X-FAB公布8英寸MEMS晶片工藝

　　X-FAB Silicon Foundries，業(yè)界領(lǐng)先的模擬/混合信號晶圓廠(chǎng)及“超越摩爾定律”技術(shù)的專(zhuān)家，今天宣布其將擴大自身的晶圓廠(chǎng)服務(wù)，囊括8英寸(200毫米)MEMS晶片工藝。移至更大的晶片直徑及單片電路的MEMS/CMOS集成可以大大降低生產(chǎn)成本。X-FAB相信其擴展到8英寸MEMS生產(chǎn)使其能夠在領(lǐng)先的MEMS晶圓廠(chǎng)中占據有利地位，并能使為汽車(chē)與消費電子市場(chǎng)開(kāi)發(fā)應用設備的客戶(hù)受益。公司早已開(kāi)展與主要客戶(hù)合作,結合0.35微米CMOS技術(shù),開(kāi)發(fā)200毫米晶片的MEMS設備。

　　X-FAB加快其MEMS計劃，通過(guò)200毫米晶片MEMS生產(chǎn)能力，解決MEMS的爆炸性增長(cháng)——這是在消費電子市場(chǎng)中新興量產(chǎn)電子產(chǎn)品的推動(dòng)下產(chǎn)生的需求。例如，MEMS加速計、陀螺儀、壓力傳感器與麥克風(fēng),如今在消費電子產(chǎn)品中已經(jīng)相當普及，不管是手機、便攜式設備還是大型家電。

　　X-FAB將會(huì )在其德國埃爾夫特專(zhuān)屬的MEMS無(wú)塵室內以三個(gè)階段安裝8英寸MEMS處理設備 ，以提高其生產(chǎn)效率，并引進(jìn)新工藝能力。

　　· 第一階段是添加體硅(bulk-silicon)蝕刻的設備，能夠高度控制隔膜的構成，例如壓力傳感器、IR傳感器與其他大型硅結構的需要。這個(gè)階段將會(huì )在2010年內實(shí)現。

　　· 第二個(gè)階段將會(huì )為X-FAB的硅蝕刻能力添加MEMS生產(chǎn)時(shí)所需的其他主要工藝，例如光刻、薄膜淀積與蝕刻。

　　· 第三個(gè)階段也將采用新的工藝拓展X-FAB的技術(shù)能力，加入貴金屬或其他CMOS晶圓廠(chǎng)找不到的材料，為范圍不斷擴大的MEMS設備提供生產(chǎn)能力。

　　節約成本的CMOS/MEMS 集成

　　MEMS經(jīng)常與ASIC設備相結合，執行信號調節、前置放大等任務(wù)。 將CMOS與MEMS設備結合到單個(gè)芯片，可以在成本與封裝尺寸方面帶來(lái)獨特的優(yōu)勢，而且它可以簡(jiǎn)化后續的生產(chǎn)操作。

　　X-FAB市場(chǎng)部副總裁Thomas Hartung對公司在200毫米技術(shù)方面的投資發(fā)表如下評論：“我們的客戶(hù)告訴我們，他們對8英寸生產(chǎn)能力非常感興趣，因為它能為離散型感應器節約成本，而且能應對集成CMOS智能不斷提高的需求。X-FAB已經(jīng)展現出其對提供先進(jìn)與節約成本型晶圓廠(chǎng)服務(wù)的承諾，有效地將MEMS集成到0.35微米工藝，以及200毫米晶片上運行的0.18微米CMOS工藝——滿(mǎn)足了我們全球客戶(hù)群對MEMS晶圓廠(chǎng)服務(wù)當前與未來(lái)的需要。

　　X-FAB的MEMS開(kāi)發(fā)團隊主管Uwe Schwarz補充說(shuō)：“X-FAB的MEMS晶圓廠(chǎng)服務(wù)結合了我們在該領(lǐng)域的豐富經(jīng)驗、可靠的工藝管理模式與汽車(chē)領(lǐng)域所需的質(zhì)量保證程序，并已經(jīng)在我們的CMOS與MEMS業(yè)務(wù)中廣泛使用。

　　X-FAB在過(guò)去十幾年一直提供MEMS晶圓廠(chǎng)服務(wù)-這已成爲公司業(yè)務(wù)中很重要的一部分。MEMS技術(shù)是X-FAB的“超越摩爾定律”理念不可或缺的一部分。X-FAB與主要客戶(hù)合作，結合0.35微米CMOS技術(shù)，開(kāi)發(fā)了200毫米晶片的MEMS，幫助他們通過(guò)使用更大的底層以節省成本，并實(shí)現更小的體積，通過(guò)MEMS與ASIC設備的單片電路集成縮小設備面積。