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三星電子擬投資8萬(wàn)億韓元在平澤建NAND閃存生產(chǎn)線(xiàn)

據國外媒體報道，三星電子日前表示，計劃投資8萬(wàn)億韓元（約合人民幣466億元）在韓國平澤工業(yè)園區建NAND閃存生產(chǎn)線(xiàn)。三星電子生產(chǎn)線(xiàn)建設上月已經(jīng)開(kāi)始，預計2021年下半年開(kāi)始生產(chǎn)三星最先進(jìn)的V-NAND產(chǎn)品。三星電子表示，此次投資旨在應對隨著(zhù)人工智能、物聯(lián)網(wǎng)等第四次工業(yè)革命，以及5G普及而來(lái)的NAND需求。上月，三星電子還透露，已在平澤投資建設生產(chǎn)線(xiàn)，新產(chǎn)線(xiàn)專(zhuān)注于基于極紫外光刻（EUV）技術(shù)的5nm、及以下制程。新產(chǎn)線(xiàn)已開(kāi)始建設，預計明年下半年開(kāi)始量產(chǎn)5nm芯片。三星電子表示，加上平澤生產(chǎn)線(xiàn)，韓國將擁有7條
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集邦咨詢(xún)：數據中心需求大增，NAND Flash營(yíng)收成長(cháng)8.3%

根據集邦咨詢(xún)半導體研究中心(DRAMeXchange)調查，2020年第一季NAND Flash（閃存）位元出貨量較前一季大致持平，加上平均銷(xiāo)售單價(jià)上漲，帶動(dòng)整體產(chǎn)業(yè)營(yíng)收季成長(cháng)8.3%，達136億美元。延續去年第四季開(kāi)始的數據中心強勁采購力道，第一季Enterprise SSD仍是供不應求。此外，自年初起，各供應商當時(shí)的庫存水位多已恢復至正常，也帶動(dòng)主要產(chǎn)品合約價(jià)呈現上漲。隨后在農歷春節期間爆發(fā)新冠肺炎疫情，根據集邦咨詢(xún)當時(shí)的調查，服務(wù)器供應鏈的恢復狀況優(yōu)于筆記本電腦及智能手機，也因此對于數據中心需求
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集邦咨詢(xún)：數據中心需求大增，第一季NAND Flash營(yíng)收成長(cháng)8.3%

根據集邦咨詢(xún)半導體研究中心(DRAMeXchange)調查，2020年第一季NAND Flash（閃存）位元出貨量較前一季大致持平，加上平均銷(xiāo)售單價(jià)上漲，帶動(dòng)整體產(chǎn)業(yè)營(yíng)收季成長(cháng)8.3%，達136億美元。
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英特爾最新發(fā)展藍圖：明年或全面轉向144層堆疊NAND

處理器龍頭英特爾(Intel)近期在快閃存儲器的發(fā)展上也隨著(zhù)其他各家廠(chǎng)商的腳步，開(kāi)始有了新的進(jìn)度。根據外媒報導，英特爾的快閃存儲器部門(mén)最近公布了發(fā)展藍圖，在目前其他各家NAND快閃存儲器供應商都已經(jīng)開(kāi)始向1xx層堆疊的發(fā)展當下，作為主要NAND制造商之一的英特爾也預計在2021年全面轉向144層堆疊的產(chǎn)品發(fā)展。
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群聯(lián)全系列控制芯片支持長(cháng)江存儲3D NAND

電子醫療設備、電競游戲機、NB筆記本電腦、電視機頂盒、云端服務(wù)器服務(wù)等因為新冠肺炎 (COVID-19) 所產(chǎn)生的醫護或宅經(jīng)濟需求上升，不僅刺激了閃存儲存裝置 (NAND StorageDevices) 維持穩健的成長(cháng)動(dòng)能，更讓NAND Flash產(chǎn)業(yè)成為這波疫情的少數成長(cháng)亮點(diǎn)之一。而近期受到討論的閃存 (NAND Flash) 產(chǎn)業(yè)新人長(cháng)江存儲 (YMTC)，在2016年加入NAND Flash設計生產(chǎn)后，也為市場(chǎng)添增了一股活力。
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群聯(lián)全系列控制芯片支持長(cháng)江存儲3D NAND

電子醫療設備、電競游戲機、NB筆記本電腦、電視機頂盒、云端服務(wù)器服務(wù)等因為新冠肺炎 (COVID-19) 所產(chǎn)生的醫護或宅經(jīng)濟需求上升，不僅刺激了閃存儲存裝置 (NAND StorageDevices) 維持穩健的成長(cháng)動(dòng)能，更讓NAND Flash產(chǎn)業(yè)成為這波疫情的少數成長(cháng)亮點(diǎn)之一。而近期受到討論的閃存 (NAND Flash) 產(chǎn)業(yè)新人長(cháng)江存儲 (YMTC)，在2016年加入NAND Flash設計生產(chǎn)后，也為市場(chǎng)添增了一股活力。
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長(cháng)江存儲：128層3D NAND技術(shù)會(huì )按計劃在今年推出

據證券時(shí)報消息，長(cháng)江存儲CEO楊士寧在接受采訪(fǎng)時(shí)談及了該公司最先進(jìn)的128層3D NAND技術(shù)的研發(fā)進(jìn)度。楊士寧表示，128層3D NAND技術(shù)研發(fā)進(jìn)度短期確實(shí)會(huì )有所波及。但目前長(cháng)江存儲已實(shí)現全員復工，從中長(cháng)期來(lái)看，這次疫情并不會(huì )影響總體進(jìn)度。128層技術(shù)會(huì )按計劃在2020年推出。今年早些時(shí)候，長(cháng)江存儲市場(chǎng)與銷(xiāo)售資深副總裁龔翔表示，接下來(lái)，長(cháng)江存儲將跳過(guò)如今業(yè)界常見(jiàn)的96層，直接投入128層閃存的研發(fā)和量產(chǎn)工作?！L(cháng)江存儲64層3D NAND閃存晶圓了解到，長(cháng)江存儲科技有限責任公司成立于2016年7月，總
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集邦咨詢(xún)：受新冠肺炎疫情擴大沖擊，NAND Flash均價(jià)可能提前于下半年反轉向下

根據集邦咨詢(xún)半導體研究中心(DRAMeXchange)最新調查，雖然新冠肺炎疫情延燒，使得2020年第一季的終端產(chǎn)品出貨動(dòng)能格外疲弱，但在NAND Flash領(lǐng)域，因為2020年全年供給位元產(chǎn)出年成長(cháng)收斂至三成，加上各大供應商資本支出保守，第一季NAND Flash均價(jià)在淡季仍上漲約5%。
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華邦電進(jìn)軍車(chē)用、工業(yè)領(lǐng)域

存儲器大廠(chǎng)華邦電近日宣布，開(kāi)發(fā)出業(yè)界首款新型高速Octal NAND Flash產(chǎn)品，可望使高容量序列（Serial）介面NAND Flash成為當前Octal NOR Flash可行的低成本替代方案，解決NOR Flash容量愈大、成本愈高問(wèn)題。華邦電表示，Octal NAND Flash可望于1Gb以上儲存容量級別，提供車(chē)用與工業(yè)應用領(lǐng)域穩健可靠的儲存存儲器。
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存儲器行業(yè)的冰與火之歌：凜冬是否已經(jīng)結束？

據IDC預測，2025年全球數據將有175 ZettaBytes的總量，如此驚人而又龐大的數據量，半導體存儲器將具有極大的市場(chǎng)。半導體存儲器分為易失存儲器和非易失存儲器兩種，具體類(lèi)型如下：“凜冬將至”：這兩年的存儲器市場(chǎng)2017年的存儲器市場(chǎng)可以用火熱來(lái)形容，三大存儲器公司（三星、海力士、美光）的財報都非常喜人，SK海力士、美光的營(yíng)收規模均成長(cháng)近8成，而三星電子更是奪取了英特爾把持多年的全球半導體營(yíng)收頭把交椅。整體來(lái)說(shuō)，2017年全球半導體市場(chǎng)規模比2016年成長(cháng)22.2%，達4197.2億美元，存儲器的
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Silicon Labs攜手Z-Wave聯(lián)盟向芯片和協(xié)議棧供應商開(kāi)放Z-Wave，擴大智能家居生態(tài)系統

近日，Silicon Labs（亦稱(chēng)“芯科科技”）攜手Z-Wave聯(lián)盟（Z-Wave Alliance）共同宣布了新的計劃：開(kāi)放Z-Wave?規范使其成為一種已批準的、多源無(wú)線(xiàn)通信標準，并將提供給所有芯片和協(xié)議棧供應商用于開(kāi)發(fā)。借助這一變革，半導體和軟件提供商就能夠加入Z-Wave生態(tài)系統，為這種領(lǐng)先智能家居標準的未來(lái)發(fā)展做出貢獻，并開(kāi)發(fā)和提供sub-GHz Z-Wave射頻器件和軟件協(xié)議棧。Z-Wave聯(lián)盟將進(jìn)一步擴展為一家Z-Wave規范的標準開(kāi)發(fā)組織，并將繼續管理包括軟件和硬件在內的Z-Wave認證
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引領(lǐng)存儲新架構構建數據金字塔英特爾通過(guò)傲騰和QLC NAND技術(shù)變革存儲未來(lái)

近日，以“數智·未來(lái)”為主題的2019中國數據與存儲峰會(huì )在北京成功舉辦。匯聚全球數據存儲領(lǐng)域知名的專(zhuān)家學(xué)者、企業(yè)領(lǐng)軍人物與代表性企業(yè)用戶(hù)，本次峰會(huì )旨在幫助企業(yè)和社會(huì )提升數據智能水平，推動(dòng)全球存儲與數據產(chǎn)業(yè)發(fā)展。英特爾公司中國區非易失性存儲事業(yè)部總經(jīng)理劉鋼先生出席大會(huì )并發(fā)表演講，不僅從產(chǎn)品層面闡述了英特爾如何通過(guò)傲騰?技術(shù)和QLC NAND?技術(shù)填補當前存儲層級中的巨大鴻溝，還通過(guò)諸多用戶(hù)案例進(jìn)一步展示英特爾如何通過(guò)內存與存儲的產(chǎn)品、技術(shù)創(chuàng )新引領(lǐng)存儲新架構，構建數據金字塔。英特爾公司中國區非易失性存儲事業(yè)部
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SK海力士128層4D NAND出樣

近日消息根據guru3D的報道，隨著(zhù)NAND閃存技術(shù)的創(chuàng )新發(fā)展，固態(tài)硬盤(pán)TB內存時(shí)代即將到來(lái)，SK海力士現已推出了第一批基于其128層4D NAND產(chǎn)品樣品。
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GPU-Z 2.25.0發(fā)布：可顯示是否支持光線(xiàn)追蹤

顯卡玩家必備軟件GPU-Z今天升級到最新的2.25.0版本，繼續支持新硬件、增加新功能、修復Bug，其中特別有趣的就是增加了更多API支持狀態(tài)顯示，包括DirectX RayTracing光線(xiàn)追蹤、Vulkan、OpenGL、DirectML機器學(xué)習等。
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中國首款！長(cháng)江存儲啟動(dòng)64層3D NAND閃存量產(chǎn)

網(wǎng)易科技訊 9月2日消息紫光集團旗下長(cháng)江存儲在IC China 2019前夕宣布，公司已開(kāi)始量產(chǎn)基于Xtacking架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿(mǎn)足固態(tài)硬盤(pán)、嵌入式存儲等主流市場(chǎng)應用需求。
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