三星完成20納米Mobile DRAM量產(chǎn)

　　三星電子(Samsung Electronics)在稍早正式量產(chǎn)20奈米Mobile DRAM，將有望幫助三星提高生產(chǎn)力以及成本競爭力。尤其在競爭對手們仍停留在20奈米中段制程的情況下，隨著(zhù)三星在20奈米時(shí)代下畫(huà)上句點(diǎn)，分析認為，三星將有望可以在2015年前進(jìn)10奈米時(shí)代，拉開(kāi)與對手的技術(shù)差距。

　　韓媒edaily指出，三星繼稍早3月投產(chǎn)的PC用20奈米4Gb DDR3 DRAM，此次將20奈米制程擴大到Mobile DRAM。采用20奈米制程的產(chǎn)品可以提升30%以上的生產(chǎn)力，而電力消耗量也可以節省10%以上。

　　更多而三星透過(guò)此次研發(fā)20奈米DRAM，將可以大幅減少成本。尤其是從2014年開(kāi)始，Mobile DRAM需求超越PC用DRAM，三星半導體業(yè)績(jì)有望大幅改善。根據朝鮮日報引用市調機構DRAMeXchange資料指出，2014年Moblie DRAM出貨量比重，將以36%首度超越PC用DRAM的30%。

　　現代證券研究員指出，三星此次研發(fā)出的20奈米Mobile DRAM，雖不會(huì )大幅改變市占率，但絕對可以改善三星業(yè)績(jì)。由于生產(chǎn)力的上升，以同樣價(jià)格銷(xiāo)售時(shí)，獲利也將大幅提高。

　　南韓業(yè)界則是一陣看好三星半導體事業(yè)，預期在2014年營(yíng)利將可以來(lái)到8兆韓元(約77億美元)左右，而2015年則有望成長(cháng)超過(guò)9兆韓元。如果能持續維持，三星半導體事業(yè)將有望重回2010年營(yíng)利10兆韓元的光榮時(shí)期。

　　三星則是計劃透過(guò)20奈米產(chǎn)品，搶占大容量Mobile DRAM市場(chǎng)。三星記憶體事業(yè)部行銷(xiāo)團隊常務(wù)白志浩(音譯)自信滿(mǎn)滿(mǎn)的表示，此次推出的20奈米Mobile DRAM將能稱(chēng)霸高性能Mobile DRAM市場(chǎng)，未來(lái)將會(huì )搭載在旗艦智慧型手機、平板電腦、穿戴式裝置等產(chǎn)品上。

　　三星從2006年開(kāi)始研發(fā)50奈米級DRAM后，在2010年進(jìn)展到30奈米級，2011年時(shí)則推進(jìn)到20奈米級微細制程。edaily指出，三星在2014年正式量產(chǎn)20奈米產(chǎn)品后，極有可能率先進(jìn)入10奈米級時(shí)代。

　　隨著(zhù)三星研發(fā)出改良型的雙圖樣微影技術(shù)(Double Patterning)，透過(guò)既有設備做好量產(chǎn)10奈米級產(chǎn)品的準備。南韓半導體業(yè)界預估，三星將會(huì )在2015年研發(fā)出10奈米級產(chǎn)品，并在2016年開(kāi)始投產(chǎn)。

　　以此，三星有望拉開(kāi)與競爭對手的技術(shù)差距。SK海力士(SK Hynix)預計在下半年正式量產(chǎn)20奈米中段制程產(chǎn)品，恐怕要等到2015年才有望能成功研發(fā)20奈米產(chǎn)品。