NAND Flash晶圓11月價(jià)格暴漲25%

12月11日消息，在三星、SK海力士及美光等頭部存儲芯片的持續擴大減產(chǎn)的背景之下，11月NAND Flash wafer價(jià)格漲幅超過(guò)25%。由于原廠(chǎng)減產(chǎn)后供給減少，再加上原廠(chǎng)主動(dòng)進(jìn)行漲價(jià)，部分存儲模塊廠(chǎng)只能接受原廠(chǎng)漲價(jià)，特別是在“原廠(chǎng)還會(huì )繼續漲價(jià)”的預期心理下，存儲模組廠(chǎng)商持續搶貨，將進(jìn)一步推升了12月的價(jià)格漲幅。

據了解，作為NAND Flash龍頭大廠(chǎng)，三星從第二季起開(kāi)始持續降低NAND Flash產(chǎn)量，9月再擴大幅度至總產(chǎn)能的50%，主要集中在128層堆疊以下產(chǎn)品，這也為整個(gè)NAND Flash市場(chǎng)奠定了漲價(jià)的信心。

由于存儲芯片原廠(chǎng)減產(chǎn)幅度超乎預期，加上客戶(hù)端庫存普遍偏少，促使NAND Flash價(jià)格持續上漲。然而，今年下半年Mobile DRAM及NAND Flash（eMMC、UFS）除了受傳統旺季帶動(dòng)，華為Mate 60系列等也刺激其它中國手機品牌擴大生產(chǎn)目標，短時(shí)間需求涌入，推動(dòng)第四季合約價(jià)格的上漲。

這一輪存儲芯片價(jià)格上漲最劇烈的莫過(guò)于NAND Flash wafer的價(jià)格。根據TrendForce的最新的調研結果顯示，從產(chǎn)業(yè)現況來(lái)看，NAND模組廠(chǎng)商庫存因客戶(hù)追單而快速落底，導致模組廠(chǎng)轉而向原廠(chǎng)要求擴大供應，然而，原廠(chǎng)持續維持減產(chǎn)策略，供不應求致使第四季NAND Flash wafer價(jià)格反彈強烈。從TrendForce的數據來(lái)看，NAND Flash wafer 11月單月漲幅超過(guò)25%。

業(yè)內人士透露，在目前供給有限，且需求大幅增加的情況下，模塊廠(chǎng)只能接受原廠(chǎng)的強勢漲幅。而業(yè)界因為預期原廠(chǎng)會(huì )持續漲價(jià)，導致“大家就是一直搶貨”。

從目前的市況來(lái)看，TrendForce認為12月NAND Flash在供給吃緊下，價(jià)格將持續推升。但第一季價(jià)格是否持續大幅拉升，依舊要看原廠(chǎng)減產(chǎn)策略與市場(chǎng)需求狀況而定。

據悉，業(yè)界傳出的消息顯示，有原廠(chǎng)因下游拉貨狀況火熱，已開(kāi)始考慮增加產(chǎn)能。一旦原廠(chǎng)提早增產(chǎn)，加上需求表現未明顯好轉，價(jià)格上漲幅度將明顯受到限縮。

編輯：芯智訊-林子