TrendForce：經(jīng)濟前景未明，2016年全球NAND Flash產(chǎn)值增長(cháng)有限

　　全球經(jīng)濟依舊前景不明，各項NAND Flash終端需求廠(chǎng)商態(tài)度相對保守，TrendForce旗下存儲事業(yè)處DRAMeXchange調查顯示，由于終端設備平均搭載量與固態(tài)硬盤(pán)(SSD)需求增長(cháng)，2016年整體NAND Flash需求位量將較2015年增長(cháng)44%，然而生產(chǎn)端為了快速降低成本以刺激更多的需求，NAND Flash廠(chǎng)商將會(huì )加速3D-NAND Flash的開(kāi)發(fā)，整體NAND Flash年度位元產(chǎn)出增長(cháng)率將大幅增長(cháng)50%。

　　DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，2016年NAND Flash產(chǎn)出將大于需求力道，價(jià)格下滑幅度也將大于過(guò)去兩年。DRAMeXchange預估2016年整體NAND Flash產(chǎn)值僅年增長(cháng)0.2%，達266億美元，多數NAND Flash供貨商將面臨營(yíng)運利潤壓縮的挑戰。

　　2016年NAND Flash產(chǎn)業(yè)趨勢分析如下：

　　3D-NAND Flash開(kāi)發(fā)進(jìn)度為聚焦重點(diǎn)

　　2016年是制程轉進(jìn)以及產(chǎn)品結構轉換的關(guān)鍵時(shí)期。特別是15/16納米在2015年第三季成為主流制程后，后續制程微縮的空間將面臨瓶頸，再加上三星早已量產(chǎn)3D-NAND Flash并成功打開(kāi)在SSD的市占率，刺激其他NAND Flash廠(chǎng)商也陸續從今年第四季開(kāi)始加速3D-NAND Flash的開(kāi)發(fā)。DRAMeXchange預估2016年總晶圓投片量(12寸約當)達到1670萬(wàn)片，年增長(cháng)12%，而因3D-NAND Flash的開(kāi)發(fā)加速進(jìn)行，預估2016年位元供給率將較今年大幅增長(cháng)50%，為近四年來(lái)新高。

　　三星的3D-NAND Flash去年開(kāi)始正式量產(chǎn)，今年憑著(zhù)積極的價(jià)格策略及優(yōu)異的性能迅速拉開(kāi)與各家廠(chǎng)商的競爭步伐，迫使其他廠(chǎng)商加速3D-NAND Flash的開(kāi)發(fā)，預期其他廠(chǎng)商3D-NAND Flash的固態(tài)硬盤(pán)也將在2016年第三季可供系統OEM廠(chǎng)商進(jìn)行認證流程。楊文得表示，雖然整體3D-NAND Flash的產(chǎn)出比重在今年第四季僅有11%，但2016年可望大幅增長(cháng)至30%，此舉也將有助于降低固態(tài)硬盤(pán)的成本來(lái)提高系統OEM廠(chǎng)商的固態(tài)硬盤(pán)滲透率。

　　中國廠(chǎng)商布局日趨完整，扮演NAND Flash產(chǎn)業(yè)變化的關(guān)鍵角色

　　楊文得表示，今年中國半導體廠(chǎng)商投資NAND Flash存儲相關(guān)公司的腳步加快，以及在NAND Flash上中下游產(chǎn)業(yè)鏈的布局日趨完整，未來(lái)3-5年中國廠(chǎng)商以及中國市場(chǎng)將對NAND Flash產(chǎn)業(yè)的變化扮演關(guān)鍵地位。

　　在中國政府強力主導下，目前中國以強大的半導體市場(chǎng)吸引力來(lái)加大NAND大廠(chǎng)投資建廠(chǎng)規模的成效已開(kāi)始發(fā)酵，如三星西安廠(chǎng)持續擴廠(chǎng)，英特爾也確定將原先邏輯制程的大連晶圓廠(chǎng)轉為生產(chǎn)NAND Flash的半導體廠(chǎng)。DRAMeXchange預估在2016年底前，NAND Flash國際大廠(chǎng)在中國生產(chǎn)的晶圓量占比可來(lái)到8%，未來(lái)增長(cháng)的幅度將快速提升。

　　終端設備N(xiāo)AND Flash產(chǎn)品平均搭載量攀升，固態(tài)硬盤(pán)為需求動(dòng)能亮點(diǎn)

　　楊文得表示，全球總體經(jīng)濟不確定的因素升高影響2016年各項NAND Flash終端需求，在設備端出貨量增長(cháng)有限的情況下，明年NAND Flash需求面將著(zhù)重在平均搭載量的增長(cháng)，又因NAND Flash價(jià)格滑落的速度加快，DRAMeXchange預估2016年智能手機的eMMC與消費級固態(tài)硬盤(pán)(Client-SSD)平均容量將較今年增長(cháng)30%以上。

　　消費級固態(tài)硬盤(pán)部分，3D-NAND Flash的開(kāi)發(fā)與TLC的普及率提升都加速了固態(tài)硬盤(pán)價(jià)格滑落的速度，也增強個(gè)人計算機(PC)廠(chǎng)商的采購與設計意愿，DRAMeXchange統計2015年的筆記本電腦SSD搭載率約為27%，預期2016年年底128GB的固態(tài)硬盤(pán)將低于500GB的傳統硬盤(pán)、256GB的固態(tài)硬盤(pán)價(jià)格也將逼近1TB的傳統硬盤(pán)，DRAMeXchange預估2016年筆記本電腦固態(tài)硬盤(pán)搭載率將突破30%。

　　此外，強調及時(shí)運算以及效能的數據中心需求量大增，各項云端運算與服務(wù)也隨著(zhù)APP在智能型手機的應用快速增長(cháng)，整體企業(yè)級固態(tài)硬盤(pán)(Enterprise-SSD)的需求維持強勁的增長(cháng)態(tài)勢。DRAMeXchange預估2016年整體固態(tài)硬盤(pán)位消耗量份額將到35%，較今年的30%提升不少，成為各NAND Flash終端需求項目中表現最為強勁的種類(lèi)。