華虹NEC隆重亮相2010 IC設計年會(huì )

　　“2010中國半導體行業(yè)協(xié)會(huì )集成電路設計分會(huì )年會(huì )暨物聯(lián)網(wǎng)與IC設計高峰論壇”于2010年12月1～3日在無(wú)錫召開(kāi)。本次年會(huì )的主題是“加大產(chǎn)業(yè)整合，培育國產(chǎn)品牌，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)更好更快發(fā)展”。

　　世界領(lǐng)先的純晶圓代工廠(chǎng)之一，上海華虹NEC電子有限公司(“華虹NEC”)派出了由市場(chǎng)部、銷(xiāo)售部、設計服務(wù)部和技術(shù)研發(fā)部組成的強大陣容出席此次盛會(huì )。華虹NEC在會(huì )場(chǎng)設置展區，展示了一年來(lái)的最新技術(shù)成果，包括多種新型BCD、0.13/0.18微米SiGe等工藝平臺。這些新的工藝平臺將為L(cháng)ED照明、電源/電池管理以及無(wú)線(xiàn)射頻、物聯(lián)網(wǎng)等新興應用提供最佳代工解決方案。

　　華虹NEC技術(shù)研發(fā)部高級專(zhuān)家錢(qián)文生博士在“Foundry與工藝技術(shù)”的專(zhuān)題論壇上做了題為“在物聯(lián)網(wǎng)中大有作為的鍺硅BiCMOS技術(shù)”的精彩演講，博得了與會(huì )者的一致認可和好評。他介紹說(shuō)，國家加快推進(jìn)七大戰略性新興產(chǎn)業(yè)，這將給集成電路和物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)帶來(lái)巨大的發(fā)展機遇。目前公司正大力研發(fā)國際先進(jìn)的0.13微米SiGe BiCMOS技術(shù)，并已取得重要階段性成果。今后將繼續開(kāi)發(fā)性?xún)r(jià)比更高的射頻工藝技術(shù)平臺，為進(jìn)一步做大做強我國物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)做出更大貢獻。

　　公司銷(xiāo)售與市場(chǎng)副總裁高峰先生說(shuō)：“IC設計年會(huì )為業(yè)界提供了一個(gè)很好的平臺，也讓我們與眾多國內外同仁就最新技術(shù)進(jìn)展、市場(chǎng)發(fā)展趨勢以及業(yè)務(wù)合作前景進(jìn)行了充分探討和交流。華虹NEC將繼續專(zhuān)注嵌入式非揮發(fā)性存儲器、模擬/電源管理芯片、高壓、射頻以及功率器件等五大特色工藝平臺，一如既往地支持國內設計產(chǎn)業(yè)發(fā)展，聚焦巨大的內需與新興應用市場(chǎng)，實(shí)現設計與代工企業(yè)的共贏(yíng)。”