎn)的有關(guān)動(dòng)向。

　　2009年，Intel曾展示了基于22nm制程的SRAM試制產(chǎn)品，當時(shí)他們宣稱(chēng)其22nmSRAM包含有3.64億個(gè)記憶單元，并稱(chēng)其SRAM單元晶體管采用了兩種不同的尺寸設計，一種為0.108x0.108平方微米結構，另外一種則為0.092x0.092平方微米結構，前面一種結構的單元晶體管據稱(chēng)專(zhuān)為低電壓條件下的操作優(yōu)化，而后面一種結構的晶體管則專(zhuān)為提高晶體管密度而優(yōu)化，Intel并稱(chēng)這塊試制芯片內含29億個(gè)晶體管。