Hynix 44nm制程2Gb低功耗DDR2內存芯片產(chǎn)品開(kāi)發(fā)完成
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韓國內存廠(chǎng)商Hynix日前宣布他們已經(jīng)完成了2Gb密度低功耗DDR2內存芯片產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)，這款產(chǎn)品將主要面向移動(dòng)設備，可在智能手機，平板電腦等移動(dòng)設備上使用，Hynix并稱(chēng)這種芯片將于今年上半年開(kāi)始投入量產(chǎn)。
本文引用地址：http://dyxdggzs.com/article/105093.htm
這款內存芯片產(chǎn)品的數據傳輸率可達1066Mbps，并將以小型封裝(如MCP/POP封裝形式)的形式進(jìn)行供貨。
Hynix宣稱(chēng)這款芯片產(chǎn)品采用了44nm制程技術(shù)制作，工作電壓僅1.2V，位寬為32位的配置條件下，使用這種芯片的內存系統帶寬可達4.26GB/s。另外，這種芯片的耗電量也比前代產(chǎn)品下降了50%左右。
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