挑戰臺積電　全球晶圓首度公布20納米技術(shù)藍圖

　　全球晶圓(Global Foundries)于美東時(shí)間1日舉行成軍以來(lái)首屆全球技術(shù)論壇，會(huì )中展示28納米類(lèi)比/混合訊號(AMS)生產(chǎn)設計流程開(kāi)發(fā)套件，并推出新的28納米HPP(High Perfoarmance Plus)技術(shù)，預計于第4季正式向客戶(hù)推出，另外也首度揭示22/20納米制程技術(shù)藍圖與時(shí)間進(jìn)程，預計2013年正式進(jìn)入量產(chǎn)。與會(huì )人士指出，全球晶圓在技術(shù)上進(jìn)逼至20納米，時(shí)程上亦與臺積電甚為相近，與臺積電在先進(jìn)制程較勁意味濃厚。

　　為因應快速成長(cháng)的智能型移動(dòng)裝置市場(chǎng)，全球晶圓在原本的28納米HP(High Performance)、28納米SLP(Super Low Power)制程外，再推出28納米HPP(High Perfoarmance Plus)。全球晶圓指出，28納米HPP制程預計于2011年第4季進(jìn)入風(fēng)險試產(chǎn)，該制程的產(chǎn)品效能將較目前28納米HP制程高出10%。

　　相較于臺積電采用Gate-Last技術(shù)，全球晶圓的28納米制程主要采Gate-First技術(shù)，全球晶圓指出，目前28納米制程已有多家客戶(hù)通過(guò)矽晶驗證。

　　在技術(shù)論壇中，全球晶圓也公布28納米類(lèi)比/混合訊號(AMS)生產(chǎn)設計流程開(kāi)發(fā)套件。全球晶圓已經(jīng)和Cadence達成合作，在2010的第3季共同推出AMS生產(chǎn)設計流程的主要元素，至于完整的生產(chǎn)級AMS流程預計在2010年第4季向客戶(hù)推出，芯片驗證則計畫(huà)在2011年初。

　　全球晶圓成軍以來(lái)，首度舉辦全球技術(shù)論壇，因此也備受外界矚目，尤其在先進(jìn)制程上的進(jìn)展，更是焦點(diǎn)之一。不過(guò)與會(huì )人士指出，本次全球晶圓技術(shù)論壇并沒(méi)有太大的驚喜，關(guān)于產(chǎn)能與技術(shù)藍圖與6月時(shí)在臺灣記者會(huì )中公布的相去不遠，顯示該公司照計畫(huà)運行順利，然而特別的一點(diǎn)是，20納米首次加入全球晶圓的技術(shù)藍圖之中，而在28納米與22/20納米量產(chǎn)的時(shí)間點(diǎn)，都與臺積電近乎雷同，顯示兩家公司在先進(jìn)制程上競爭激烈。

　　據了解，臺積電最快將于年底前量產(chǎn)28納米制程，除HP與LP制程外，亦有與賽靈思(Xilinx)合作開(kāi)發(fā)的HPL(High Performance Low Power)制程。

　　全球晶圓指出，22/20納米將會(huì )于2012年下半進(jìn)行試產(chǎn)，并于2013年正式進(jìn)入量產(chǎn)。其中，20納米制程將會(huì )提供HP(High Performance)與SLP(Super Low Power)兩種制程，其中HP制程主要應用于有線(xiàn)裝置，SLP制程則要用于移動(dòng)式裝置應用。

　　在次世代微影技術(shù)方面，相較于臺積電在深紫外光(EUV)與多重電子束兩路并進(jìn)，全球晶圓壓寶EUV陣營(yíng)，預計首臺EUV機臺將于2012年下半進(jìn)廠(chǎng)，并于2014~2015年間量產(chǎn)。