三星TSV應用DRAM模塊首次實(shí)現商用化

　　據南韓電子新聞報導，三星電子(Samsung Electronics)應用可大幅提升內存容量的3D-TSV(Through Silicon Via)技術(shù)開(kāi)發(fā)出8GB DDR3 DRAM模塊。三星以3D-TSV技術(shù)在40奈米2Gb DDR3 DRAM上搭載2顆集積芯片，制作成8GB DDR3 RDIMM(Registered Dual Inline Memory)產(chǎn)品，10月時(shí)已裝設在客戶(hù)商服務(wù)器上，完成產(chǎn)品測試。

　　之前雖有應用3D-TSV技術(shù)成功開(kāi)發(fā)出產(chǎn)品的案例，但這是首次開(kāi)發(fā)出真正能商用化的產(chǎn)品。3D-TSV技術(shù)是將數十微米厚的硅晶圓(Silicon Wafer)直接在薄芯片上穿洞，同樣的芯片以垂直方式集積穿透，是相當尖端的封裝技法。

　　集積2顆2Gb DRAM時(shí)容量增加至4Gb，若集積4顆，則容量為8Gb。一般為擴充內存容量，皆采用制程微細化方式增加單項產(chǎn)品容量，近來(lái)該技術(shù)面臨瓶頸，因此內存業(yè)者正嘗試運用TSV技術(shù)增加容量。

　　TSV以線(xiàn)路連接層迭的芯片，相較于以前使用電子封線(xiàn)(Wire Bonding)方式制作的產(chǎn)品速度較快且減小芯片厚度及耗電量。此外，新產(chǎn)品可呈現較舊產(chǎn)品多2~4倍大容量，搭載在服務(wù)器的內存容量增加，服務(wù)器系統的功能至少可提升50%以上。

　　將2Gb芯片以電子封線(xiàn)方式層積的大容量RDIMM產(chǎn)品在服務(wù)器中以800Mps速度運作，運用3D-TSC方式層積的大容量RDIMM反應速度提升近70%，達1,333Mbps。

　　三星2011年后將會(huì )在4Gb以上大容量DDR3 DRAM產(chǎn)品采用3D-TSV技術(shù)，以因應32GB以上大容量服務(wù)器用內存產(chǎn)品需求。

　　三星半導體事業(yè)部?jì)却嫔唐菲髣潓?zhuān)務(wù)金昌鉉表示，2008年開(kāi)發(fā)出3D-TSV層積芯片，這次將開(kāi)發(fā)服務(wù)器用內存模塊，提供客戶(hù)最佳性能的親環(huán)境服務(wù)器。未來(lái)也將以3D-TSV技術(shù)為基礎，持續推出大容量?jì)却娼鉀Q方案，主導能牽引高性能服務(wù)器市場(chǎng)成長(cháng)的親環(huán)境內存市場(chǎng)。