430億歐元！《歐洲芯片法案》敲定：除了芯片制造外，還將發(fā)力云上設計、先進(jìn)試驗線(xiàn)、量子芯片、人才培養！

當地時(shí)間4月18日，歐洲理事會(huì )和歐洲議會(huì )通過(guò)了一項臨時(shí)政治協(xié)議，就涉及430億歐元補貼的《歐洲芯片法案》（The EU Chips Act）的最終版本達成了一致。

預計該法案將為歐洲發(fā)展工業(yè)制造基地創(chuàng )造條件，目標是到2030年，歐盟在全球半導體制造市場(chǎng)的份額從10%提升至至少20%，并大幅提升當地的芯片制造工藝，建立歐盟的半導體供應鏈，避免汽車(chē)等重要行業(yè)的芯片短缺，并與美國和亞洲同行競爭。

歐盟委員會(huì )內部市場(chǎng)專(zhuān)員蒂埃里·布雷頓 （Thierry Breton）在達成協(xié)議后的聲明中表示?！斑@將使我們能夠重新平衡和保護我們的（芯片）供應鏈，減少我們對亞洲的集體依賴(lài)?！?/p>

隨后在推特上，蒂埃里·布雷頓進(jìn)一步表示，“在降低地緣政治風(fēng)險的背景下，歐洲正在把自己的命運掌握在自己手中。通過(guò)掌握最先進(jìn)的半導體，歐盟將成為未來(lái)市場(chǎng)的工業(yè)強者?！?/p>

不過(guò)，歐洲理事會(huì )和歐洲議會(huì )當天達成的臨時(shí)協(xié)議，還需要由兩個(gè)機構最終確定、批準和正式通過(guò)。一旦《歐洲芯片法案》獲得通過(guò)，理事會(huì )將通過(guò)《單一基本法案》(SBA) 的修正案，以在 Horizon Europe 下建立制度化的合作伙伴關(guān)系，以允許建立芯片聯(lián)合企業(yè)，該企業(yè)建立在現有的關(guān)鍵數字技術(shù)聯(lián)合企業(yè)的基礎上并重新命名.。SBA 修正案在與議會(huì )協(xié)商后由理事會(huì )通過(guò)。

一、五大戰略目標和三大行動(dòng)方針

根據最新的《歐洲芯片法案》草案及修正案內容顯示，《歐洲芯片法案》將確保歐盟加強其半導體生態(tài)系統，提高其韌性，并確保供應和減少外部依賴(lài)。為此將圍繞五大戰略目標進(jìn)行制定：

1、加強歐洲在更小、更快的芯片方面的研究和技術(shù)領(lǐng)先地位；

2、建設和加強自身在先進(jìn)芯片設計、制造和封裝方面的創(chuàng )新能力，并將其轉化為商業(yè)產(chǎn)品；

3、制定適當的框架，到 2030 年大幅提高產(chǎn)能，在全球半導體產(chǎn)能中的份額提高到20%；

4、解決嚴重的技能短缺問(wèn)題，吸引新人才并支持熟練勞動(dòng)力的出現；

5、深入了解全球半導體供應鏈。

在4月18日的會(huì )議上，歐盟委員會(huì )提出了三個(gè)主要行動(dòng)方針或支柱，以實(shí)現歐洲芯片法案的目標：

1、“歐洲芯片計劃”，支持大規模技術(shù)能力建設；

2、通過(guò)吸引投資確保供應安全和彈性的框架；

3、監測和危機應對系統，用于預測供應短缺并在發(fā)生危機時(shí)提供應對措施。

在當天的會(huì )議上，歐盟委員會(huì )各成員國在的第一和第二大行動(dòng)方針的相關(guān)細節上達成了妥協(xié)。

比如，在第一大行動(dòng)方針?lè )矫?，各方一致同意加Chips Joint Undertaking的能力，該聯(lián)合企業(yè)將負責選擇“卓越中心”（下面會(huì )進(jìn)行解釋?zhuān)?，作為其工作計劃的一部分?/p>

具體來(lái)說(shuō)，Chip Joint Undertaking是建立在Horizon Europe計劃的基礎上的聯(lián)合企業(yè)，這是一種涉及聯(lián)盟、成員國和私營(yíng)部門(mén)的公私合作伙伴關(guān)系。通過(guò)投資于歐盟范圍內和可公開(kāi)訪(fǎng)問(wèn)的研究、開(kāi)發(fā)和創(chuàng )新基礎設施來(lái)支持大規模的能力建設，促進(jìn)尖端和下一代半導體技術(shù)的發(fā)展。

Chip Joint Undertaking將匯集來(lái)自歐盟的資源，包括 Horizon Europe 和 Digital Europe 計劃、與現有聯(lián)盟計劃相關(guān)的成員國和第三方國家和地區，以及私營(yíng)部門(mén)。

總體目標側重于提高整個(gè)聯(lián)盟在尖端和下一代半導體技術(shù)方面的大規模制造能力，而四個(gè)具體目標則側重于建立集成半導體技術(shù)的大規模設計能力，加強現有和開(kāi)發(fā)新的試點(diǎn)線(xiàn)，建立先進(jìn)的技術(shù)和工程能力以加速量子芯片的發(fā)展，并在歐洲建立能力中心網(wǎng)絡(luò )。

在第二大行動(dòng)方針?lè )矫?，最終的妥協(xié)擴大了所謂“同類(lèi)首創(chuàng )”設施的范圍，包括那些用于半導體制造的生產(chǎn)設備?！巴?lèi)首創(chuàng )”設施有助于確保內部市場(chǎng)的供應安全，并可受益于許可證授予程序的快速跟蹤。此外，可顯著(zhù)增強歐盟創(chuàng )新芯片設計能力的設計中心可能會(huì )獲得由委員會(huì )授予的“卓越設計中心”歐洲標簽。成員國可以根據現有立法對獲得此標簽的設計中心采取支持措施。

此外，各方還一致強調了國際合作和保護知識產(chǎn)權作為創(chuàng )建半導體生態(tài)系統的兩個(gè)關(guān)鍵要素的重要性。

二、倡議方向：云上設計、先進(jìn)試驗線(xiàn)、量子芯片、人才培養

在《歐洲芯片法案》的具體實(shí)施方面，在4月18日的會(huì )議上，歐盟各國也在最新的提案當中給出了具體的措施。雖然最初歐盟委員會(huì )建議只為最先進(jìn)的晶圓廠(chǎng)提供資金，但現在已經(jīng)將范圍擴大到涵蓋整個(gè)價(jià)值鏈，除了先進(jìn)/成熟芯片的生產(chǎn)之外，還將發(fā)力芯片設計、先進(jìn)的試驗線(xiàn)、前沿的量子芯片和人才培養等方面。

《歐洲芯片法案》為加強歐盟的半導體行業(yè)建立了一個(gè)框架，包括：

1、建立歐洲芯片倡議；

2、制定標準，以承認和支持促進(jìn)歐盟半導體供應安全的一流綜合生產(chǎn)設施和開(kāi)放式歐盟鑄造廠(chǎng)；

3、在成員國和委員會(huì )之間建立一個(gè)協(xié)調機制，以監測半導體供應和應對半導體短缺的危機。具體來(lái)說(shuō)，就是尋求與理念相近的戰略伙伴合作，例如擁有半導體產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢的美國、日本、韓國及中國臺灣，通過(guò)“芯片外交倡議”以強化供應安全、應對斷鏈，并涵蓋芯片原料及第三國或地區出口管制等領(lǐng)域的對話(huà)協(xié)調，以確保芯片安全。

其中，歐洲芯片倡議主要包括以下五個(gè)部分：

總目標是支持整個(gè)歐盟的大規模技術(shù)能力建設和創(chuàng )新，以開(kāi)發(fā)和部署尖端和下一代半導體和量子技術(shù)，從而加強聯(lián)盟的先進(jìn)設計、系統集成和芯片生產(chǎn)能力，以及為實(shí)現數字化和綠色轉型做出貢獻。

1、集成半導體技術(shù)的設計能力

計劃通過(guò)建立一個(gè)可在歐盟范圍內使用的創(chuàng )新虛擬平臺，建立集成半導體技術(shù)的大規模創(chuàng )新設計能力。

該平臺將由新的創(chuàng )新設計設施和擴展的庫和電子設計自動(dòng)化（EDA）工具組成，集成大量現有和新技術(shù)（包括集成光子學(xué)、量子和人工智能/神經(jīng)形態(tài)等新興技術(shù)）。結合現有的EDA設計工具，它將允許設計創(chuàng )新的組件和新的系統概念，并展示關(guān)鍵功能，如高性能、低能耗、安全性、新的3D和異構系統架構的新方法等。

該平臺將與來(lái)自各個(gè)經(jīng)濟部門(mén)的用戶(hù)行業(yè)密切合作，將設計公司、IP和工具供應商的社區與RTO連接起來(lái)，以提供基于技術(shù)共同開(kāi)發(fā)的虛擬原型解決方案。將分擔風(fēng)險和開(kāi)發(fā)成本，并推廣新的基于網(wǎng)絡(luò )的訪(fǎng)問(wèn)設計工具的方法，包括靈活的成本模型（尤其是原型設計）和通用接口標準。

通過(guò)不斷的創(chuàng )新開(kāi)發(fā)來(lái)升級設計能力，例如基于開(kāi)源精簡(jiǎn)指令集計算機體系結構（RISC-V）的處理器體系結構。

它將通過(guò)云提供服務(wù)，通過(guò)在成員國建立現有和新的設計中心網(wǎng)絡(luò )，最大限度地擴大對整個(gè)社區的訪(fǎng)問(wèn)和開(kāi)放。

2、為創(chuàng )新生產(chǎn)、測試和實(shí)驗設施做準備的試驗線(xiàn)

該倡議將支持生產(chǎn)、測試及實(shí)驗設施的試驗線(xiàn)，彌合先進(jìn)半導體技術(shù)從實(shí)驗室到晶圓廠(chǎng)的差距。重點(diǎn)領(lǐng)域包括：

（a）試驗線(xiàn)，用于以開(kāi)放和可訪(fǎng)問(wèn)的方式對IP模塊、虛擬原型、新設計和新型集成異構系統的性能進(jìn)行實(shí)驗、測試和驗證，包括通過(guò)流程設計工具包。

上述虛擬平臺將允許對新的IP模塊和新的系統概念進(jìn)行設計探索，通過(guò)早期的工藝設計套件在試驗線(xiàn)上進(jìn)行測試和驗證，并在轉移到制造之前提供即時(shí)反饋以完善和改進(jìn)模型。從一開(kāi)始，該倡議將與設計基礎設施協(xié)同擴展幾個(gè)現有的試點(diǎn)項目，以使設計和（虛擬）原型項目能夠進(jìn)入。

（b）通過(guò)整合研究和創(chuàng )新活動(dòng)，為未來(lái)技術(shù)節點(diǎn)的開(kāi)發(fā)做準備，加強下一代芯片生產(chǎn)技術(shù)的技術(shù)能力，建立半導體技術(shù)上的新先導管線(xiàn)（New Pilot Lines），如低至10-7nm的FD-SOI、先進(jìn)的Gate All Around（GAA）技術(shù)和2nm及以下的前沿節點(diǎn)，以及用于3D異構系統集成和高級封裝的先導線(xiàn)。試點(diǎn)項目將整合最新的研究和創(chuàng )新活動(dòng)及其成果。

該計劃將包括一個(gè)專(zhuān)用的設計基礎設施，例如由模擬用于設計芯片上電路和系統的設計工具的制造過(guò)程的設計模型組成。將建立這一設計基礎設施和用戶(hù)友好的試點(diǎn)線(xiàn)路虛擬化，使其能夠通過(guò)上述設計平臺在整個(gè)歐洲直接訪(fǎng)問(wèn)。這種聯(lián)系將使設計界能夠在技術(shù)選項商業(yè)化之前對其進(jìn)行測試和驗證。它將確保新的芯片和系統設計充分利用新技術(shù)的潛力，并提供前沿創(chuàng )新。

這些試驗線(xiàn)將共同推動(dòng)歐洲在半導體制造技術(shù)方面的知識產(chǎn)權、技能和創(chuàng )新，并將加強和擴大歐洲在先進(jìn)半導體技術(shù)模塊（如光刻和晶圓技術(shù)）的新制造設備和材料方面的地位。

此外，還將組織與行業(yè)的密切合作和協(xié)作， 通過(guò)使用新的或現有的試驗線(xiàn)來(lái)支持大規模創(chuàng )新，以對集成關(guān)鍵功能的新設計概念進(jìn)行實(shí)驗、測試和驗證，例如先進(jìn)封裝、3D異構集成技術(shù)，以及用于電力電子的新型材料和架構，促進(jìn)可持續能源和電移動(dòng)性，降低能耗，安全性，更高水平的計算性能或集成突破性技術(shù)，如神經(jīng)形態(tài)和嵌入式人工智能（AI）芯片、集成光子學(xué)、石墨烯、量子技術(shù)和其他基于2D材料的技術(shù)。

這種強大的擴展泛歐洲試驗線(xiàn)基礎設施與設計支持基礎設施密切相關(guān)，是擴大歐洲知識、能力和能力的基礎，以縮小從公共資助的研究到商業(yè)資助的制造的創(chuàng )新差距，并在本世紀末增加歐洲的需求和制造業(yè)。

3、量子芯片的先進(jìn)技術(shù)和工程能力

該倡議將解決未來(lái)一代利用非經(jīng)典原理的信息處理組件的具體需求，特別是基于研究活動(dòng)的利用量子效應的芯片（即量子芯片）。重點(diǎn)領(lǐng)域包括：

（a）量子芯片的創(chuàng )新設計庫建立在基于半導體和光電的量子位平臺的經(jīng)典半導體行業(yè)成熟工藝的設計和制造工藝基礎上；為與半導體不兼容的替代量子位平臺開(kāi)發(fā)創(chuàng )新和先進(jìn)的設計庫和制造工藝。

（b）用于集成量子電路和控制電子器件的試驗線(xiàn)，用于在正在進(jìn)行的研究的基礎上構建量子芯片；以及，為原型設計和生產(chǎn)提供專(zhuān)用的潔凈室和鑄造廠(chǎng)，減少小批量量子組件開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)的進(jìn)入壁壘，加快創(chuàng )新周期。

（c） 測試和實(shí)驗設施，用于測試和驗證試驗線(xiàn)生產(chǎn)的先進(jìn)量子組件，關(guān)閉量子組件的設計者、生產(chǎn)者和用戶(hù)之間的創(chuàng )新反饋回路。

4、建立能力中心和技能發(fā)展網(wǎng)絡(luò )

（a）在每個(gè)成員國建立一個(gè)能力中心網(wǎng)絡(luò )，以促進(jìn)這些技術(shù)的使用，充當上述先進(jìn)設計平臺和試驗線(xiàn)的接口，促進(jìn)其有效使用，并向包括最終用戶(hù)中小企業(yè)在內的利益攸關(guān)方提供專(zhuān)業(yè)知識和技能。能力中心將為行業(yè)提供創(chuàng )新服務(wù)，特別關(guān)注中小企業(yè)、學(xué)術(shù)界和公共當局，為各種用戶(hù)提供量身定制的解決方案，以促進(jìn)歐洲更廣泛地采用設計和先進(jìn)技術(shù)。他們還將幫助在歐洲培養一支高技能的勞動(dòng)力隊伍。

（b）在技能方面，將圍繞設計工具和半導體技術(shù)在地方、地區或泛歐層面組織具體的培訓行動(dòng)。研究生獎學(xué)金將得到支持。這些行動(dòng)將與學(xué)術(shù)界合作，補充《技能公約》下的工業(yè)承諾，增加實(shí)習和學(xué)徒人數。還將關(guān)注針對從其他部門(mén)轉移過(guò)來(lái)的工人的再培訓和技能提升計劃。

5、半導體價(jià)值鏈中的初創(chuàng )企業(yè)、規模擴大企業(yè)、中小企業(yè)和其他公司獲得資本的“芯片基金”活動(dòng)。

該倡議將通過(guò)支持初創(chuàng )企業(yè)、大規模擴大企業(yè)和中小企業(yè)廣泛獲得風(fēng)險投資，以可持續的方式發(fā)展業(yè)務(wù)和擴大市場(chǎng)份額，支持創(chuàng )建繁榮的半導體和量子創(chuàng )新生態(tài)系統。

希望提高歐盟預算支出的杠桿效應，并在吸引私營(yíng)部門(mén)融資方面實(shí)現更高的乘數效應。向面臨融資困難的公司提供支持，并解決鞏固歐盟及其成員國經(jīng)濟韌性的需要；加快半導體制造技術(shù)和芯片設計領(lǐng)域的投資，利用公共和私營(yíng)部門(mén)的資金，同時(shí)提高整個(gè)半導體價(jià)值鏈的供應安全。

為了實(shí)施“歐洲芯片倡議”資助的合格行動(dòng)和其他相關(guān)任務(wù)，歐盟將成立歐洲芯片基礎設施聯(lián)盟（“CIC”），監測執行情況的可衡量指標，及時(shí)匯報進(jìn)展，推動(dòng)目標實(shí)現。

三、430億歐元預算恐怕遠遠不夠

根據此前的計劃顯示，歐盟將在“下一代歐盟計劃”（NextGenerationEU）、“地平線(xiàn)歐洲”（Horizon Europe）等歐盟預算中已承諾的300億歐元的公共投資的基礎上，到2030年再增加超過(guò)150億歐元的額外公共和私人投資，使得總體的投資將達到430億歐元。其中，110億歐元將用于加強現有的研究、開(kāi)發(fā)和創(chuàng )新，以確保部署先進(jìn)的半導體工具以及用于原型設計、測試的試驗生產(chǎn)線(xiàn)等。

對于這樣的資金分配框架，一些歐盟成員國存在分歧，較小的歐盟國家抗議這種安排通常有利于德國等已經(jīng)擁有完善工業(yè)的較大經(jīng)濟體。

據了解，擔任歐盟輪值主席國的捷克政府選擇取消一項從旗艦“地平線(xiàn)歐洲”研究計劃中重新分配 4 億歐元（4.16 億美元）資金的提議。似乎其他方面也縮減了一些資金，使得最終達成的《歐洲芯片法案》配套的補貼資金縮水到了430億歐元。

“歐洲芯片法案”預計將動(dòng)員 430 億歐元的公共和私人投資，這其中 33 億歐元來(lái)自歐盟的直接預算。其中包括通過(guò) Horizon Europe 計劃提供的 16.5 億歐元和通過(guò) Digital Europe 計劃提供的 16.5 億歐元。在這一總額達33億歐元的預算當中，28.75 億歐元將通過(guò) Chips Joint Undertaking實(shí)施。

根據歐盟的預測，芯片需求預計將在2022年至2030年間翻一番。據估計，到2030年，半導體產(chǎn)業(yè)的價(jià)值約為1萬(wàn)億美元。但是目前歐洲在全球半導體制造市場(chǎng)的份額僅為10%。歐盟汽車(chē)、IT和電信行業(yè)的大部分芯片都是在歐洲以外制造的，這給歐洲的愛(ài)立信、大眾和諾基亞等公司帶來(lái)了挑戰。

在歐盟及《歐洲芯片法案》的推動(dòng)下，英特爾、英飛凌、意法半導體和格芯（GlobalFoundries）等芯片生產(chǎn)商已經(jīng)承諾在德國和法國建設數十億歐元的設施，并將根據新的法規尋求補貼。最新的消息顯示，臺積電也正在考慮在德國投資建設28nm晶圓廠(chǎng)，但目前尚未最終決定。

不過(guò)，在上游原材料及建設成本的上漲之下，疊加半導體市場(chǎng)復蘇的不及預期，目前眾多的晶圓制造商都開(kāi)始縮減資本支出及放緩擴產(chǎn)。最新的報道顯示英特爾330億歐元在德國馬德堡建造兩個(gè)新晶圓廠(chǎng)的計劃遭到了擱置，雖然歐盟承諾提供65億美元的補貼，但是由于成本的上升，英特爾還在尋求尋求德國政府額外補助40 億至50 億歐元。

顯然，如果英特爾投資330億歐元，就能拿走超過(guò)100億歐元的補貼，歐盟希望依靠430億歐元的投資在2030年實(shí)現20%芯片制造份額的目標是遠遠不夠的。

此前恩智浦半導體CEO庫爾特西弗斯就警告稱(chēng)，歐盟為“芯片法案”分配的資金遠遠不足以實(shí)現其為 2030 年設定的目標。他認為，歐洲芯片制造商需要大約 5000 億歐元的投資才能達到提議的 20% 的市場(chǎng)份額，而不是提出的 430 億歐元。

CLEPA-歐洲汽車(chē)供應商協(xié)會(huì )、政府事務(wù)高級政策經(jīng)理William MOREAU此前也曾表示，要實(shí)歐洲芯片產(chǎn)量占全球芯片產(chǎn)量20%的目標，歐洲半導體產(chǎn)業(yè)實(shí)際上需要2400億至6000億歐元的私人投資總額，因此政策需要積極在調動(dòng)對于私人投資吸引力方面發(fā)揮更大的作用。

雖然一位歐盟官員表示，自去年宣布其芯片補貼計劃以來(lái)，歐盟已經(jīng)吸引了超過(guò)1000億歐元的公共和私人投資。但這遠遠不夠。

總部位于華盛頓的戰略與國際研究中心的技術(shù)專(zhuān)家保羅·特里奧洛（Paul Triolo）等分析師也表示，歐盟可能難以縮小與競爭對手的差距?！芭c美國一樣，歐盟需要解決的關(guān)鍵問(wèn)題是，有多少支持該行業(yè)的供應鏈可以轉移到歐盟，成本是多少?！碧乩飱W洛說(shuō)。