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20納米
20納米 文章 進(jìn)入20納米技術(shù)社區
20納米制程難轉換 DRAM次級品流竄市場(chǎng)
- DRAM芯片轉進(jìn)20納米制程難度高，市場(chǎng)供需失衡蔓延到各個(gè)應用領(lǐng)域。三星官網(wǎng)全球DRAM產(chǎn)業(yè)進(jìn)入20納米制程世代后，進(jìn)入門(mén)檻非常高。一方面是設備投資變大，需求的機臺設備多很多，甚至讓DRAM廠(chǎng)加蓋無(wú)塵室來(lái)放擺放機臺設備，否則導致產(chǎn)出數量大幅減少。而20納米制程的另一個(gè)高門(mén)檻就是生產(chǎn)難度大增，DRAM市場(chǎng)價(jià)格無(wú)法反彈，這些次級品(downgrade)的貨源大幅流竄是一大兇手。 市場(chǎng)終端需求不好，蘋(píng)果(Apple)下半年推出的新一代iPhone內建存儲器容量從1G升級到2G，其他新機容量甚至提升到4
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SK海力士今年成長(cháng)三大核心 20納米、M14新廠(chǎng)、3D NAND
- 面對競爭激烈的半導體市場(chǎng)，SK海力士(SK Hynix)為了維持存儲器事業(yè)持續成長(cháng)，2015年將面臨三大課題：成功量產(chǎn)22納米DRAM、建構利川M14新廠(chǎng)的量產(chǎn)系統，以及強化三階儲存單元(Triple-Level Cell;TLC)與3D V-NAND競爭力。 根據韓媒E-Daily報導，SK海力士社長(cháng)樸星昱日前在京畿道利川總部舉行的定期股東大會(huì )上表示，2015年下半初期將開(kāi)始量產(chǎn)22納米DRAM，意即最快在7月SK海力士就會(huì )開(kāi)始量產(chǎn)22納米DRAM。 SK海力士近2年業(yè)績(jì)屢創(chuàng )新高，主力產(chǎn)
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20納米轉換困難重重 4GB DDR4主流之路恐延后
- DRAM廠(chǎng)轉進(jìn)20納米制程困難重重，業(yè)界傳出美光(Micron)旗下的20納米制程產(chǎn)品大量導入終端應用的時(shí)間點(diǎn)，會(huì )遞延至2016年第1季，象征4GbDDR4成為主流的時(shí)間點(diǎn)也會(huì )延后。然而美光旗下華亞科表示，目前20納米制程轉進(jìn)速度一切都如預期，年底會(huì )有8萬(wàn)片的12吋晶圓轉進(jìn)20納米制程，資本支出不會(huì )改變。 日前傳出韓系存儲器廠(chǎng)25納米制程的產(chǎn)品未過(guò)PCOEM客戶(hù)認證，導致部分貨源流入現貨市場(chǎng)，這也代表進(jìn)入先進(jìn)制程技術(shù)后，產(chǎn)品認證的嚴格度大幅攀升，未來(lái)20納米制程世代的問(wèn)題更嚴重，轉進(jìn)20納米制程
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20納米轉換困難重重 4Gb DDR4主流之路恐延后
- DRAM廠(chǎng)轉進(jìn)20納米制程困難重重，業(yè)界傳出美光(Micron)旗下的20納米制程產(chǎn)品大量導入終端應用的時(shí)間點(diǎn)，會(huì )遞延至2016年第1季，象征4Gb DDR4成為主流的時(shí)間點(diǎn)也會(huì )延后。然而美光旗下華亞科表示，目前20納米制程轉進(jìn)速度一切都如預期，年底會(huì )有8萬(wàn)片的12吋晶圓轉進(jìn)20納米制程，資本支出不會(huì )改變。 日前傳出韓系存儲器廠(chǎng)25納米制程的產(chǎn)品未過(guò)PC OEM客戶(hù)認證，導致部分貨源流入現貨市場(chǎng)，這也代表進(jìn)入先進(jìn)制程技術(shù)后，產(chǎn)品認證的嚴格度大幅攀升，未來(lái)20納米制程世代的問(wèn)題更嚴重，轉進(jìn)20納米
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三星2015年底DRAM 20納米制程比重將過(guò)半
- 三星電子(Samsung Electronics)正加速轉換制程，2015年第4季整體DRAM產(chǎn)量中，將有5成以上采20納米技術(shù)生產(chǎn)。三星預計以差別化制程技術(shù)，在伺服器和高階移動(dòng)裝置用次世代DRAM市場(chǎng)上拉開(kāi)與其他競爭對手的差距，維持市場(chǎng)獨大地位。 據韓國首爾經(jīng)濟報導，三星計劃在2015年底將DRAM產(chǎn)量中至少40%、最多50%以20納米制程生產(chǎn)。 外電引用市調機構DRAMeXchange近期資料指出，三星20納米DRAM生產(chǎn)比重在2015年第4季將提升到46%。韓國業(yè)者表示，目前20納米
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臺積電運勢漲不停 吃蘋(píng)果擁高通齊步跟進(jìn)聯(lián)發(fā)科
- 蘋(píng)果iPhone6將于美東時(shí)間9日正式發(fā)表，市場(chǎng)預期將熱賣(mài)，臺積電首度承接蘋(píng)果新一代處理器代工訂單，同步沾光。法人估，臺積電8月?tīng)I收將再創(chuàng )新高，9月持續看升，成為中秋節后帶領(lǐng)半導體族群上攻的領(lǐng)頭羊。 臺積電7月合并營(yíng)收已陸續反映蘋(píng)果新機拉貨熱潮，沖上649.25億元，創(chuàng )歷史新高。法人估，以臺積電先前法說(shuō)會(huì )釋出本季合并營(yíng)收可望挑戰2,090億元估算，8月合并營(yíng)收將正式站上700億元，9月有機會(huì )達720億元，寫(xiě)下?tīng)I運新里程碑。 法人指出，臺積電本季除受惠蘋(píng)果新處理器正式出貨之外，蘋(píng)果新
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高通20納米制程進(jìn)度
- 高通(Qualcomm)已在2014年第2季提前宣布將采用最新的臺積電20奈米制程技術(shù)，8核及4核64位元手機晶片解決方案將在2014年底前問(wèn)世，并在2015年上半配合客戶(hù)導入量產(chǎn)。 高通指出，驍龍(Snpadragon)平臺旗下最高階的800系列手機晶片產(chǎn)品線(xiàn)將在2014年下半新推出代號810及808的處理器，其中，Snapdragon 810是采8核心64位元處理器，鎖定全球高階智慧型手機市場(chǎng);至于Snapdragon 808則采4核設計，也同樣是64位元運算，鎖定中、高階智慧型手機產(chǎn)品
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臺積今年營(yíng)收確立逐季成長(cháng) 客戶(hù)排隊搶產(chǎn)能
- 臺積電(2330)17日召開(kāi)法說(shuō)會(huì )，給出今年Q2營(yíng)收將會(huì )落在1800~1830億元之間(以臺幣兌美元30.1元計算)，相當于季增22%的樂(lè )觀(guān)財測預期。臺積共同執行長(cháng)暨總經(jīng)理劉德音(附圖中)指出，臺積雖因上半年營(yíng)收基期拉高，下半年成長(cháng)幅度會(huì )趨緩，不過(guò)Q3~Q4絕對都還是會(huì )維持「正成長(cháng)」，今年營(yíng)運逐季成長(cháng)格局確立。財務(wù)長(cháng)何麗梅則表示，目前臺積有很多客戶(hù)都在「排隊」，包括28/40奈米制程，甚至0.15/0.18微米的8寸廠(chǎng)訂單也相當滿(mǎn)。 根據臺積預估，Q2營(yíng)收將會(huì )落在1800~1830億元之間(以臺
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蘋(píng)果轉單臺積電 美三星奧斯汀廠(chǎng)大減產(chǎn)
- 三星電子透露，將減少今年德州奧斯汀廠(chǎng)的處理器芯片生產(chǎn)與投資，理由是蘋(píng)果的需求不振和存貨增加。 韓國時(shí)報引述三星主管說(shuō)法報導，三星將削減該廠(chǎng)今年的投資25%至1兆韓元(9.27億美元)，因為未爭取到任何大訂單。蘋(píng)果正降低對三星制處理器依賴(lài);處理器是手機和計算機重要元件。 三星奧斯汀廠(chǎng)雇用5,500名員工，每年營(yíng)收15億美元。該廠(chǎng)2月產(chǎn)能利用率不到70%。該廠(chǎng)只生產(chǎn)處理器芯片。 要求匿名的三星關(guān)系企業(yè)主管說(shuō)：「由于蘋(píng)果訂單不如預期，奧斯汀廠(chǎng)產(chǎn)能利用率不高?！沟撝鞴軓娬{，三星
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三星電子量產(chǎn)業(yè)界最尖端20納米4Gb DDR3
- 作為尖端半導體解決方案的全球領(lǐng)先企業(yè)，三星電子今日宣布已從本月起開(kāi)始正式量產(chǎn)采用20納米制程技術(shù)的世界最小型4Gb DDR3 DRAM。 三星電子利用現有的ArF浸入式光刻機，克服了20納米DRAM微細化的技術(shù)限制，開(kāi)創(chuàng )了內存存儲器制造技術(shù)的新紀元。NAND閃存的基本存儲單元由一個(gè)晶體管構成，而DRAM則由一個(gè)電容器和一個(gè)晶體管串聯(lián)構成，因此后者更難實(shí)現制程技術(shù)的微細化。然而，三星電子通過(guò)對芯片設計和制程技術(shù)的改良，創(chuàng )新性地研發(fā)出“改良版雙重照片曝光技術(shù)(Modified Dou
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20納米介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條20納米!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對20納米的理解，并與今后在此搜索20納米的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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