美國芯片法案“護欄規則”公布：限制相關(guān)廠(chǎng)商擴大在華制造能力！

近日，美國商務(wù)部（BIS）正式公布了實(shí)施《科學(xué)與芯片法案》（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“芯片法案”）配套的巨額補貼發(fā)放的“國家安全護欄”的最終規則。該規則詳細闡述了法規的兩個(gè)核心條款：第一，禁止“芯片法案”資金接受者在10年內擴大在外國關(guān)注的材料半導體制造能力；其次，限制補貼接受者與相關(guān)外國實(shí)體進(jìn)行某些聯(lián)合研究或技術(shù)許可工作。

美國商務(wù)部芯片計劃辦公室（CHIPS Program Office）稱(chēng)，該規則將有助于確?！靶酒ò浮蓖顿Y與盟友和合作伙伴協(xié)調增強全球供應鏈的彈性?！靶酒ò浮笔前莸强偨y投資美國議程的一部分，旨在釋放制造業(yè)和創(chuàng )新熱潮、提高美國競爭力并加強經(jīng)濟和國家安全。

美國商務(wù)部芯片計劃辦公室指出，這一最終規則是在仔細考慮針對2023 年 3 月發(fā)布的擬議規則而提交的評論后制定的。該部門(mén)在制定本規則時(shí)，審查并吸收了國內外半導體行業(yè)、學(xué)術(shù)界、勞工組織、行業(yè)協(xié)會(huì )等利益相關(guān)者的建議。該規則提供了適用于“芯片法案”激勵計劃的國家安全措施的細節和定義，包括限制資金接受者在相關(guān)國家擴大半導體制造。

“通過(guò)《芯片與科學(xué)法案》，拜登-哈里斯政府的首要任務(wù)之一是擴大美國以及我們的盟友和合作伙伴的技術(shù)領(lǐng)先地位。這些護欄將保護我們的國家安全，并幫助美國在未來(lái)幾十年保持領(lǐng)先地位?！泵绹虅?wù)部長(cháng)吉娜·雷蒙多 (Gina Raimondo)表示?！懊绹酒瑥母旧蟻?lái)說(shuō)是一項國家安全倡議，這些護欄將有助于確保接受美國政府資金的公司不會(huì )損害我們的國家安全，因為我們將繼續與我們的盟友和合作伙伴協(xié)調，以加強全球供應鏈并增強我們的集體安全?！?/p>

美國通過(guò)的《芯片和科學(xué)法案》包括加強國家安全的明確“護欄”規則如下：

禁止“芯片法案”激勵資金的接受者使用該資金在美國境外建造、修改或改進(jìn)半導體設施；
限制“芯片法案”激勵資金的接受者在獎勵之日起 10 年內投資于所關(guān)注的外國國家的大多數半導體制造業(yè)；和，
限制“芯片法案”激勵資金的接受者與涉及引起國家安全問(wèn)題的技術(shù)或產(chǎn)品相關(guān)的外國實(shí)體參與某些聯(lián)合研究或技術(shù)許可工作。

如果違反這些護欄，商務(wù)部可以收回全部聯(lián)邦財政援助金。

相關(guān)細則包括：

制定標準限制先進(jìn)設施在國外的關(guān)注國家擴張：該法規禁止自授予之日起10年內在相關(guān)國家對尖端和先進(jìn)設施的半導體制造能力進(jìn)行實(shí)質(zhì)性擴張。除了前端和后端工藝之外，該規則還明確晶圓生產(chǎn)也包含在半導體制造的定義中。最終規則將半導體制造能力的擴大與潔凈室或其他物理空間的增加聯(lián)系在一起，并將材料擴張定義為將設施的生產(chǎn)能力提高5%以上。該閾值旨在捕獲擴大制造能力的適度交易，但允許資金接受者通過(guò)正常的業(yè)務(wù)過(guò)程設備升級和效率提高來(lái)維護其現有設施。

限制在受關(guān)注的外國擴建舊設施：該法規限制在受關(guān)注的外國擴建和新建舊設施。該規則提供了有關(guān)此限制的詳細信息，禁止接收者添加新的潔凈室空間或生產(chǎn)線(xiàn)，從而導致設施的生產(chǎn)能力擴大超過(guò) 10%。該規則為計劃擴大舊芯片設施的接收者建立了一個(gè)通知流程，以便商務(wù)部可以確認是否遵守國家安全護欄。

將半導體列為對國家安全至關(guān)重要的半導體：雖然該法規允許相關(guān)公司在有限的情況下在受關(guān)注的外國國家擴大傳統芯片（成熟制程芯片）的生產(chǎn)，但最新的規則將一系列半導體列為對國家安全至關(guān)重要的半導體，從而使它們受到更嚴格的限制。涵蓋了具有對美國國家安全需求至關(guān)重要的獨特特性的芯片，包括用于量子計算、輻射密集環(huán)境以及其他專(zhuān)業(yè)軍事能力的當前一代和成熟節點(diǎn)芯片。該半導體芯片清單是與國防部和美國情報界協(xié)商制定的。

與外國相關(guān)實(shí)體進(jìn)行聯(lián)合研究和技術(shù)許可工作的詳細限制：該法規限制所涵蓋的實(shí)體與涉及引起國家安全問(wèn)題的技術(shù)或產(chǎn)品相關(guān)的外國實(shí)體進(jìn)行聯(lián)合研究或技術(shù)許可。受關(guān)注的外國實(shí)體包括由受關(guān)注國家擁有或控制的實(shí)體、工業(yè)與安全局 (BIS) 實(shí)體清單和財政部中國軍工綜合體公司 (NS-CMIC) 清單上的實(shí)體，以及《外國實(shí)體清單》中概述的其他實(shí)體。法令。這一限制不適用于現有業(yè)務(wù)所必需且不會(huì )威脅國家安全的幾種類(lèi)型的活動(dòng)，例如與國際標準相關(guān)的活動(dòng)、涉及專(zhuān)利許可的活動(dòng)以及使資金接受者能夠利用鑄造和包裝服務(wù)的活動(dòng)。

編者按：

美國最終公布的關(guān)于“芯片法案”補貼申請的最終“護欄條款”與之前公布的基本一致，其主要目的是限制在美國投資的并申請獲得美國“芯片法案”補貼的半導體制造企業(yè)同時(shí)在包括中國大陸等受關(guān)注國家擴大半導體投資。其中，對于先進(jìn)制程的投資，限制期限是10年，產(chǎn)能擴大規模限制在5%以?xún)?。這也意味著(zhù)，三星、SK海力士、臺積電等晶圓制造商未來(lái)十年內將無(wú)法在中國大陸有效擴大對于先進(jìn)制程的投資。雖然可以有限的繼續投資成熟制程（限制比之前預期的小了一些），但是隨著(zhù)技術(shù)的持續推進(jìn)及市場(chǎng)競爭的加劇，原有的“先進(jìn)”制程將會(huì )成為落后的“成熟制程”，因此如果原有的生產(chǎn)設施長(cháng)期無(wú)法進(jìn)行技術(shù)升級，其所生產(chǎn)出的產(chǎn)品競爭力必將持續下滑。同樣，由于半導體制造業(yè)具有較強的規模效益，如果原有的生產(chǎn)設施無(wú)法持續擴大產(chǎn)能，其所能為企業(yè)帶來(lái)的經(jīng)濟效應也將持續下滑。這些都將會(huì )導致相關(guān)外資半導體制造商在國內投資持續萎縮的同時(shí)，其生產(chǎn)設施的價(jià)值及重要性將會(huì )持續下滑。

目前三星在西安的兩座3D NAND工廠(chǎng)，投片量占該公司 NAND 閃存總產(chǎn)能的 42.3%，全球產(chǎn)能占比也高達 15.3%。SK海力士同樣也有約50%的DRAM產(chǎn)能在中國大陸。相比之下，臺積電在中國大陸的產(chǎn)能占比較低，遠低于10%。其中，三星目前正在美國德克薩斯州泰勒市投資170億美元建造一座4nm晶圓廠(chǎng)，并有申請美國方面的補貼。而SK海力士目前尚未在美國投資建設半導體晶圓廠(chǎng)。因此，預計美國的“護欄”規則預計將會(huì )對于三星將造成更大影響。

但需要指出的是，除了該“護欄條款”之外，美國的對華半導體禁令還限制了相關(guān)半導體制造設備的對華出口，雖然此前三星、SK海力士、臺積電在華晶圓廠(chǎng)都獲得了1年的豁免期，但是該期限即將到期，美國尚未對其延長(cháng)豁免，即便后續得以延長(cháng)，那么會(huì )延長(cháng)多久依然是個(gè)問(wèn)題。這將是懸在這些廠(chǎng)商頭上的達摩克利斯之劍，因為如果無(wú)法獲得相關(guān)的半導體制造設備，他們的在華晶圓廠(chǎng)運營(yíng)可能很快將會(huì )陷入停滯。

編輯：芯智訊-浪客劍