三星電子將引入VCT技術(shù)，未來(lái)2到3年推出新型DRAM產(chǎn)品

據最新消息，三星電子已制定明確的技術(shù)路線(xiàn)圖，計劃在第7代10nm級DRAM內存工藝（1d nm）后引入VCT垂直通道晶體管技術(shù)。相關(guān)產(chǎn)品預計將在未來(lái)2到3年內問(wèn)世。
在規劃下一代DRAM工藝時(shí)，三星電子曾面臨兩種選擇：1e nm工藝和VCT DRAM技術(shù)。經(jīng)過(guò)深入研究和對比，三星最終選擇了VCT DRAM技術(shù)。相較于1e nm，VCT技術(shù)在性能和效率方面表現更優(yōu)。為加快研發(fā)進(jìn)度，三星電子還將原1e nm的先行研究團隊并入1d nm研發(fā)團隊，集中力量推進(jìn)1d nm工藝的開(kāi)發(fā)。
VCT DRAM技術(shù)是一種新型存儲技術(shù)，采用垂直通道晶體管結構，能夠實(shí)現更高的存儲密度和更低的功耗，被廣泛認為是未來(lái)DRAM技術(shù)的重要發(fā)展方向。這一技術(shù)的引入，或將顯著(zhù)提升三星在DRAM領(lǐng)域的競爭力。