歐盟對抗功率難題納米級芯片欲破瓶頸

  　近日，研發(fā)人員在開(kāi)發(fā)納米級芯片時(shí)遇到的重大難題——功率泄漏（power leakage），看起來(lái)有了福音。為了解決這一瓶頸問(wèn)題，歐盟向某一研發(fā)團體協(xié)會(huì )資助550萬(wàn)美元以解決這一難題。

　　該協(xié)會(huì )的主要成員STMicroelectronics在當地時(shí)間周二（北京時(shí)間周三）發(fā)布的一份聲明中稱(chēng)，該協(xié)會(huì )的研發(fā)項目旨在改進(jìn)下一代芯片系統半導體的設計，解決65納米及其以下納米CMOS出現功率泄漏的問(wèn)題。

　　據悉，該項稱(chēng)為CLEAN的計劃將得到歐盟第六次框架項目下納米電子計劃的資助。功率泄漏時(shí)發(fā)生在65納米以下技術(shù)中納米電路的一個(gè)障礙，STMicroelectronics稱(chēng)半導體設計工藝和加工方面的新問(wèn)題需要共同努力加以解決。

　　CLEAN的主要目標在于研發(fā)新一代功率泄漏模式，設計工藝和泄漏控制技術(shù)及電子設計自動(dòng)（EDA）工具,該工具能自動(dòng)完成設計的部分工作，而以目前的技術(shù)是難以實(shí)現的。

　　該研發(fā)協(xié)會(huì )包括14個(gè)合作成員，其中包括英飛凌、ChipVision Design Systems、丹麥理工大學(xué)、布達佩斯技術(shù)與經(jīng)濟大學(xué)等。