美光2025年HBM供應談判已完成！

當地時(shí)間5月21日美股盤(pán)前，美國存儲芯片大廠(chǎng)美光（Micron）財務(wù)長(cháng)Matt Murphy在摩根大通全球科技、媒體和傳播大會(huì )上表示，2024年資本支出預測將達約80億美元，高于此前預計的75億美元，主要是為了投資高帶寬內存（HBM）產(chǎn)量。
美光首席運營(yíng)官Manish Bhatia表示，HBM業(yè)務(wù)規模將在2025會(huì )計年度增長(cháng)至數十億美元。同時(shí)，美光2025年HBM內存供應談判基本上已經(jīng)都完成。其已與下游客戶(hù)基本敲定了2025年HBM訂單的規模和價(jià)格。

美光預測，在未來(lái)數年間其HBM的位元產(chǎn)能的復合年成長(cháng)率將達到50%。而為了應對HBM的強勁市場(chǎng)需求，美光基本上調升了2024財年的資本支出金額，預計從75~80億美元（約臺幣2,395億元~2,550億元），提升到80億美元。

至于，在HBM技術(shù)發(fā)展上，美光于本季先前時(shí)候就開(kāi)始提供12層堆疊的HBM3E內存樣品。這12層堆疊的HBM產(chǎn)品，為容量提升50%的新品，預計將成為美光2025年業(yè)績(jì)的重要來(lái)源。而在非HBM領(lǐng)域，美光認為AI PC的推出，將對標準內存的需求成長(cháng)達40~80%，而LPDDR內存未來(lái)將在數據中心市場(chǎng)占有更大比例。

整體來(lái)看，美光預測DRAM內存產(chǎn)業(yè)長(cháng)期成長(cháng)率將維持在15%上下，NAND Flash產(chǎn)業(yè)的長(cháng)期成長(cháng)率則略高于20%。

值得注意的是，美光高層并未對3-5月當季或6-8月財測多做評論。隨著(zhù)本季末將至，市場(chǎng)相信，這代表3-5月季度業(yè)績(jì)表現符合預期，但并未顯著(zhù)上修。

美光重申，6-8月毛利率將介于30~33%左右。高層預測，HBM業(yè)務(wù)近期的年復合增長(cháng)率有望多達50%，從8層堆疊升級到12層堆疊的HBM，有望推升2025年度營(yíng)收。

編輯：芯智訊-林子