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鐵電存儲器
鐵電存儲器 文章 進(jìn)入鐵電存儲器技術(shù)社區
鐵電存貯器FRAM技術(shù)原理
- 鐵電存貯器是一種全新的存貯器,它的核心技術(shù)是鐵電晶體材料。鐵電存貯器的最大特點(diǎn)是可以跟隨總線(xiàn)速度無(wú)限次的寫(xiě)入,而且寫(xiě)入功耗極低。文中給出了 FRAM鐵電存貯器與普通存貯器的性能比較。指出了FRAM的主要應用領(lǐng)域。最后列出了RAMTRON串行和并行鐵電存貯器的主要型號和參數。
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富士通:鐵電存儲器我也很牛的!

- 鐵電隨機存取記憶體(Ferroelectric RAM,FRAM;或稱(chēng)FeRAM)由于結合了ROM與RAM的優(yōu)勢,具備非揮發(fā)性、高速寫(xiě)入、高耐受度、低功耗等方面的條件,在這幾年來(lái)不斷擴大市場(chǎng)版圖,特別是在工業(yè)應用領(lǐng)域備受矚目;隨著(zhù)物聯(lián)網(wǎng)(IoT)崛起,FRAM也可望在各類(lèi)智慧連網(wǎng)裝置上找到更多新應用商機。 在FRAM技術(shù)領(lǐng)域耕耘15年的日商富士通半導體(Fujitsu Semiconductor),自1999年首度量產(chǎn) FRAM 元件以來(lái),全球出貨量累計已超過(guò)25億顆,具備多樣化的產(chǎn)品種類(lèi)選擇;
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鐵電存儲器的主要技術(shù)特點(diǎn)
- 電能表經(jīng)過(guò)一個(gè)世紀多的演進(jìn):由機械式電表到今日的各種不同型式的電子電能表,包含新的預付費電能表復費率電...
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鐵電存儲器在混合動(dòng)力/電動(dòng)汽車(chē)上的應用
- 鐵電存儲器由于高耐久性、快速寫(xiě)入、低功耗、瞬間儲存以及設計簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn),在汽車(chē)事件數據記錄儀(EDR),ECU設計中來(lái)完成數據采集和診斷信息等地方廣泛應用,然而在混合動(dòng)力及電動(dòng)汽車(chē)剛剛興起之時(shí),Ramtron也將鐵電用
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鐵電存儲器FM25640及其在電表數據存儲中的應用

- 0 引言 在電子技術(shù)日新月異、新型多功能電能表層出不窮的今天,電能表中存儲器的選擇也是多種多樣,存儲器的好壞直接關(guān)系到電能表的正常使用和測量精度。目前應用最多的方案仍是SRAM加后備電池、EEPROM、NVRAM這三種。但這三種方案均存在著(zhù)缺陷。其中SRAM加后備電池的方法增加了硬件設計的復雜性,同時(shí)由于加了電池又降低了系統的可靠性;而EEPROM的可擦寫(xiě)次數較少(約10萬(wàn)次),且寫(xiě)操作時(shí)間較長(cháng)(約10 ms);而NVRAM的價(jià)格問(wèn)題又限制了它的普及應用。因此,工程人員在設計電能表的存儲模塊時(shí),
- 關(guān)鍵字: 鐵電存儲器 電表數據存儲 MCU SPI
鐵電存儲器在無(wú)線(xiàn)公話(huà)上的應用方案的介紹
- 鐵電存儲器在無(wú)線(xiàn)公話(huà)上的應用方案的介紹
- 關(guān)鍵字: 鐵電存儲器 方案 無(wú)線(xiàn)
鐵電存儲器介紹
鐵電存儲器(FRAM)產(chǎn)品將ROM的非易失性數據存儲特性和RAM的無(wú)限次讀寫(xiě)、高速讀寫(xiě)以及低功耗等優(yōu)勢結合在一起。FRAM產(chǎn)品包括各種接口和多種密度,像工業(yè)標準的串行和并行接口,工業(yè)標準的封裝類(lèi)型,以及4Kbit、16Kbit、64Kbit、256Kbit和1Mbit等密度?! ∈紫纫f(shuō)明的是鐵電存儲器和浮動(dòng)柵存儲器的技術(shù)差異?,F有閃存和EEPROM都是采用浮動(dòng)柵技術(shù),浮動(dòng)柵存儲單元包含一個(gè)電 [ 查看詳細 ]
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