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臺IC設計前3季 聯(lián)發(fā)科穩居每股獲利王 敦泰群聯(lián)位居二三名
- IC設計第3季財報全數公布完畢，累計前3季，聯(lián)發(fā)科(2454-TW)每股稅后盈余23.41元，穩居IC設計每股盈余獲利王，也是稅后凈利獲利王，其次是觸控IC廠(chǎng)F-敦泰(5280-TW)，前3季每股稅后盈余為13.67元，排名第二，第三名則是FLASH控制晶片廠(chǎng)群聯(lián)(8299-TW)，前3季每股盈余為13.34元，排名第三。 根據公開(kāi)資訊站資料顯示，聯(lián)發(fā)科前3季稅后凈利與每股稅后盈余穩居IC設計之冠，表現亮眼，顯示行動(dòng)裝置需求持續升溫，第3季旺季效應加持發(fā)威下，相關(guān)廠(chǎng)商營(yíng)運表現都相當亮眼，聯(lián)發(fā)科第
- 關(guān)鍵字： 聯(lián)發(fā)科 觸控IC FLASH
下游需求高企 2014年中國內存芯片市場(chǎng)將占全球兩成
- TrendForce最新研究報告顯示，隨著(zhù)中國市場(chǎng)近幾年的蓬勃發(fā)展與政策開(kāi)放，GDP成長(cháng)率呈現高度的成長(cháng)，所伴隨而來(lái)的就是驚人的消費潛力，無(wú)論是PC、智能型手機與平板市場(chǎng)都把中國市場(chǎng)列入第一戰區。TrendForce旗下權威內存研究機構DRAMeXchange最新數據顯示，以2Gb顆粒來(lái)?yè)Q算，2014年中國市場(chǎng)在DRAM與NAND的消化量已經(jīng)高達47.89億與70.36億，分別占全球產(chǎn)能19.2%與20.6%。 從DRAM市場(chǎng)來(lái)觀(guān)察，PC-DRAM在中國市場(chǎng)的消化量已經(jīng)來(lái)到15%，內需市場(chǎng)的強勁
- 關(guān)鍵字： 內存 DRAM Flash
基于FLASH介質(zhì)嵌入式存儲方案的設計與實(shí)現
- 引言 FLASH(閃速存儲器)作為一種安全、快速的存儲體，具有體積小、容量大、成本低、掉電數據不丟失等一系列優(yōu)點(diǎn)，已成為嵌入式系統中數據和程序最主要的載體。由于FLASH在結構和操作方式上與硬盤(pán)、E2ROM等其他存儲介質(zhì)有較大區別，使用FLASH時(shí)必須根據其自身特性，對存儲系統進(jìn)行特殊設計，以保證系統的性能達到最優(yōu)。 FLASH的特點(diǎn) FLASH是一種非易失性存儲器NVM(Non-VolatileMemory)，根據結構的不同可以將其分成NORFLASH和NANDFLASH兩種。但不
- 關(guān)鍵字： FLASH NAND
OEM需求拉貨動(dòng)能增溫，第三季NAND Flash品牌營(yíng)收季增12.2%
- 第三季NAND Flash市況在蘋(píng)果iPhone6/6Plus新機上市備貨需求強勁與OEM業(yè)者進(jìn)入出貨旺季的帶動(dòng)下，eMMC/eMCP與SSD的成長(cháng)力道均高于上半年，NAND Flash價(jià)格表現也相對穩健，使得第三季NAND Flash品牌供貨商營(yíng)收較上季增加12.2%至85.8億美元。TrendForce旗下內存儲存事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，新制程的嵌入式產(chǎn)品自第三季起成為市場(chǎng)主流，有助于各家業(yè)者成本結構的改善，而隨著(zhù)蘋(píng)果第四季iPhone表現持續亮眼以及新產(chǎn)品的問(wèn)世，整體N
- 關(guān)鍵字： NAND Flash SSD iPhone6
提高M(jìn)SP430G 系列單片機的Flash 擦寫(xiě)壽命方法
- 在嵌入式設計中，許多應用設計都需要使用EEPROM 存儲非易失性數據，由于成本原因，某些單片機在芯片內部并沒(méi)有集成EEPROM。MSP430G 系列處理器是TI 推出的低成本16 位處理器，在MSP430G 系列單片機中并不具備EEPROM。為了存儲非易失性數據，MSP430G 系列處理器在芯片內部劃分出了256 字節的Flash 空間作為信息Flash，可用于存儲非易失性數據，但是由于Flash 與EEPROM 在擦寫(xiě)壽命上存在一定差距，所以在實(shí)際應用中，這種應用方式并不能夠滿(mǎn)足所有客戶(hù)的需求。本應
- 關(guān)鍵字： MSP430 Flash EEPROM
FLASH和反熔絲類(lèi)型的FPGA你了解多少
- 由于航天應用對可靠性提出了更高的要求，這是與一般的FPGA開(kāi)發(fā)最大的不同。當高能粒子撞擊可編程邏輯器件時(shí)，撞擊的能量會(huì )改變器件中的可配置的SRAM單元的配置數據，使系統運行到無(wú)法預知的狀態(tài)，從而引起整個(gè)系統失效。這在航天設備中是必須要避免的。以FLASH和反熔絲技術(shù)為基礎的FPGA與以SRAM為基礎的FPGA相比，在抗單粒子事件方面具有很大的優(yōu)勢，可靠性高。 ACTEL公司是可編程邏輯解決方案供應商。它提供了多種服務(wù)，包括基于反熔絲和閃存技術(shù)的FPGA、高性能IP核、軟件開(kāi)發(fā)工具和設計服務(wù)，定位
- 關(guān)鍵字： FPGA FLASH 反熔絲
一種基于MCU內部Flash的仿真器設計方法
- 摘要：提出了一種基于MCU內部Flash的仿真器設計方法，并完成了設計和仿真。 關(guān)鍵詞：微控制器 在線(xiàn)仿真 開(kāi)發(fā)系統 Flash SRAM 由于市場(chǎng)對MCU功能的要求總是不斷變化和升級，MCU應用的領(lǐng)域也不斷擴展， 因此往往需要對最初的設計進(jìn)行修改。Flash MCU與以往OTP/MASK MCU相比，最大的優(yōu)點(diǎn)就在于可進(jìn)行高達上萬(wàn)次的擦寫(xiě)操作，順應了MCU功能不斷修改的需求;另一方面，Flash MCU市場(chǎng)價(jià)格也在不斷下降。因此，許多OEM已將Flash MCU用于產(chǎn)品的批量生產(chǎn)。對于F
- 關(guān)鍵字： MCU Flash 仿真器
終端需求多元化帶動(dòng)NAND Flash市場(chǎng)穩健增長(cháng)
- TrendForce旗下內存儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新調查顯示，由于智能手機、平板電腦等移動(dòng)裝置需求穩健增長(cháng)，固態(tài)硬盤(pán)在筆記本電腦以及服務(wù)器與數據中心的需求增加，而物聯(lián)網(wǎng)應用也將逐漸導入NANDFlash，2015年NANDFlash整體產(chǎn)業(yè)規模將提升至266億美元，年增長(cháng)9%。 DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，2014年NANDFlash需求位增長(cháng)率為36%，在更多元化的產(chǎn)品開(kāi)始導入NANDFlash的挹注下，2015年的需求位增長(cháng)率將依舊有35%。市場(chǎng)趨勢觀(guān)察的重
- 關(guān)鍵字： NAND Flash 穿戴性裝置
基于A(yíng)RM7軟中斷程序的設計
- 摘要：本文以ARM7內核的MCU LPC2458在片外FLASH上運行程序時(shí)，采用SWI軟中斷的方法實(shí)現同時(shí)寫(xiě)片外FLASH的例子，詳細講述ARM7內核的MCU如何設計SWI軟中斷程序的流程、方法和應用原理。 1 背景描述 筆者在設計一項目時(shí)采用LPC2458。此CPU為ARM7內核，帶512K字節的片內FLASH，98k字節的片內RAM，支持片外LOCAL BUS總線(xiàn)，可從片外NOR FLASH啟動(dòng)CPU。由于代碼量較大，程序放在片外的NOR FLASH中。且存在片外NOR FLASH在
- 關(guān)鍵字： ARM7 LPC2458 FLASH MCU SWI CPU 201409
上海海爾：向通用MCU進(jìn)發(fā)
- 今年上半年，上海海爾集成電路公司推出十幾款單片機產(chǎn)品，有其自主知識產(chǎn)權內核的HR7P155~170、201、192、196等系列，還有新的觸摸按鍵芯片等，容量涵蓋0.5~64kB，管腳數從10pin至80pin。豐富的資源為客戶(hù)的方案設計提供了多樣選擇。 專(zhuān)注于專(zhuān)用MCU的上海海爾，為何此次在如此多的通用產(chǎn)品上發(fā)力?在芯片本土化的熱潮下，上海海爾的愿景是什么? 處于從專(zhuān)用向通用MCU升級的開(kāi)端 MCU(單片機，微控制器)一般有通用和專(zhuān)用兩類(lèi)。很多歐美大公司喜歡推出通用單片機，而日本、
- 關(guān)鍵字： 海爾 MCU Flash 201408
基于SRAM芯片立體封裝大容量的應用
- 靜態(tài)隨機存儲器(static?RAM)，簡(jiǎn)稱(chēng)SRAM。在電子設備中，常見(jiàn)的存儲器有SRAM(靜態(tài)隨機訪(fǎng)問(wèn)存儲器)、FLASH(閃速存儲器)、DRAM(動(dòng)態(tài)存儲器)等。其中不同的存儲器有不同的特性，SRAM無(wú)需刷新電路即能保存它內部存儲的數據。而DRAM每隔一段時(shí)間，要刷新充電一次，否則內部的數據即會(huì )消失。與SDRAM相比，SRAM不需要時(shí)鐘信號，即可保持數據不丟失?！ ?、VDMS16M32芯片介紹 VDSR16M32是一款工作電壓3.3V，16Mbit，32位數據總線(xiàn)的立體封裝SRAM模
- 關(guān)鍵字： SRAM FLASH DRAM VDSR16M32
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