臺積電高雄廠(chǎng)已完成2nm營(yíng)運團隊建設，未來(lái)或切入1.4nm

據中國臺灣經(jīng)濟日報報道，臺積電高雄廠(chǎng)正式編定為臺積22廠(chǎng)（Fab 22），并且完成該廠(chǎng)2nm營(yíng)運團隊建設。臺積電供應鏈認為，臺積電或許可能將高達逾7000億新臺幣的1.4nm投資計劃轉向高雄，但仍視其他縣市爭取臺積電進(jìn)駐態(tài)度及臺積電全盤(pán)規劃而定。

報道指出，臺積電打破在不同產(chǎn)區同時(shí)生產(chǎn)最先進(jìn)制程的慣例，將高雄廠(chǎng)原計劃切入28納米及7納米的規劃，改為直接切入2納米。同時(shí)在新竹寶山興建2納米第一期工廠(chǎng)之際，也立刻于高雄第一期工廠(chǎng)作為生產(chǎn)2納米制程。

此前據TechNews消息，臺積電在北部（新竹寶山）、中部（臺中中科）和南部（高雄楠梓）都有重大投資，興建2nm工廠(chǎng)。

據了解，新竹寶山廠(chǎng)第一廠(chǎng)初期月產(chǎn)能約達3萬(wàn)片；高雄廠(chǎng)則計劃在寶山廠(chǎng)量產(chǎn)隔年也著(zhù)手2納米強化版N2P的量產(chǎn)作業(yè)，初期規劃月產(chǎn)能也會(huì )在2萬(wàn)片以上。

臺積電在2nm制程節點(diǎn)將首度使用Gate-all-around FETs（GAAFET）晶體管，同時(shí)制造過(guò)程仍依賴(lài)于極紫外線(xiàn)（EUV）光刻技術(shù)，原計劃2024年末將做好風(fēng)險生產(chǎn)的準備，并在2025年末進(jìn)入大量生產(chǎn)，客戶(hù)在2026年就能收到首批采用N2制程制造的芯片。