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xperia 1 v 文章 進(jìn)入xperia 1 v技術(shù)社區
Codasip 700系列正式問(wèn)世,賦能定制計算!
- 如今，利用新的方法來(lái)創(chuàng )造差異化的產(chǎn)品是當今技術(shù)創(chuàng )新者們所追求的目標。當半導體擴展規律已經(jīng)顯示出極限時(shí)，我們該如何滿(mǎn)足對更高計算性能的需求？辦法只有一個(gè)：為特定需求定制計算。具體來(lái)說(shuō)滿(mǎn)足定制計算需要具備架構優(yōu)化、應用剖析、硬件/軟件協(xié)同優(yōu)化，以及建立在強大設計基礎上的領(lǐng)域專(zhuān)用加速等要素。這些要素加上盡可能簡(jiǎn)潔的設計流程以提高效率，并縮短上市時(shí)間，同時(shí)可以讓客戶(hù)掌握自主權并保持靈活性。用于定制計算的下一代RISC-V處理器 - Codasip全新700系列Codasip的全新700系列是一個(gè)可配置且可定制的R
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臺積電高雄廠(chǎng)已完成2nm營(yíng)運團隊建設，未來(lái)或切入1.4nm
- 據中國臺灣經(jīng)濟日報報道，臺積電高雄廠(chǎng)正式編定為臺積22廠(chǎng)（Fab 22），并且完成該廠(chǎng)2nm營(yíng)運團隊建設。臺積電供應鏈認為，臺積電或許可能將高達逾7000億新臺幣的1.4nm投資計劃轉向高雄，但仍視其他縣市爭取臺積電進(jìn)駐態(tài)度及臺積電全盤(pán)規劃而定。報道指出，臺積電打破在不同產(chǎn)區同時(shí)生產(chǎn)最先進(jìn)制程的慣例，將高雄廠(chǎng)原計劃切入28納米及7納米的規劃，改為直接切入2納米。同時(shí)在新竹寶山興建2納米第一期工廠(chǎng)之際，也立刻于高雄第一期工廠(chǎng)作為生產(chǎn)2納米制程。此前據TechNews消息，臺積電在北部（新竹寶山）、中部（臺中
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RISC-V 領(lǐng)軍企業(yè) SiFive 大裁員：20% 員工被裁，大部分是工程師
- IT之家 10 月 25 日消息，RISC-V 生態(tài)系統中的關(guān)鍵公司之一 SiFive，正在經(jīng)歷一場(chǎng)重大的重組，這場(chǎng)重組主要是大規模裁員和業(yè)務(wù)重心轉移，這一舉動(dòng)給 SiFive 的未來(lái)以及其對 RISC-V 的貢獻帶來(lái)了不確定性。IT之家注意到，RISC-V 已經(jīng)成為制造微型低成本核心的熱門(mén)選擇，但也有一些公司研發(fā)高性能的基于 RISC-V 的產(chǎn)品，SiFive 就是這樣一家公司，該公司提供現成的設計，也根據客戶(hù)的需求制作定制核心。但今天 SiFive 發(fā)布聲明稱(chēng)，正在裁減約 20% 的員工（約
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芯科科技為新發(fā)布的Matter 1.2版本提供全面開(kāi)發(fā)支持
- Silicon Labs（亦稱(chēng)“芯科科技”）接續著(zhù)連接標準聯(lián)盟（CSA，Connectivity Standards Alliance）宣布其全面支持最新發(fā)布的Matter 1.2標準。Matter 1.2版本是該協(xié)議自2022年秋季發(fā)布以來(lái)的第二次更新?；谝荒赀M(jìn)行兩次更新的步調，可以幫助開(kāi)發(fā)者引入新的設備類(lèi)型，將Matter擴展到新的市場(chǎng)，同時(shí)可帶來(lái)互操作性和用戶(hù)體驗提升方面的其他改進(jìn)。Matter協(xié)議旨在利用Wi-Fi和Thread等現有的IP網(wǎng)絡(luò )技術(shù)來(lái)實(shí)現智能家居設備的互聯(lián)互通，以建立一種新的開(kāi)放
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使用半大馬士革工藝流程研究后段器件集成的工藝
- ●? ?介紹隨著(zhù)技術(shù)推進(jìn)到1.5nm及更先進(jìn)節點(diǎn)，后段器件集成將會(huì )遇到新的難題，比如需要降低金屬間距和支持新的工藝流程。為了強化電阻電容性能、減小邊緣定位誤差，并實(shí)現具有挑戰性的制造工藝，需要進(jìn)行工藝調整。為應對這些挑戰，我們嘗試在1.5nm節點(diǎn)后段自對準圖形化中使用半大馬士革方法。我們在imec生產(chǎn)了一組新的后段器件集成掩膜版，以對單大馬士革和雙大馬士革進(jìn)行電性評估。新掩膜版的金屬間距分別為14nm、16nm、18nm、20nm和22nm，前兩類(lèi)是1.5nm節點(diǎn)后段的最小目標金屬間距
- 關(guān)鍵字： 半大馬士革 后段器件集成 1.5nm SEMulator3D
傳三星計劃2024年將量產(chǎn)第九代V-NAND閃存
- 近日，據媒體報道，三星電子存儲業(yè)務(wù)主管李政培稱(chēng)，三星已生產(chǎn)出基于其第九代V-NAND閃存產(chǎn)品的產(chǎn)品，希望明年初可以實(shí)現量產(chǎn)。三星正在通過(guò)增加堆疊層數、同時(shí)降低高度來(lái)實(shí)現半導體行業(yè)最小的單元尺寸。目前，存儲產(chǎn)業(yè)處于緩速復蘇階段，大廠(chǎng)們正在追求存儲先進(jìn)技術(shù)的研發(fā)。從當前進(jìn)度來(lái)看，NAND Flash的堆疊競賽已經(jīng)突破200層大關(guān)：SK海力士已至321層，美光232層，三星則計劃2024年推出第九代3D NAND（有望達到280層）。據悉，三星將于2025-2026年推出第十代3D NAND(有望達到430層）
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蘋(píng)果承認部分 iPhone 15 機型存在燒屏問(wèn)題，iOS 17.1 將修復
- 10 月 18 日消息，蘋(píng)果公司今天發(fā)布了 iOS 17.1 RC 版本更新，特別針對蘋(píng)果 iPhone 15、iPhone 15 Pro 系列機型，修復了“可能導致圖像殘留”的問(wèn)題。蘋(píng)果自推出 iPhone 15 手機以來(lái)，陸續有用戶(hù)反饋稱(chēng)新款機型出現嚴重燒屏問(wèn)題。有人猜測這可能是 OLED 顯示屏的硬件問(wèn)題，現在蘋(píng)果通過(guò)軟件方式修復了燒屏問(wèn)題。雖然大多數顯示問(wèn)題的報告來(lái)自“iPhone 15”用戶(hù)，但也有一些使用 iPhone 13 Pro 和 iPhone 12 Pro 設備的用戶(hù)看到了類(lèi)似的問(wèn)題，
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兆易創(chuàng )新推出GD32VW553系列Wi-Fi 6 MCU
- 業(yè)界領(lǐng)先的半導體器件供應商兆易創(chuàng )新GigaDevice (股票代碼 603986) 今日宣布，正式推出基于RISC-V內核的GD32VW553系列雙模無(wú)線(xiàn)微控制器。GD32VW553系列MCU支持Wi-Fi 6及Bluetooth LE 5.2無(wú)線(xiàn)連接，以先進(jìn)的射頻集成、強化的安全機制、大容量存儲資源以及豐富的通用接口，結合成熟的工藝平臺及優(yōu)化的成本控制，為需要高效無(wú)線(xiàn)傳輸的市場(chǎng)應用持續提供解決方案。全新產(chǎn)品組合提供了8個(gè)型號、QFN40/QFN32兩種小型封裝選項，現已開(kāi)放樣片和開(kāi)發(fā)板卡申請，并將于12
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大聯(lián)大友尚集團推出基于onsemi產(chǎn)品的PD3.1電源適配器方案
- 致力于亞太地區市場(chǎng)的國際領(lǐng)先半導體元器件分銷(xiāo)商---大聯(lián)大控股近日宣布，其旗下友尚推出基于安森美（onsemi）NCP1680、NCP13994、NCP4306和FAN65004芯片的PD3.1電源適配器方案。圖示1-大聯(lián)大友尚基于onsemi產(chǎn)品的PD3.1電源適配器方案的展示板圖隨著(zhù)USB PD3.1協(xié)議的頒布，快充技術(shù)也迎來(lái)了新的時(shí)代。相比于之前主流的PD3.0標準，PD3.1標準不僅新增28V、36V、48V三種拓展輸出電壓，還將最大輸出功率由100W提升至240W，這突破了現有的大功率使用場(chǎng)景，
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SiFive宣布推出針對生成式AI/ML應用的差異化解決方案,引領(lǐng)RISC-V進(jìn)入高性能創(chuàng )新時(shí)代
- RISC-V 運算的先驅和領(lǐng)導廠(chǎng)商SiFive, Inc.近日宣布推出兩款新產(chǎn)品，旨在滿(mǎn)足高性能運算的最新需求。SiFive Performance? P870 和 SiFive Intelligence? X390 提供最新水準的低功耗、運算密度和矢量運算能力，三者結合起來(lái)將為日益增長(cháng)的資料密集型運算提供必要的性能提升。這些新產(chǎn)品共同創(chuàng )建了標量和矢量運算的強大組合，可滿(mǎn)足現今數據流和運算密集型人工智能應用于消費性、車(chē)用和基礎設施市場(chǎng)的需求。在圣克拉拉舉行的現場(chǎng)新聞和分析師活動(dòng)上，SiFive 同時(shí)也宣布
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中國移動(dòng)發(fā)布業(yè)界首款基于 RISC-V 架構的 Cat.1 通信模組 ML305M
- IT之家 10 月 12 日消息，近日，業(yè)界首款基于 RISC-V 架構的 Cat.1 模組 ML305M 在 2023 中國移動(dòng)全球合作伙伴大會(huì )上首次亮相。據介紹，ML305M 基于中移芯昇科技 CM8610 開(kāi)發(fā)。CM8610 是國內首顆基于 64 位 RISC-V 內核的 LTE Cat.1bis 通信芯片，采用 22nm 工藝，具有高集成度以及外圍極簡(jiǎn) BOM 設計，edrx 待機電流達到 0.74mA，最小接收靈敏度達到-101dBm，并支持 VoLTE。中移物聯(lián) OneMO 表示，M
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RISC-V技術(shù)成為中美技術(shù)戰爭新戰場(chǎng)
- 在中美科技戰的新戰線(xiàn)上，拜登政府正面臨一些立法者的施壓，要求限制美國公司開(kāi)發(fā)在中國廣泛使用的免費芯片技術(shù)，此舉可能會(huì )顛覆全球科技行業(yè)的跨境合作方式。?爭論的焦點(diǎn)是RISC-V，發(fā)音為“風(fēng)險五”，這是一種開(kāi)源技術(shù)，與英國半導體和軟件設計公司Arm Holdings（O9Ti.F）的昂貴專(zhuān)有技術(shù)競爭。RISC-V可以用作從智能手機芯片到人工智能高級處理器的任何產(chǎn)品的關(guān)鍵成分。?一些議員——包括兩位共和黨眾議院委員會(huì )主席、共和黨參議員馬爾科·盧比奧和民主黨參議員馬克·華納——以國家安全為由，
- 關(guān)鍵字： RISC-V 芯片法案
中美科技戰新戰場(chǎng)！RISC-V開(kāi)源芯片技術(shù)成焦點(diǎn)
- 中美科技競爭又有新動(dòng)向。美國政府正面臨國會(huì )壓力，要求限制美國企業(yè)投入RISC-V的開(kāi)源芯片技術(shù)發(fā)展，目前RISC-V的開(kāi)源性使得這項技術(shù)在中國大陸獲得廣泛的應用以及發(fā)展，但如果禁止的話(huà)，可能對全球科技業(yè)的跨國合作造成沖擊。據《路透社》6日報導， 這一次的爭議焦點(diǎn)主要集中在RISC-V上，這是一種開(kāi)放原始碼架構，與英國的安謀國際科技公司（Arm Holdings）的競爭激烈。RISC-V可應用于智能手機芯片到先進(jìn)人工智能處理器等各種產(chǎn)品。一些國會(huì )議員以國家安全為由，敦促拜登政府針對RISC-V問(wèn)題采取行動(dòng)，
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英特爾介紹酷睿 Ultra 第 1 代核顯：每瓦性能翻倍
- 9 月 20 日消息，在今天舉辦的英特爾 ON 技術(shù)創(chuàng )新峰會(huì )上，英特爾介紹了酷睿 Ultra 第 1 代（代號：Meteor Lake）的核顯升級。據介紹，英特爾全新的核顯從 Xe LP 升級到 Xe LPG，相較于上一代的 Iris Xe 核顯每瓦性能翻倍。此外，新一代核顯有更高的頻率，同等電壓下的頻率直接可以沖擊到 2GHz 以上。新核顯還針對 DX12U 進(jìn)行了優(yōu)化，支持倍幀功能，支持新特性“Out of Order Sampling”。此外，英特爾還推出了全新的 Xe 媒體引擎，支持最
- 關(guān)鍵字： 英特爾 酷睿 Ultra 第 1 代核顯
xperia 1 v介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條xperia 1 v!
歡迎您創(chuàng )建該詞條，闡述對xperia 1 v的理解，并與今后在此搜索xperia 1 v的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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