全球晶圓攜手飛思卡爾研發(fā)90納米快閃存儲器技術(shù)

　　全球晶圓(Global Foundries)除了在28納米制程上，宣布以28納米高介電金屬閘極(HKMG)技術(shù)，試產(chǎn)出全球首顆安謀(ARM)Cortex-A9架構的芯片外，同時(shí)也宣布與飛思卡爾(Freescale)合作研發(fā)90納米快閃存儲器技術(shù)，進(jìn)一步強化合作關(guān)系。

　　全球晶圓與ARM在2009年第3季宣布策略合作計畫(huà)，就是看好未來(lái)廣大的行動(dòng)運算市場(chǎng)。而就在全球晶圓與ARM攜手后，臺積電也于2010年宣布與ARM，合作開(kāi)發(fā)28納米及20納米制程嵌入式存儲器及標準元件庫在內的實(shí)體智財產(chǎn)品。

　　因此，全球晶圓大動(dòng)作公布采用28納米制程產(chǎn)出首顆ARM Cortex-A9芯片，亦被業(yè)界認為宣示意味濃厚，全球晶圓進(jìn)一步指出，該芯片于德國德勒斯登Fab1進(jìn)行試產(chǎn)，預計于2010年底前進(jìn)行量產(chǎn)。

　　根據全球晶圓與ARM的估計，相較于40納米制程，28納米制程可望提升40%的效能、同時(shí)降低30%的功耗，并提升100%的待機電池續航力。

　　ARM執行副總裁Simon Segars表示，隨著(zhù)半導體推進(jìn)先進(jìn)制程，設計與制造端的合作將會(huì )更為緊密，透過(guò)ARM的矽智材與全球晶圓經(jīng)驗證的量產(chǎn)能力，將會(huì )對行動(dòng)運算領(lǐng)域帶來(lái)創(chuàng )新的平臺，并且將使客戶(hù)更快速進(jìn)入28納米HKMG的技術(shù)領(lǐng)域。

　　同時(shí)，全球晶圓也公布和飛思卡爾一系列基于90納米快閃存儲器技術(shù)的新薄膜存儲器(TFS)計畫(huà)，飛思卡爾計畫(huà)將該技術(shù)應用于新一代的的微控制器(MCU)上，可針對從消費電子產(chǎn)品和家用電器到醫療設備和智能計量系統的各種應用。

　　全球晶圓指出，90納米薄膜存儲器技術(shù)與其它傳統的NVM架構不同，采用1種創(chuàng )新型矽納米晶體技術(shù)，具有位元級的可靠性、速度、功率和尺寸。

　　根據雙方的合作細節，飛思卡爾的TFS技術(shù)具有FlexMemory功能，可配置電可程序設計存儲器(EEPROM)，將應用于飛思卡爾ColdFire和Kinetis系列32位元MCU產(chǎn)品。該系列產(chǎn)品將采用全球晶圓的90納米技術(shù)制造。早期測試芯片已經(jīng)在全球晶圓位于新加坡的Fab7進(jìn)行生產(chǎn)，預計技術(shù)認證將于2011年上半年完成。

　　隨著(zhù)摩爾定律延伸，技術(shù)層次越高，如同臺積電發(fā)展More-than-Moore技術(shù)，全球晶圓也寄望切入微機電(MEMS)、類(lèi)比技術(shù)等領(lǐng)域，拓展多樣性的市場(chǎng)機會(huì )。