三星HBM因散熱與功耗問(wèn)題未通過(guò)英偉達認證

5月24日消息，據路透社引述市場(chǎng)人士的說(shuō)法稱(chēng)，三星最新的高帶寬內存（HBM）芯片由于散熱和功耗問(wèn)題，導致其尚未通過(guò)GPU大廠(chǎng)英偉達（NVIDIA）的測試認證。

對此，三星在給路透社的聲明中表示，HBM是一款定制化內存產(chǎn)品，需要根據客戶(hù)需求進(jìn)行優(yōu)化流程?，F階段，公司正在通過(guò)與客戶(hù)的密切合作來(lái)優(yōu)化其產(chǎn)品。不過(guò)，三星拒絕對特定客戶(hù)發(fā)表評論，輝達方面也同樣拒絕評論。

報導指出，HBM于2013年首次推出，其中的DRAM芯片透過(guò)垂直堆疊來(lái)節省空間，并降低功耗，有助于處理復雜的人工智能應用所產(chǎn)生的大量數據。隨著(zhù)生成式AI熱潮對GPU的需求激增，對HBM的需求也激增。目前英偉達拿下了全球AI GPU市場(chǎng)超過(guò)80%的市占率，所以能打入英偉達的HBM供應鏈就成為供應商未來(lái)成長(cháng)的關(guān)鍵。

因此，市場(chǎng)人士表示，自2023年以來(lái)，三星一直在努力通過(guò)英偉達對HBM3和HBM3E等產(chǎn)品的認證。不過(guò)，最近英偉達對三星8層和12層堆疊的HBM3E芯片的認證失敗結果已經(jīng)于四月之際公布。

對此，市場(chǎng)人士指出，尚不清楚這些問(wèn)題是否可以輕易解決。然而，未能通過(guò)英偉達的要求增加了業(yè)界和投資者的擔憂(yōu)，使得三星可能會(huì )進(jìn)一步落后于競爭對手SK海力士和美光科技。目前SK海力士和美光的HBM產(chǎn)能已經(jīng)被預定一空，即便是2025年的產(chǎn)能也已經(jīng)被預定。

編輯：芯智訊-林子