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xl-flash
xl-flash 文章 進(jìn)入xl-flash技術(shù)社區
NAND flash和NOR flash的區別詳解
- 我們使用的智能手機除了有一個(gè)可用的空間(如蘋(píng)果8G、16G等),還有一個(gè)RAM容量,很多人都不是很清楚,為什么需要二個(gè)這樣的芯片做存儲呢,這就是我
- 關(guān)鍵字: NOR flash Nand flash FlaSh
東芝跑第一,64 層 3D Flash 開(kāi)始試產(chǎn)送樣
- 據海外媒體報道,韓國三星電子為全球第一家量產(chǎn) 3D 架構 NAND 型快閃存儲器(Flash Memory)的廠(chǎng)商,不過(guò)其N(xiāo)AND Flash 最大競爭對手東芝(Toshiba)追趕速度驚人,宣布已領(lǐng)先全球同業(yè),研發(fā)出堆疊 64 層的 3D Flash 產(chǎn)品(見(jiàn)首圖),且開(kāi)始進(jìn)行送樣。 東芝 27 日發(fā)布新聞稿宣布,已研發(fā)出堆疊 64 層的 3D Flash 制程技術(shù),并自今日起領(lǐng)先全球同業(yè)開(kāi)始進(jìn)行樣品出貨,且預計將透過(guò)甫于 7 月完工的四日市工廠(chǎng)“新第 2 廠(chǎng)房”進(jìn)行生
- 關(guān)鍵字: 東芝 Flash
全快閃儲存導入新型Flash存儲器以降低成本、生態(tài)大洗牌

- 許多廠(chǎng)商開(kāi)始將重心轉移到降低全快閃儲存陣列的成本,如Dell與EMC都已在全快閃產(chǎn)品中導入低成本的TLCFlash記憶體;眾多廠(chǎng)商爭相發(fā)展全快閃儲存陣列,也改變了既有的全快閃儲存市場(chǎng)消長(cháng) 在全快閃儲存陣列這類(lèi)型產(chǎn)品誕生初期,唯一的賣(mài)點(diǎn)便是高效能,應用面向也局限于線(xiàn)上交易處理等高IO需求領(lǐng)域。為了擴展應用環(huán)境,后來(lái)的全快閃儲存陣列發(fā)展也有了不同的發(fā)展。 我們可以把全快閃儲存陣列的發(fā)展分為4個(gè)階段: 第一階段是效能導向。提供高效能,是全快閃儲存陣列這類(lèi)產(chǎn)品誕生的目的,早期的全快閃儲存陣列
- 關(guān)鍵字: Flash 存儲器
全快閃儲存導入新型Flash存儲器以降低成本、生態(tài)大洗牌

- 許多廠(chǎng)商開(kāi)始將重心轉移到降低全快閃儲存陣列的成本,如Dell與EMC都已在全快閃產(chǎn)品中導入低成本的TLC Flash記憶體;眾多廠(chǎng)商爭相發(fā)展全快閃儲存陣列,也改變了既有的全快閃儲存市場(chǎng)消長(cháng) 在全快閃儲存陣列這類(lèi)型產(chǎn)品誕生初期,唯一的賣(mài)點(diǎn)便是高效能,應用面向也局限于線(xiàn)上交易處理等高IO需求領(lǐng)域。為了擴展應用環(huán)境,后來(lái)的全快閃儲存陣列發(fā)展也有了不同的發(fā)展。 我們可以把全快閃儲存陣列的發(fā)展分為4個(gè)階段: 第一階段是效能導向。提供高效能,是全快閃儲存陣列這類(lèi)產(chǎn)品誕生的目的,早期的全快閃儲存陣
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NAND Flash供貨吃緊態(tài)勢明顯 價(jià)格走揚
- 第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢越發(fā)明顯,TLC-Wafer與現貨卡片價(jià)格自4月初以來(lái)已連續三個(gè)月份逐步走揚。 TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報價(jià)顯示,第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢越發(fā)明顯,TLC-Wafer與現貨卡片價(jià)格自4月初以來(lái)已連續三個(gè)月份逐步走揚,而近一個(gè)月漲幅開(kāi)始增加。 DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示,NAND Flash原廠(chǎng)持續降低對于通路(Channel)的供貨比重來(lái)滿(mǎn)足eMMC/eMCP與固態(tài)硬碟(SS
- 關(guān)鍵字: NAND Flash
下半年NAND Flash一定缺貨,且會(huì )非常缺
- 全球儲存型快閃記憶體(NAND Flash)晶片最大供應商慧榮科技總經(jīng)理茍嘉章昨(21)日表示,固態(tài)硬碟(SSD)價(jià)格已到甜蜜點(diǎn),今年出貨將大爆發(fā),成為成長(cháng)最強勁的記憶體產(chǎn)品;法人預估臺廠(chǎng)概念股群聯(lián)、創(chuàng )見(jiàn)、威剛、宇瞻、廣穎、宜鼎等,可望掀比價(jià)效應。 慧榮是以臺灣為研發(fā)重心,立足全球的國際公司,上周五(20日)股價(jià)以每股42.19美元創(chuàng )2005年6月在美國那斯達克掛牌以來(lái)新高,市值達1.48億美元(約新臺幣48.5億元),同創(chuàng )歷史新高。 茍嘉章昨天主持慧榮愛(ài)心園游會(huì )后,針對今年NAND Fl
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發(fā)展Flash晶圓制造的四大投資方向

- 中國大陸業(yè)者在NANDFlash產(chǎn)業(yè)鏈的相關(guān)布局與投資不斷開(kāi)展,成為中國大陸半導體業(yè)揮軍全球的下一波焦點(diǎn)。 某研究所最新研究報告顯示,隨著(zhù)紫光國芯(原同方國芯)投資、武漢新芯擴廠(chǎng),及國際廠(chǎng)如三星、英特爾增加產(chǎn)能,預估2020年中國大陸國內Flash月產(chǎn)能達59萬(wàn)片,相較于2015年增長(cháng)近7倍。 預估2012~2016年NANDFlash生產(chǎn)端年平均位元增長(cháng)率達47%,其最終消費端需求年平均位增長(cháng)率亦高達46%,顯示NANDFlash仍為高速發(fā)展產(chǎn)業(yè)。 拓墣
- 關(guān)鍵字: Flash 晶圓
TrendForce:2020年中國大陸國內Flash月產(chǎn)能上看59萬(wàn)片
- 中國大陸業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的相關(guān)布局與投資不斷開(kāi)展,成為中國大陸半導體業(yè)揮軍全球的下一波焦點(diǎn)。TrendForce旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究所最新研究報告顯示,隨著(zhù)紫光國芯(原同方國芯)投資、武漢新芯擴廠(chǎng),及國際廠(chǎng)如三星、英特爾增加產(chǎn)能,預估2020年中國大陸國內Flash月產(chǎn)能達59萬(wàn)片,相較于2015年增長(cháng)近7倍。 TrendForce預估2012~2016年NAND Flash生產(chǎn)端年平均位元增長(cháng)率達47%,其最終消費端需求年平均位增長(cháng)率亦高達46%,顯示NAND Flash仍為高速發(fā)
- 關(guān)鍵字: Flash NAND
Flash芯片你都認識嗎?
- Flash存儲器,簡(jiǎn)稱(chēng)Flash,它結合了ROM和RAM的長(cháng)處,不僅具備電子可擦除可編程的性能,還不會(huì )因斷電而丟失數據,具有快速讀取數據的特點(diǎn);在現在琳瑯滿(mǎn)目的電子市場(chǎng)上,Flash總類(lèi)可謂繁多,功能各異,而你對它了解有多少呢? 為了讓大家更深入了解Flash,今天將主要根據芯片的通信協(xié)議并且結合Flash的特點(diǎn),給大家一個(gè)全新認識?! ∫?、IIC?EEPROM IIC?EEPROM,采用的是IIC通信協(xié)議;IIC通信協(xié)議具有的特點(diǎn):簡(jiǎn)單的兩條總線(xiàn)線(xiàn)路,一條串行數據線(xiàn)(SDA)
- 關(guān)鍵字: Flash EEPROM
Flash與SAS硬碟價(jià)格2015年恐現死亡交叉
- 資料儲存解決方案大廠(chǎng)NetApp表示,經(jīng)由云端與Flash兩股推力驅動(dòng),讓近年IT基礎架構進(jìn)入新一波的轉型期,其中2016年經(jīng)由融合式基礎架構(Converged Infrastructure)、DevOps(Development and Operations)系統工具應用性竄升,將讓2016年成為IT的精簡(jiǎn)之年。 此外值得注意的是,TLC架構的Flash存儲器借由需求性提升及單位成本快速下降,預期今年每GB的FLash價(jià)格也將較SAS硬碟更低,并讓All Flash資料中心的將進(jìn)入主流儲存領(lǐng)
- 關(guān)鍵字: Flash SAS
手機標稱(chēng)16G內存,為何實(shí)際卻少于16G

- 摘要:現在市面上存在NAND FLASH和eMMC這兩種的大容量存儲介質(zhì),就是各類(lèi)移動(dòng)終端及手機的主要存儲介質(zhì)。兩者有何區別,存儲芯片的實(shí)際大小與標稱(chēng)值又有什么關(guān)系呢? 我們總是在說(shuō)手機內存,那到底是用什么介質(zhì)存儲的呢?99%是用NAND Flash和eMMC這兩種的存儲介質(zhì)。eMMC是近幾年智能手機興起后,為滿(mǎn)足不斷增大的系統文件而誕生的,是NAND Flash的升級版,他的結構如下: 我們接觸到的16G、32G等手機,為何實(shí)際存儲容量卻總是小于這些值呢?難道
- 關(guān)鍵字: NAND FLASH eMMC
中國下個(gè)購并標的:NAND Flash控制芯片
- 中國政府近來(lái)積極透過(guò)中資集團陸續收購或入資海外半導體公司,期建立自有半導體供應鏈?,F階段,邏輯晶片從設計、制造到封裝測試皆已具雛型,反觀(guān)記憶體領(lǐng)域則為主要發(fā)展缺口。資策會(huì )MIC認為,中資集團下一波購并目標將鎖定NAND Flash控制晶片業(yè)者,并設法取得大規模制造產(chǎn)能,以補強記憶體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。 資策會(huì )MIC產(chǎn)業(yè)顧問(wèn)兼主任洪春暉表示,中國近期積極透過(guò)購并,來(lái)改善半導體自制比例過(guò)低的情形,現今中國在本土邏輯IC設計、晶圓代工、邏輯IC封測等產(chǎn)業(yè)鏈上,已有一定程度的發(fā)展,上述領(lǐng)域皆具有本土廠(chǎng)商或已與外商
- 關(guān)鍵字: NAND Flash 芯片
TrendForce:經(jīng)濟前景未明,2016年全球NAND Flash產(chǎn)值增長(cháng)有限
- 全球經(jīng)濟依舊前景不明,各項NAND Flash終端需求廠(chǎng)商態(tài)度相對保守,TrendForce旗下存儲事業(yè)處DRAMeXchange調查顯示,由于終端設備平均搭載量與固態(tài)硬盤(pán)(SSD)需求增長(cháng),2016年整體NAND Flash需求位量將較2015年增長(cháng)44%,然而生產(chǎn)端為了快速降低成本以刺激更多的需求,NAND Flash廠(chǎng)商將會(huì )加速3D-NAND Flash的開(kāi)發(fā),整體NAND Flash年度位元產(chǎn)出增長(cháng)率將大幅增長(cháng)50%。 DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示,2016年NAND Fl
- 關(guān)鍵字: NAND Flash TLC
xl-flash介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng )建詞條xl-flash!
歡迎您創(chuàng )建該詞條,闡述對xl-flash的理解,并與今后在此搜索xl-flash的朋友們分享。 創(chuàng )建詞條
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