美國放松限制！三星及SK海力士在華晶圓廠(chǎng)獲“無(wú)限期豁免”！

10月9日，據韓國總統辦公室通報，美國商務(wù)部已經(jīng)同意向三星電子和SK海力士位于中國的晶圓廠(chǎng)提供“無(wú)限期豁免”，即美國供應商無(wú)需任何許可，就可向三星和SK還來(lái)在中國的晶圓廠(chǎng)供應半導體設備。

韓國總統經(jīng)濟首席秘書(shū)崔尚木（ Choi Sang-mok）表示：“韓國半導體企業(yè)在中國運營(yíng)和投資的不確定性已大大緩解；他們將能夠冷靜地尋求長(cháng)期的全球經(jīng)營(yíng)戰略?！?/p>

崔尚木表示，美國已經(jīng)將這一決定通知了三星和SK海力士，這表明該決定已經(jīng)立即生效。

據悉，針對三星電子和SK海力士在華工廠(chǎng)的“無(wú)限期豁免”將通過(guò)更新 Validated End-User（VEU）清單來(lái)取得。只要被納入這份清單，就無(wú)需另外取得單獨許可，代表美國出口管制的適用性實(shí)際上是被永久暫停。

對此，三星電子在一份聲明中回應稱(chēng)：“通過(guò)與相關(guān)政府的密切協(xié)調，三星電子在中國的半導體生產(chǎn)線(xiàn)運營(yíng)的不確定性已經(jīng)大大消除。公司將繼續密切與所有相關(guān)政府保持密切合作，為全球半導體產(chǎn)業(yè)維護穩定的供應鏈?！?/p>

SK海力士則在聲明中表示：“我們歡迎美國政府延長(cháng)出口管制法規豁免的決定。我們相信這一決定將有助于全球半導體供應鏈的穩定?！?/p>

2022年10月7日，美國出臺了新的對華半導體出口管制政策，限制了位于中國大陸的晶圓制造廠(chǎng)商獲取先進(jìn)邏輯制程芯片、128層NAND閃存芯片、18nm半間距或更小的DRAM內存芯片所需的制造設備的能力，除非獲得美國商務(wù)部的許可。這其中就包括了三星、SK海力士等外資企業(yè)在中國大陸的晶圓廠(chǎng)。

雖然在數日之后的，三星電子、SK海力士、臺積電均獲得了美國商務(wù)部的1年豁免期的許可，他們可以在之后1年內無(wú)需辦理任何額外的手續即可獲得美國半導體設備的供應，這也使得他們位于中國大陸的工廠(chǎng)的生產(chǎn)都將暫時(shí)不會(huì )受到禁令的影響。但是，隨著(zhù)這1年豁免時(shí)間即將到期，是否還能順利延長(cháng)豁免許可，則成為了他們未來(lái)在華發(fā)展的首要的問(wèn)題。

目前主流的NAND Flash芯片正在邁向了128層以上的更高的堆疊層數，主流的DRAM芯片也在進(jìn)入10納米級。而三星和SK海力士在中國都有著(zhù)龐大的NAND FlashH和DRAM產(chǎn)能，如果無(wú)法獲得美系先進(jìn)的半導體設備，那么不僅現有的產(chǎn)線(xiàn)運營(yíng)將受影響，未來(lái)也將無(wú)法繼續進(jìn)行技術(shù)升級和擴大產(chǎn)能，這勢必將會(huì )影響到他們在華工廠(chǎng)的正常運營(yíng)，以及未來(lái)的產(chǎn)能布局和市場(chǎng)競爭力。

隨著(zhù)此番三星和SK海力士在華工廠(chǎng)成功獲得“無(wú)限期豁免”，這也意味著(zhù)未來(lái)三星、SK海力士在華工廠(chǎng)將可以繼續升級和擴產(chǎn)，原有的不確定性被大大消除。

有相關(guān)業(yè)內人士表示，此舉勢必會(huì )讓三星和SK海力士加大產(chǎn)能，而為了重新?lián)寠Z市場(chǎng)，雙方可能會(huì )進(jìn)一步在中國市場(chǎng)開(kāi)打價(jià)格戰。

資料顯示，三星在中國大陸的西安、蘇州擁有存儲芯片工廠(chǎng)。其中，西安工廠(chǎng)是三星在華最大投資項目，主要制造3D NAND閃存芯片。截至目前，西安廠(chǎng)兩期項目總投資已高達270億美元。數據顯示，三星西安工廠(chǎng)月產(chǎn)能將達到26.5萬(wàn)張12英寸晶圓，占三星全球NAND閃存芯片總產(chǎn)量的42%。2022年，三星半導體西安工廠(chǎng)產(chǎn)值將突破1000億元人民幣。

SK海力士目前在中國大陸無(wú)錫、大連（從英特爾手中收購而來(lái)）擁有晶圓廠(chǎng)。截止至2020年，SK海力士已累計在中國投資超過(guò)200億美元，在無(wú)錫擁有4000多名員工，并于2019年完成第二工廠(chǎng)C2F的建設。隨著(zhù)C2F項目的持續推進(jìn)，無(wú)錫工廠(chǎng)將承擔SK海力士DRAM芯片全球生產(chǎn)總量近一半的份額。此外，在2021年SK海力士還將其位于韓國青州的8英寸晶圓代工廠(chǎng)M8遷至了無(wú)錫，預計2022年全部投產(chǎn)后將月產(chǎn)11.5萬(wàn)片8吋晶圓，高于原來(lái)韓國M8工廠(chǎng)的10萬(wàn)片月產(chǎn)能。

研調機構TrendForce數據顯示，截至今年6月底，三星與SK海力士一起占據了全球近70%的DRAM和50%的NAND Flash市場(chǎng)。另有數據顯示，目前三星在中國的NAND Flash工廠(chǎng)，投片量占該公司 NAND Flash總產(chǎn)能的 42.3%，全球產(chǎn)能占比也高達 15.3%。SK海力士也同樣擁有約50%的DRAM產(chǎn)能和20%的NAND Flash產(chǎn)能在中國大陸。

同樣，對于韓國來(lái)說(shuō)，中國也是其最大的芯片出口國。數據顯示，韓國芯片廠(chǎng)商將大約 60% 的芯片出口到了中國大陸，并且韓國芯片制造商在中國工廠(chǎng)的產(chǎn)能也遠高于其他國家和地區的芯片制造商?？傮w而言，包括三星和SK海力士等韓國芯片制造商對中國市場(chǎng)的依賴(lài)程度要遠大于其他國家和地區。這也促使韓國政府一直在積極與美國政府進(jìn)行斡旋，三星和SK海力士過(guò)去一年來(lái)也一直在積極的對美國政府進(jìn)行游說(shuō)，最終成功獲得了“無(wú)限期豁免”。

需要指出的是，目前三星正斥資170億美元在美國德克薩斯州泰勒市建設4nm制程的新晶圓廠(chǎng)，計劃在2023年完成，并在2024年年底開(kāi)始大規模生產(chǎn)。目前尚不清楚三星是否有在申請美國的芯片法案補貼，如果三星有申請的話(huà)，那么其在中國大陸的晶圓廠(chǎng)的擴產(chǎn)有可能將會(huì )受到一定的影響。畢竟獲得美國芯片法案補貼的企業(yè)在未來(lái)十年內將被限制擴大在華先進(jìn)制程的產(chǎn)能。

編輯：芯智訊-浪客劍