長(cháng)江存儲起訴美光資助的咨詢(xún)公司及其副總裁，指控其散布虛假信息

據“出口管制合規研究”消息顯示，今年6月份，國產(chǎn)存儲芯片廠(chǎng)商長(cháng)江存儲（YMTC）在美國加利福尼亞州北區聯(lián)邦地區法院提起訴訟，指控受美光資助的丹麥咨詢(xún)公司Strand Consult及其副總裁羅絲琳·雷頓（Roslyn Layton）散布虛假信息，破壞長(cháng)江存儲的市場(chǎng)聲譽(yù)和商業(yè)關(guān)系。

根據根據起訴書(shū)（案號5:24-cv-03454-SVK）顯示，長(cháng)江存儲通過(guò)其律師事務(wù)所Latham & Watkins LLP表示，Strand Consult及其副總裁雷頓通過(guò)其運營(yíng)的網(wǎng)站“China Tech Threat”上發(fā)布了多篇不實(shí)報道，對長(cháng)江存儲及其產(chǎn)品進(jìn)行惡意抹黑。比如，指控長(cháng)江存儲與中國軍方有聯(lián)系，并暗示其產(chǎn)品可能被用于間諜活動(dòng)等多項不實(shí)指控，嚴重損害了長(cháng)江存儲公司的聲譽(yù)。

相關(guān)不實(shí)指控如下：

虛假關(guān)聯(lián)：Strand Consult及其運營(yíng)的“China Tech Threat”網(wǎng)站聲稱(chēng)YMTC與中國軍方存在關(guān)聯(lián)，甚至稱(chēng)其為“Chinese Military Chip Maker”（中國軍用芯片制造商）。長(cháng)江存儲堅決否認這一指控，指出公司既不為中國軍方提供技術(shù)或產(chǎn)品，也未被任何實(shí)體指示為軍方供應。

誹謗性謠言：其網(wǎng)站上的一篇文章題為“China’s Army to Infiltrate iPhones with YMTC Chips”（中國軍隊通過(guò)長(cháng)江存儲芯片滲透iPhone），聲稱(chēng)YMTC的芯片可能會(huì )“竊取數據并傳輸至北京”，并且會(huì )“危害iPhone用戶(hù)的安全和隱私”。長(cháng)江存儲反駁稱(chēng)，這純屬無(wú)稽之談，因為存儲芯片僅能存儲數據，而無(wú)法執行代碼或進(jìn)行無(wú)線(xiàn)通信。

商業(yè)抹黑：起訴書(shū)還提到，Strand Consult的“China Tech Threat”網(wǎng)站發(fā)布了一份題為《硅谷出賣(mài)：蘋(píng)果與中國軍用芯片制造商YMTC的合作如何威脅國家安全》的報告（Silicon Sellout: How Apple’s Partnership with Chinese Military Chip Maker YMTC Threatens National Security），呼吁蘋(píng)果公司終止與長(cháng)江存儲的合作，并轉而采購美光（Micron）等美國供應商的產(chǎn)品。報告還警告稱(chēng)，蘋(píng)果與長(cháng)江存儲的合作可能會(huì )導致非中國半導體制造商的退出。

長(cháng)江存儲在起訴書(shū)中詳細描述了這些不實(shí)指控對公司的負面影響，稱(chēng)這些虛假信息不僅嚴重損害了其在全球市場(chǎng)的聲譽(yù)，還對其商業(yè)關(guān)系造成了不可挽回的破壞。長(cháng)江存儲強調，作為全球3D NAND閃存市場(chǎng)的重要參與者，公司一直致力于技術(shù)創(chuàng )新和市場(chǎng)競爭，這些不實(shí)報道無(wú)疑是在阻礙公司前進(jìn)的步伐。

長(cháng)江存儲還提到，Strand Consult和雷頓的行為背后可能存在更深層次的市場(chǎng)競爭動(dòng)機。根據長(cháng)江存儲的調查，Strand Consult獲得了美光（Micron）的資金支持，而美光是長(cháng)江存儲在全球3D NAND市場(chǎng)上的主要競爭對手之一。報告指出，美光等公司通過(guò)資助“China Tech Threat”這樣的平臺，試圖通過(guò)不正當手段打壓競爭對手，維護自身的市場(chǎng)地位。

值得一提的是，在去年11月，長(cháng)江存儲還在美國加州北區地方法院對美國美光科技公司（MICRON）和美光消費類(lèi)產(chǎn)品事業(yè)部（MICRON CONSUMER PRODUCTS GROUP, LLC）（以下統稱(chēng)“美光”）提起訴訟，指控美光侵犯了其8項與3D NAND相關(guān)的美國專(zhuān)利。

資料顯示，長(cháng)江存儲科成立于2016年7月，總部位于“江城”武漢， 是一家專(zhuān)注于3D NAND閃存設計制造一體化的IDM集成電路企業(yè)，同時(shí)也提供完整的存儲器解決方案。

2017年10月，長(cháng)江存儲通過(guò)自主研發(fā)和國際合作相結合的方式，成功設計制造了中國首款3D NAND閃存。2019年9月，搭載長(cháng)江存儲自主創(chuàng )新 Xtacking? 架構的第二代TLC 3D NAND閃存正式量產(chǎn)。2020年4月，長(cháng)江存儲宣布第三代TLC/QLC兩款產(chǎn)品研發(fā)成功，其中X2-6070型號作為首款第三代QLC閃存，擁有發(fā)布之時(shí)*業(yè)界*最高的I/O速度，最高的存儲密度和最高的單顆容量。

截至目前長(cháng)江存儲已在武漢、北京等地設有研發(fā)中心，全球共有員工8000余人，其中研發(fā)工程技術(shù)人員6000余人。

作為國內最大的3D NAND制造廠(chǎng)商，長(cháng)江存儲經(jīng)過(guò)多年的發(fā)展，目前在技術(shù)上已經(jīng)達到了三星、SK海力士、美光等一線(xiàn)NAND技術(shù)廠(chǎng)商的水平，并且憑借創(chuàng )新的Xtacking架構實(shí)現了存儲密度上的領(lǐng)先。不過(guò)，自去年以來(lái)，由于受到美方的打壓，無(wú)法獲取先進(jìn)的美日荷設備，產(chǎn)能擴張受到了限制。

此次，長(cháng)江存儲開(kāi)始持續在境外通過(guò)法律武器維護自身權益，不僅反應了自身技術(shù)的領(lǐng)先性以及經(jīng)營(yíng)的正當性，也體現了國內受制企業(yè)敢于“亮劍”的精神。

編輯：芯智訊-浪客劍