中國集成電路業(yè):發(fā)展模式轉型 內需拉動(dòng)回升
2009 年,在整體大環(huán)境不利的情況下,中國集成電路業(yè)不可避免地出現了一定幅度的下滑。但隨著(zhù)國家各項激勵政策的出臺,中國集成電路業(yè)正在企穩回升。由于加大了研發(fā)的投入,產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節在核心技術(shù)上都取得了突破,企業(yè)核心競爭力提升。與此同時(shí),產(chǎn)業(yè)重組整合出現各種新形式。目前,中國集成電路業(yè)正亟待國家出臺新扶持政策,以獲得更好的發(fā)展環(huán)境,抓住未來(lái)發(fā)展的新契機。
擴內需使行業(yè)企穩回升
受?chē)H金融危機的沖擊,全球集成電路行業(yè)在2009年出現了較大幅度下滑。中國集成電路產(chǎn)業(yè)也不可避免地出現了下滑。但在中國政府擴內需、保增長(cháng)的政策帶動(dòng)下,中國集成電路行業(yè)正在逐步走出低谷。
2009 年4月,在國務(wù)院正式出臺的《電子信息產(chǎn)業(yè)調整和振興規劃》(簡(jiǎn)稱(chēng)《規劃》)中,集成電路被列入九大重點(diǎn)振興領(lǐng)域和3個(gè)骨干產(chǎn)業(yè)之一?!兑巹潯分赋?,在當前外部市場(chǎng)需求急劇下降、全球電子信息產(chǎn)業(yè)深度調整的形勢下,全行業(yè)要采取積極措施,保持產(chǎn)業(yè)的穩定增長(cháng)。
從行業(yè)統計和業(yè)內主要大企業(yè)的反饋來(lái)看,中國半導體業(yè)的運營(yíng)在2009年第一季度達到近幾年的最低點(diǎn),但從2009年3月開(kāi)始,行業(yè)出現企穩回升的跡象。最初的訂單回升是由于客戶(hù)補充縮減的庫存而導致的市場(chǎng)需求微升。之后,國家3G牌照發(fā)放、家電下鄉實(shí)施等一系列激勵政策積極拉動(dòng)了電子行業(yè)的市場(chǎng)需求。與此同時(shí),隨著(zhù)內需市場(chǎng)的擴大,國內消費者信心的回暖,促使訂單進(jìn)一步回升,國內需求在今年4月到5月期間恢復到2008年同期水平。到了今年第三季度,隨著(zhù)國外訂單水平的完全恢復,國內相關(guān)芯片制造和封裝企業(yè)甚至出現滿(mǎn)載運行的形勢。
在集成電路設計、制造、封裝等產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節中,設計業(yè)的表現成為今年的一大亮點(diǎn)。據不完全統計和預測,2009年全年,我國集成電路設計業(yè)總銷(xiāo)售額將達到 379.83億元,同比增長(cháng)11%,高于我國GDP的增長(cháng)。“在集成電路產(chǎn)業(yè)中,設計業(yè)凸顯了創(chuàng )新的潛質(zhì)以及在迎合市場(chǎng)需求方面的巨大活力。”中國半導體行業(yè)協(xié)會(huì )集成電路設計分會(huì )理事長(cháng)王芹生說(shuō)。她分析指出,設計業(yè)逆勢增長(cháng)與兩大因素有關(guān):首先,中國內需市場(chǎng)所呈現出的剛性需求奠定了我國集成電路設計業(yè)的發(fā)展基礎;其次,雖然我國集成電路設計業(yè)中有30%的企業(yè)因產(chǎn)品以出口為主而遭受了巨大打擊,但仍有70%的企業(yè)積極反省并調整自己的技術(shù)路線(xiàn)或產(chǎn)品布局,一部分企業(yè)在保持發(fā)展的同時(shí),還實(shí)現了一定的增長(cháng)。這兩大因素促進(jìn)中國集成電路設計業(yè)實(shí)現了正增長(cháng)。而對外依存度很高的中國封裝業(yè),由于受飛索和奇夢(mèng)達在中國工廠(chǎng)業(yè)績(jì)大幅下滑的影響,整體出現大幅下滑。
技術(shù)提升助力發(fā)展模式轉型
今年,國家把突破集成電路核心技術(shù)仍作為一項重點(diǎn)工作。在《規劃》中,把突破集成電路核心產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵技術(shù)作為三大任務(wù)之一。而且,在國際金融危機的形勢下,今年許多集成電路企業(yè)都把投資研發(fā)、進(jìn)行技術(shù)積累作為企業(yè)轉型的戰略來(lái)實(shí)施,使得集成電路產(chǎn)業(yè)自主創(chuàng )新的步伐加快,產(chǎn)業(yè)轉型取得明顯進(jìn)展。
《規劃》中強調要支持骨干制造企業(yè)加大創(chuàng )新投入,推進(jìn)工藝升級。在2009年,我國骨干芯片制造企業(yè)加大創(chuàng )新投入,推進(jìn)工藝升級。中芯國際65nm工藝量產(chǎn)成功,45nm工藝即將試生產(chǎn);華虹NEC成功開(kāi)發(fā)了0.13微米eFlash(NVM)工藝平臺EEPROM單元模塊,代表了業(yè)界領(lǐng)先水平;華潤上華與華潤集團共同投資設立了8英寸晶圓廠(chǎng),同時(shí)引進(jìn)IBM 0.18微米射頻CMOS工藝技術(shù)。這些新技術(shù)使各芯片制造企業(yè)的優(yōu)勢和特點(diǎn)更為突出,在各自專(zhuān)長(cháng)的領(lǐng)域具有更強的競爭力。
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