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中國存儲三大勢力成形 各自進(jìn)擊

  •   早前報導,中國存儲三大勢力成形,目前長(cháng)江存儲、晉華集成已積極展開(kāi)建廠(chǎng)、布建產(chǎn)能,就差合肥團隊還未有相關(guān)消息,現在相關(guān)招募信息與環(huán)評結果曝光,也透露更多發(fā)展信息。   中國發(fā)展存儲成三路進(jìn)擊,除了由武漢新芯與紫光合體組成的長(cháng)江存儲、聯(lián)電相助的福建晉華集成,第三勢力在兆易創(chuàng )新與前中芯CEO王寧國主導的合肥長(cháng)鑫合作下也蠢蠢欲動(dòng),現在從兆易創(chuàng )新的招募消息與合肥長(cháng)鑫的環(huán)評公告,也可一窺其在合肥的布局。   合肥將發(fā)展存儲的消息已不是新聞,但原先傳出與合肥市政府合作的爾必達前社長(cháng)坂本幸雄,目前得到消息已淡出合
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基于TMS320C6678的多核DSP加載模式研究

  • 摘要:德州儀器TI推出的八核DSP芯片TMS320C6678是目前基于Keystone架構的最高性能的DSP器件,是市場(chǎng)上應用廣泛的C6455高端處理平臺升級的理想選擇。本文主要研究了C6678 DSP程序的各種單核加栽和多核加載的幾種模式
  • 關(guān)鍵字: C6678 DSP  flash boot  多核boot  I2C引導  SRIO  網(wǎng)絡(luò )  

FAT文件系統在NAND Flash存儲器上的改進(jìn)設計

  • 嵌入式系統的大量數據都存儲在其F1ash芯片上。根據Flash器件的固有特性,構建一個(gè)適合管理NAND Flash存儲器的FAT文件系統,并闡述具體的設計思想。
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大容量NAND Flash TC58DVG02A1FT00在嵌入式系統中的應用

  • 隨著(zhù)嵌入式系統產(chǎn)品的發(fā)展,對存儲設備的要求也日益增強。文章以東芝的NAND E2PROM器件TC58DVG02A1F00為例,闡述了NAND Flash的基本結構和使用方法
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如何將“壞塊”進(jìn)行有效利用

  •   被廣泛應用于手機、平板等數碼設備中的Nand Flash由于工藝原因無(wú)法避免壞塊的存在,但是我們可以憑借高科技變廢為寶,將“壞塊”進(jìn)行有效的利用,從而滿(mǎn)足我們的應用需求,讓壞塊不“壞”。   要想變廢為寶,有效利用壞塊。我們首先要弄明白什么是“壞塊”,做到知己知彼,才能為我所用。壞塊的特點(diǎn)是當編程或者擦除這個(gè)塊時(shí),不能將某些位拉高,從而造成編程和塊擦除操作時(shí)的錯誤,這種錯誤可以通過(guò)狀態(tài)寄存器的值反映出來(lái)。這些無(wú)效塊無(wú)法確定編程時(shí)
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提高M(jìn)SP430G 系列單片機的Flash 擦寫(xiě)壽命的方法

  • 摘要在嵌入式設計中,許多應用設計都需要使用EEPROM 存儲非易失性數據,由于成本原因,某些單片機在芯片內部并沒(méi)有集成EEPROM。MSP430G 系列處理器是TI 推出的低成本16 位處理器,在MSP430G 系列單片機中并不具備E
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NAND FLASH扇區管理

  • 首先需要了解NAND FLASH的結構。如圖:以鎂光MT29F4G08BxB Nand Flash為例,這款Flash(如上圖)以4個(gè)扇區(sector)組成1個(gè)頁(yè)(page),64個(gè)頁(yè)(page)組成1個(gè)塊(block),4096個(gè)塊(block)構成整個(gè)Flash存儲器;由于每個(gè)扇區
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關(guān)于單片機中的flash和eeprom

  • FLASH 和EEPROM的最大區別是FLASH按扇區操作,EEPROM則按字節操作,二者尋址方法不同,存儲單元的結構也不同,FLASH的電路結構較簡(jiǎn)單,同樣容量占芯片面積較小,成本自然比EEPROM低,因而適合用作程序存儲器,EEPROM則更多的用作非易失的數據存儲器。當然用FLASH做數據存儲器也行,但操作比EEPROM麻煩的多,所以更“人性化”的MCU設計會(huì )集成FLASH和EEPROM兩種非易失性存儲器,而廉價(jià)型設計往往只有 FLASH,早期可電擦寫(xiě)型MCU則都是EEPRM結構,現在已基本上停產(chǎn)了。
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JEDEC標準(JESD216)S FDP對串行Flash在系統中的應用

  • JEDEC標準(JESD216)Serial Flash Discoverable Parameter (SFDP)[1]是在串行Flash中建立一個(gè)可供查詢(xún)的描述串行Flash功能的參數表。文章主要介紹了這個(gè)串行Flash功能參數表的結構、功能和作用,并給出其在系統設計中的具體應用。
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TMS320C6455 DSP基于外部FLASH自動(dòng)加載的設計

  • TMS320C6455 DSP基于外部FLASH自動(dòng)加載的設計,摘要 為實(shí)現數字信號處理器的加栽,介紹了TMS320C6455的各種加載模式,尤其是對外部ROM的引導方式,以及一種無(wú)需數據轉換即可通過(guò)數據加載將用戶(hù)程序寫(xiě)入Flash的方法。以TMS320C6455為例,同時(shí)結合LED燈閃爍實(shí)例驗證
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三星、東芝競擴產(chǎn),NAND Flash恐跌三成

  • 全球NAND Flash(儲存型快閃記憶體)供給成長(cháng)持續大于需求,預估NAND Flash今年底報價(jià)將較去年跌掉三成,且跌勢恐將一直延續至2018年。市調機構IHS iSuppli最
  • 關(guān)鍵字: 三星  東芝  NAND  Flash   

NAND Flash合約價(jià) 恐一路跌到年底

  • 市調機構集邦科技旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange調查顯示,第4季各項NAND Flash終端需求確立旺季不旺,加上廠(chǎng)商庫存水位依舊偏高,采購意愿薄弱,
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如何用SmartPRO 6000糾正NAND Flash燒錄過(guò)程位反轉

  • 如何用SmartPRO 6000糾正NAND Flash燒錄過(guò)程位反轉,關(guān)于使用燒錄器燒錄Nand Flash,一直都是很多用戶(hù)頭疼的難點(diǎn),他們強調已經(jīng)使用了正確的壞塊管理方案,也制定了規范的操作流程,但是燒錄的良品率還是無(wú)法提高,只能每天眼睜睜看著(zhù)一盤(pán)盤(pán)“廢品”被燒錄器篩選出來(lái)!
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從Flash和SRAM中觸發(fā)中斷的過(guò)程示例

  • 使用LPC2106的Timer 1 進(jìn)行的簡(jiǎn)單的中斷處理。示例代碼中Timer1分為FIQ和IRQ,用戶(hù)可以從Flash或者SRAM中運行這些代碼。示例展示了ARM構架中中斷是如何操作
  • 關(guān)鍵字: Flash  SRAM  觸發(fā)中斷  

DSP硬件設計需要知道的注意事項

  • 數字信號處理芯片(DSP) 具有高性能的CPU(時(shí)鐘性能超過(guò)100MHZ)和高速先進(jìn)外圍設備,通過(guò)CMOS處理技術(shù),DSP芯片的功耗越來(lái)越低。這些巨大的進(jìn)步增加了DSP
  • 關(guān)鍵字: 硬件設計  FlaSh  DSP  
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