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導讀：近日中國電科公布一系列成果，顯示在國產(chǎn)碳化硅（SiC）設備及器件上取得突破。
圖：中電科55所生產(chǎn)線(xiàn)
4月17日，中國電科宣布旗下55所與一汽聯(lián)合研發(fā)的首款750V碳化硅功率芯片完成流片，首款全國產(chǎn)1200V塑封2in1碳化硅功率模塊完成A樣件試制。
報道稱(chēng)，750V碳化硅功率芯片技術(shù)達到國際先進(jìn)水平，目前已正式進(jìn)入產(chǎn)品級測試階段。
在2in1碳化硅功率模塊項目中，雙方技術(shù)團隊圍繞新結構、新工藝、新材料開(kāi)展聯(lián)合攻關(guān)，實(shí)現芯片襯底與外延材料制備、芯片晶圓設計與生產(chǎn)、封裝結構設計、塑封工藝開(kāi)發(fā)與模塊試制等關(guān)鍵環(huán)節全流程自主創(chuàng )新。
圖：中電科SiC MOSFET產(chǎn)線(xiàn)（CCTV）
據CCTV報道，55所此前已在國內率先突破了6英寸碳化硅MOSFET批產(chǎn)技術(shù)，碳化硅MOSFET器件在新能源汽車(chē)上批量應用，裝車(chē)量達百萬(wàn)輛，處于國內領(lǐng)先地位，5G****用氮化鎵功率管和高線(xiàn)性二極管等系列產(chǎn)品性能及可靠性國內領(lǐng)先。
同時(shí)，在SiC定制化和研發(fā)難度較高的設備端，中國電科48所研制的碳化硅外延爐出貨量同比大幅增長(cháng)。
據悉，由于碳化硅材料高熔點(diǎn)、高密度、高硬度的特性，使芯片具備了耐高壓、耐高溫、低損耗等優(yōu)越性能，碳化硅外延生長(cháng)爐是晶圓制造環(huán)節的專(zhuān)用核心裝備。
圖：中電科48所SiC外延生長(cháng)設備
碳化硅外延生長(cháng)爐，主要用于在碳化硅晶圓襯底上生長(cháng)同質(zhì)外延材料，每一顆碳化硅芯片都是基于外延層制造的結晶。48所技術(shù)專(zhuān)家表示，碳化硅外延生長(cháng)爐是承接襯底和芯片制造的關(guān)鍵環(huán)節，直接影響芯片的等級和良率。
早期國內碳化硅外延片研究和生產(chǎn)幾乎全部依賴(lài)進(jìn)口，48所通過(guò)自主研發(fā)，研制出完全對標國外設備性能的6英寸碳化硅外延爐，經(jīng)過(guò)用戶(hù)上線(xiàn)使用驗證，設備的技術(shù)指標均達到行業(yè)應用的主流水平，有力支撐了國產(chǎn)碳化硅芯片產(chǎn)業(yè)的大規?？焖侔l(fā)展。
據報道，隨著(zhù)國家第三代半導體技術(shù)創(chuàng )新中心（湖南）的實(shí)體化運行，48所以外延、注入、氧化、激活等專(zhuān)用裝備為核心，結合立式擴散爐、PVD等通用設備和半導體芯片生產(chǎn)線(xiàn)建線(xiàn)經(jīng)驗，實(shí)現國內唯一從碳化硅外延到芯片核心設備的全覆蓋，進(jìn)一步助力國產(chǎn)碳化硅芯片制造“換道超車(chē)”。
