臺積電3納米恐是敗筆

臺積電成臺股震央，臺積電將在7月14日舉行法說(shuō)會(huì )，知名半導體分析師陸行之表示，臺積電加速被外資賤賣(mài)，看起來(lái)下半年將量產(chǎn)的3納米是一大敗筆，7月14日別再浪費時(shí)間在第2季數字，投資更應擔憂(yōu)長(cháng)期營(yíng)收成長(cháng)目標、客戶(hù)訂單延遲、產(chǎn)用率、毛利率等4大問(wèn)題。

外資****臺積電不停歇，陸行之表示，看起來(lái)即使臺積電加速被外資賤賣(mài)，公司還是不宣布短期營(yíng)收增長(cháng)趨勢改變，資本開(kāi)支大增在產(chǎn)能利用率下滑后，對獲利率的風(fēng)險。

陸行之也罕見(jiàn)指出，臺積電今年下半年量產(chǎn)的3納米制程（N3），看起來(lái)是一大敗筆，明顯跟5納米、7納米量產(chǎn)時(shí)程間隔多延遲半年，不但讓Apple無(wú)法在9月份要推出的新手機采用，在上周的技術(shù)論壇似乎干脆把3納米省略不比，直接拿3納米升級版（N3E）來(lái)跟5納米比。

如果3納米升級版才是2023年貢獻臺積電營(yíng)收的主力的3納米產(chǎn)品，那表示3納米升級版，對比過(guò)去的先進(jìn)制程足足多了至少1年，這也難怪2納米要被延遲到2025年下半年才能量產(chǎn)出貨了，送給了競爭者1年喘息的空間。

市場(chǎng)關(guān)注臺積電7月14日法說(shuō)會(huì )，但陸行之點(diǎn)出，別再浪費時(shí)間在第2季數字，投資更應擔憂(yōu)長(cháng)期營(yíng)收成長(cháng)目標、客戶(hù)訂單延遲、產(chǎn)用率、毛利率等4大問(wèn)題：

1. 臺積電2023-2024年的營(yíng)收增長(cháng)是否會(huì )低于先前提供，15-20%年復合成長(cháng)率目標？是否下修？如果目標沒(méi)變，公司是否考量（factored in) 客戶(hù)的庫存反向減少及全球通膨／股市崩跌對科技產(chǎn)品及半導體需求的重大影響，而不是靠著(zhù)客戶(hù)可延遲及取消的在手訂單來(lái)擴產(chǎn)及告訴投資人。

2. 臺積電對重大客戶(hù)延遲或取消長(cháng)約訂單是否有處罰或分攤損失機制？

3. 12吋先進(jìn)制程，12吋成熟制程，8吋特殊制程產(chǎn)能利用率要下滑到多少，公司才會(huì )考量將資本開(kāi)支采煞車(chē)。

4. 一切假設基礎不變，假如產(chǎn)能利用率下滑10%，20%，對公司毛利率的影響有多大。

高盛證券則指出，雖然2023年看起來(lái)充滿(mǎn)挑戰，同步面臨需求不確定性、通膨與2022年高基期考驗，然臺積電透過(guò)3納米制程順利量產(chǎn)與漲價(jià)策略，看好仍可端出優(yōu)異表現。針對即將到來(lái)的法說(shuō)會(huì )，高盛提出觀(guān)察重點(diǎn)有：

一、臺積電對終端需求看法如何，尤其在高效能運算（HPC）領(lǐng)域，以及整體半導體產(chǎn)業(yè)（不含記憶體）在通膨環(huán)境中的長(cháng)線(xiàn)成長(cháng)預期。

二、臺積電可望釋出更多擴產(chǎn)細節，并期待臺積電對成熟制程供需狀況提出最新觀(guān)察。

三、臺積電3納米制程2021年底進(jìn)入風(fēng)險試產(chǎn)，量產(chǎn)時(shí)程在下半年，然而半導體設備供貨出現延遲，對臺積電有何潛在影響？

N3：未來(lái)三年的五個(gè)節點(diǎn)

隨著(zhù)制造工藝變得越來(lái)越復雜，它們的尋路、研究和開(kāi)發(fā)時(shí)間也變得越來(lái)越長(cháng)，因此我們不再看到臺積電和其他代工廠(chǎng)每?jì)赡昃蜁?huì )出現一個(gè)全新的節點(diǎn)。在 N3 中，臺積電的新節點(diǎn)引入節奏將擴大到 2.5 年左右，而在 N2 中，它將延長(cháng)到 3 年左右。

這意味著(zhù)臺積電將需要提供 N3 的增強版本，以滿(mǎn)足其客戶(hù)的需求，這些客戶(hù)仍在尋求每瓦性能的改進(jìn)以及晶體管密度每年左右的提升。臺積電及其客戶(hù)需要多個(gè)版本的 N3 的另一個(gè)原因是，代工廠(chǎng)的 N2 依賴(lài)于使用納米片實(shí)現的全新柵極環(huán)繞場(chǎng)效應晶體管 (GAA FET)，預計這將帶來(lái)更高的成本、新的設計方法、新 IP 和許多其他變化。雖然尖端芯片的開(kāi)發(fā)人員將很快轉向 N2，但臺積電的許多普通客戶(hù)將在未來(lái)幾年堅持使用各種 N3 技術(shù)。

在其 2022 年臺積電技術(shù)研討會(huì )上，該代工廠(chǎng)談到了將在未來(lái)幾年推出的四種 N3 衍生制造工藝（總共五個(gè) 3 納米級節點(diǎn)）——N3E、N3P、N3S 和 N3X。這些 N3 變體旨在為超高性能應用提供改進(jìn)的工藝窗口、更高的性能、增加的晶體管密度和增強的電壓。所有這些技術(shù)都將支持 FinFlex，這是 TSMC 的“秘密武器”功能，極大地增強了他們的設計靈活性，并允許芯片設計人員精確優(yōu)化性能、功耗和成本。

*請注意，臺積電在 2020 年左右才開(kāi)始分別發(fā)布針對模擬、邏輯和 SRAM 的晶體管密度增強。其中一些數字仍然反映了由 50% 邏輯、30% SRAM 和 20% 模擬組成的“混合”密度