新突破：一次擴徑技術(shù)將碳化硅襯底從6英寸直接擴到8英寸！

 

國內與國際，在8英寸碳化硅襯底上的差距更為明顯。

 

碳化硅8英寸襯底的第一個(gè)技術(shù)難點(diǎn)是籽晶，籽晶雖然可以用激光切割然后拼接的方法來(lái)制作籽晶，但拼接位置的缺陷是幾乎難以去除，可以做晶體生長(cháng)基礎研究，量產(chǎn)就不行了。量產(chǎn)用的籽晶還是需要慢慢的擴出來(lái)，在擴的過(guò)程保留品質(zhì)好的晶體進(jìn)行優(yōu)選繁衍，這個(gè)過(guò)程是非常耗時(shí)的，沒(méi)有好的籽晶就不可能繁衍出好的晶體，就如同沒(méi)有好的種子，是不會(huì )長(cháng)出好的莊稼一樣。通常每次擴徑幾個(gè)毫米，從6英寸擴到8英寸擴徑時(shí)間甚至按年為單位。

 

恒普科技提供一個(gè)創(chuàng )新的解決方案，一次性將6英寸擴到8英寸的技術(shù)方向，為行業(yè)提供一種新的思路，推進(jìn)國內行業(yè)的8英寸碳化硅襯底國際競爭力。

 

恒普科技以≤45°晶錠的角度晶體生長(cháng)厚度≥30mm，單邊擴徑接近≥25mm，這樣就一次性將晶體擴徑≥50mm，實(shí)現從150mm一次性擴徑到200mm的技術(shù)路線(xiàn)。

 

恒普科技當下單邊擴徑≥20mm，無(wú)多型，微管≤0.05ea/cm2，生長(cháng)速度≥0.3mm/h，導流環(huán)無(wú)TaC涂層； 預計近期可以達到單邊25~30mm，并優(yōu)化面型。

 

 

擴徑的技術(shù)核心難點(diǎn)是：熱場(chǎng)的溫度控制、邊緣多晶、物質(zhì)流傳輸（氣相輸運）。

 

恒普科技運用多年掌握的溫度控制技術(shù)，將熱場(chǎng)溫度調節為有利于晶體擴徑的溫度梯度，并加以調節。

 

氣相組分是產(chǎn)生邊緣多晶的主要原因之一，不合理的氣相組分非常容易產(chǎn)生邊緣多晶，而導致擴徑失敗。

 

與晶體生長(cháng)相同，物質(zhì)流對于擴徑也是至關(guān)重要，采用特殊改良的【新工藝】熱場(chǎng)，使氣相儲運滿(mǎn)足擴徑。

 

恒普科技 | 零實(shí)驗室，致力于材料的基礎研究和創(chuàng )新方向探索。